微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
分辨率增强技术在保持最佳的显影效果的前提下,明显增艺窗口和减小对于设备精度的要求,是0.13μm光刻工艺的关键环节。.论文重点给出了这些技术的物理模型和相关的适用范围,有助于国内8寸芯片生产厂商大规模量产产品的工艺优化,同时为12寸的生产厂商...
光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂（或称光刻胶）的硅片上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。
作为制造芯片的核心装备，光刻机一直是中国的技术弱项,其技术水平严重制约着中国芯片技术的发展。荷兰ASML公司的光刻机设备处于世界先进水平，日本光刻设备大厂都逐渐被边缘化，国内更是还有很大的差距。那么中国光刻工艺与国外顶尖公司究竟相差多少代技术呢？
毕业设计(论文)报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究...
论文目录摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章绪论第7-24页·引言第7页·光刻的基本流程第7-10页·光刻工艺的在线检测第10-13页·套准Overlay的检测第11-12页·...
本文介绍了光刻工艺的基本流程,包括光刻胶涂布,曝光,显影,套准精度和关键尺寸的在线检测。由于传统的光学条件下,248nm光刻机的最佳曝光线宽仅为0.18微米,所以要使248nm光刻机...
然而半导体技术节点的不断深入,流片中产生的光刻工艺热点的数量变得越来越庞大。解决上述问题,论文提出了一种可行的光刻工艺热点匹配归类方法,可以有效压缩版图...