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微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺中曝光技术比较.pdf,综述现代制造工程2008年第12期光刻工艺中的曝光技术比较王宏睿1，祝金国2摘要：介绍目前比较前沿的光学曝光、电子束曝光、离子束曝光、x射线曝光和极紫外曝光等曝光方法。并对这些光刻曝光技术进行相应的比较。
光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
篇一：数控毕业论文小结.随着数控技术的不断发展和应用领域的扩大，数控技术对国计民生的一些重要行业（IT、汽车、轻工、医疗等）的发展起着越来越重要的作用，因为效率、质量是先进制造技术的主体。.高速、高精技术可极大地提高效率，提高...
原因在于，至少到1980年初，中国的光刻工艺依然是接触式光刻，也就是把掩膜直接贴到硅片上，再用灯光照射。这项工艺中最难的是掩膜的制造，要在底片上刻出1微米分辨率的线条（照相制版国内调查小结[J].半导体技术,1976(03):1-17.
光刻是芯片制造的核心，是IC制造的最关键步骤，在主流的微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，其成本约占整个硅片成本的三分之一甚至更多。.说道芯片制造，不得不说摩尔定律，摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来...
2017年，RMITUniversity[9]采用电子束光刻EBL，实现1um铌酸锂脊型波导传输损耗0.4dB/cm，具体工艺流程如6所示：首先在500nmLNOI薄膜上沉积EBL光刻胶，然后EBL曝光显影，沉积Cr作为硬掩模刻蚀阻挡层，lift-off工艺去除非波导区域Cr和光刻胶，RIE刻蚀工艺完成260nmLN波导刻...
考虑到面向IC行业的CMOS技术已经非常成熟，本综述的主要内容是总结非CMOS工艺及方法，因为它们不仅丰富了亚10纳米方法，而且与CMOS方法相比，在分辨率、效率或成本方有互补优势，故在图1中还主要归纳了三类亚10纳米方法：光刻
其次对光刻胶的种类、行业现状、性能要求进行了总结和概括对光刻工艺的具体内容和各步骤的影响进行了详细的研究和总结。最后综述了彩色滤光膜用颜料光阻如...
爱问共享资料光刻工艺流程论文(1)文档免费下载,数万用户每天上传大量最新资料,数量累计超一个亿,___光刻工艺流程作者:张少军陕西国防工业职业技术学院电子信息...
光固化成型材料快速成型光固化成型是一种增材制造快速成型技术.本文简要介绍了光固化成型技术的原理,综述了目前的研究...冯淑莹科学与信息化
导读:这篇光刻样品论文范文为免费优秀学术论文范文,可用于相关写作参考。(复旦大学物理学专业上海200433)摘要:基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品...
伴随着集成度的不断提高,光刻作为集成电路生产流程中十分关键的一环也面临越来越多的难题。光学参数的设定、基底平坦度的状况、基底的反射率、光刻胶厚度的选择都与光刻图形...
最近,复旦大学信息科学与技术学院的熊诗圣课题组在《极端制造》期刊(InternationalJournalofExtremeManufacturing,IJEM)上发表以《基于嵌段共聚物导向自组装的亚10纳米光刻工艺...
论文目录摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章绪论第7-24页·引言第7页·光刻的基本流程第7-10页·光刻工艺的在线检测第10-13页·套准Overlay的检测第11-12页·...