纳米结构及硅单电子晶体管的研究卢刚一，陈治明，毛胜春，马剑平，王建农，葛惟昆(1西安理工大学电子工程系，西安704;2香港科技大学物理系，香港九龙)108.
1.本实用新型涉半导体器材相关技术领域，具体为一种绝缘层上硅衬底的单结晶体管。背景技术：2.单结晶体管是1955年由通用电气公司发明的一种半导体晶体管器件，具有独特的工作机理和电学功能，单结晶体管建立在体硅的衬底上，具有三个电学接触端口，基本工艺为在长条形的n型衬底中间...
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文…
硅双极晶体管低温电流增益模型修正,电流增益,双极晶体管,模型建立,发射区,模型修正。多晶硅发射区双极晶体管的低温（77K）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Jn和发射区…
场效应晶体管(Field-EffectTransistor)是当代计算机处理器的核心。自从上世纪60年代以来，一块典型处理器中的晶体管的数量便以摩尔定律的速度指数增加。通过减小单个器件的尺寸，越来越多的晶体管可以被封装到一块芯片中，与此同时，芯片的...
与CMOS晶体管相比，碳纳米管晶体管有几大优势。首先，在先进工艺短沟道（如5nm）的情况下，碳纳米管即使使用平面工艺也不会有漏电流的问题。这就意味着碳纳米管一旦在先进工艺下量产，那么其的难度和成本有希望比硅基CMOS工艺要低很多，从而打破摩尔定律接近瓶颈的僵局。
论文《SiN、SiBCN和SiOCN侧墙电介质的时间依赖介质击穿》全面比较了在晶体管电触点间隙中用作绝缘体的多种材料。这些侧墙电介质是芯片中最薄的绝缘体——在22纳米芯片中的测试厚度为10纳米，在7纳米芯片中约为6纳米。
波普说：“工程师们一直无法让硅晶体管的厚度薄于大约5纳米；一旦厚度更薄，材料特性会开始出现不好的变化。虽然其他半导体材料在这些类别方面也胜过硅，但是问题常常在于开启晶体管所需要的能源即所谓的“能带隙”（bandgap）会引起材料电…
期刊/会议论文>硅光电倍增管（sipm）适配电路设计2015年8月光电技术应用ELECTRO-OPTICTECHNOLOGYAPPLICATIONVol.30，No.4August，2015光电探测器，是利用物质的光电效应把光辐射信号转换成电压或者电流等电信号的器件。
薄膜晶体管及其在有源矩阵有机发光二极管中的应用,有机,透明,氧化物半导体,场效应,晶体管。薄膜晶体管(TFT)是一种以沉积形成的半导体、金属和绝缘体薄膜组成的场效应器件。它是有源矩阵有机发光二极…
根据科学技术的发展规律,一种新技术从诞生到成为主流技术一般需要20到30年的时间,硅集成电路技术自1947年发明晶体管1958年发明集成电路,到60年代末发展成为大...
高帕兰领导的研寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米究团队在《科学进展...
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队,在20日出版的《科学报告》杂志上撰文称,他们使用一种独特方法,研制出了处理速度最快的柔性硅基晶体管,能无线传输数据和...
论文链接：https://nature/articles/s41928-020-00527-z一、金属纳米粒子器件难以调节电导率晶体管是一种可以放大、传导、切换电子信号或电流的器件，是电子设备的关键组...
在未来的几十年里,芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上,来制造出速度更快的硅制芯片,因为太小的硅制晶体管容易破裂,同时非常昂贵。人们研究的材料想要超越硅,就需...
根据科学技术的发展规律,一种新技术从诞生到成为主流技术一般需要2030年的时间,硅集成电路技术自1947年发明晶体管1958年发明集成电路,到60年代末发展...
综上所述,本论文对隧穿场效应晶体管做了细致深入的研究,并针对这种器件存在的问题提出结构改进方案,对于提升隧穿场效应晶体管的工作特性具有一定意义。【学位授予单位】:沈...
硅基负电容场效应晶体管研究和论文目录摘要第1-8页ABSTRACT第8-13页符号对照表第13-14页缩略语对照表第14-17页第一章绪论第17-31页1.1研究背景及意义第17-24页...
相反,它们仅在对晶体管施加一定的电压时才打开和关闭。埃因霍温科技大学的博士生、新论文的第一作者ElhamFadaly在操作用于长出硅合金纳米线的机器。图片来源...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心IBM研制出世界上最快的硅晶体管来自维普喜欢0阅读量:11作者:方留民展开摘要:IBM公司宣布,该公司已经制造...