微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺中曝光技术比较.pdf,综述现代制造工程2008年第12期光刻工艺中的曝光技术比较王宏睿1，祝金国2摘要：介绍目前比较前沿的光学曝光、电子束曝光、离子束曝光、x射线曝光和极紫外曝光等曝光方法。并对这些光刻曝光技术进行相应的比较。
光刻胶综述：光刻胶的作用、分类.光刻胶和光刻机是半导体产品制造必须打两大关键材料。.光刻胶又称光致抗蚀剂(photoresist),是利用光化学反应进行图形转移的媒体,它是一类品种繁多、性能各异,应用极为广泛的精细化学品,本文主要介绍在电子…
光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺的始终，当代超大规模集成电路的制造需要几十次乃至上百次的光刻才能完成。在集成电路中，光刻的最小线条尺寸时期发2展水平的标志。分辨率是决定光刻系统最重要的指标，分辨率越高，能分辨的线宽越小。
湿法腐蚀工艺研究综述.doc,硅湿法腐蚀工艺的研究现状摘要：随着MEMS技术的发展，通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法腐蚀工艺在MEMS器件制造的许多工艺过程中有大量的应用，本文介绍了湿法腐蚀工艺的发展历程，研究现状，以及未来的发展...
《光刻图形转移技术》：这是一篇与光刻论文范文相关的免费优秀学术论文范文资料,为你的论文写作提供参考。摘要：通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.
光刻技术面临的困难与挑战≥32纳米内容概要光学掩膜版图形分辨率加强技术的研发和后光学成像技术掩膜版的制造控制图形的对准，线宽和缺陷，使用亚分辨率辅助图形技术；掌握曝光过程中缺陷的产生；制订193nm工艺平台上实现小于45纳米半间…
光刻是芯片制造的核心，是IC制造的最关键步骤，在主流的微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，其成本约占整个硅片成本的三分之一甚至更多。.说道芯片制造，不得不说摩尔定律，摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来...
本论文设计了一个基于DMD的数字无掩模光刻成像系统,对实验中的影响因素及系统中引入的误差因素进行了详细的分析,并提出了相应的补偿方法及解决方法。.其主要工作如下:第一、在分析目前光刻工艺发展状况的基础上,论证了设计数字无掩模光刻系统的必要性...
指导教师2012光刻工艺的研究光刻工艺的研究摘要:在平面晶体管和集成电路生产中,要进行多次的光刻,以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。光刻工艺是利用光刻胶...
比较系统的介绍了传统光刻的制造工艺从表面准备到曝光从曝光到最终检验以及关于一些新工艺及传统工艺的改进等内容1无锡科技职业学院毕业设计论文光刻工艺的研究第1章光刻工艺简介11...
摘要:本文基于SuperJunction(SJ)结构高电压功率半导体,阐述了如何利用光刻工艺形成SJ的特殊结构,分析了其特殊器件结构造成的光刻工艺难点。说明如何利用光刻...
导读:这篇光刻样品论文范文为免费优秀学术论文范文,可用于相关写作参考。(复旦大学物理学专业上海200433)摘要:基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品...
最近,复旦大学信息科学与技术学院的熊诗圣课题组在《极端制造》期刊(InternationalJournalofExtremeManufacturing,IJEM)上发表以《基于嵌段共聚物导向自组装的亚10纳米光刻工艺...
含肉桂基的光敏聚酰亚胺光刻工艺的研究摘要:李佐邦,王立新-《河北工业大学学报》被引量:1发表:1991年光敏聚酰亚胺的与性能表征本论文综述了光敏聚酰亚胺(PSPI)...
为了产生电路图还需要再一次把光刻胶上的图形转移到其下面的组成集成电路器件的各薄层上去,这种图形转移是采用刻蚀工艺完成的。1.2.传统光刻工艺一般的光刻工艺要经历硅片...
伴随着集成度的不断提高,光刻作为集成电路生产流程中十分关键的一环也面临越来越多的难题。光学参数的设定、基底平坦度的状况、基底的反射率、光刻胶厚度的选择都与光刻图形...
光刻工艺论文(docX页)光刻工艺(docX页)光刻技术新进展(docX页)光刻机调研(docX页)光刻机(docX页)光刻胶工艺技术手册(docX页)光刻胶产品资料(do...