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利用半导体材料可以制成集成电路、超大规模集成电路，开辟了微电子技术的新时代。.它是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料，主要应用于光电子和微电子领域。.PN结parttwoPN结的发现1948年，威廉肖克利的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的...
半导体pn结磁电阻效应的研究.周健恺.【摘要】：根据摩尔定律的预测,半导体电子器件的集成度将逐渐达到其基础极限,传统半导体的性能很难进一步得到提升。.而实现传统半导体大的磁电阻效应不仅仅可以赋予传统半导体器件新的应用价值,而且还能够给予...
01PN结的电压与电流在PN结两边由于电子热扩散以及随后引起的电子-空穴的复合，形成的耗散区域，产生了一个V0V_0V0的接触电位，并形成了PN结内部的电场EdE_dEd。EdE_dEd是V0V_0V0除以PN物理等效宽度。在n型半导体内部的电子的热
实验12PN结正向压降与温度关系的研究随着半导体工艺水平的不断提高和发展,半导体PN结正向压降随温度升高而降低的特性使PN结作为测温元件成为可能,过去由于PN结的参数不稳,它的应用受到了极大限制,进入二十世纪七十年代以来,微电子技术的发展日趋成熟和完善,PN结作为测温元件受到了广泛…
金属氧化物pn异质结对光电响应与气体敏感特性的作用.【摘要】：金属氧化物半导体(MOS)因其可以直接利用太阳能,而被广泛应用于气体探测、光催化、以及能量存储与转化等领域。.其敏特性就是指因光生载流子与表而化学吸附物间的交互作用而引起电导...
关于半导体器件中PN结的染色.郝慧琴.【摘要】：在结型半导体器件中,PN结的质量对器件特性影响很大。.结深是检测PN结的重要参数之一。.使用滚槽法,并用化学染色液显示PN结位置,是一种简单方便的方法。.不同的染色液显现PN结形貌受到PN结固有性质、染色...
据中国科学技术大学新闻网报道，该校微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转，即双向光电流现象。.相关成果以“Bidirectionalphotocurrentinp–nheterojunctionnanowires”为题于9月23日发表在《自然•...
利用半导体材料可以制成集成电路、超大规模集成电路,开辟了微电子技术的新时代。它是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料,主要应用于光电子和微电子领域。parttwoPN...
半导体PN结具有的单向导电性,是制造半导体器件的基础,使电子信息技术得以高速发展.我们用数学思想方法分析和解释半导体PN结中电流的运动规律,探讨了一个新的分析...
为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制,1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器,突破了半导体能隙对波...
击穿分为可逆的电击穿(降低反向电压,二极管仍能正常工作)、不可逆的热击穿(PN结被烧坏,一旦击穿二极管就损坏了)齐纳击穿条件:半导体的掺杂浓度较高、空间电荷层有较强的电场击穿的...