当前位置：学术参考网 > 半导体pn结电容论文
硅基pn结电容的研究及分析.硅基PN结电容的研究及分析万里兮（中国科学院微电子研究所系统封装实验室北京100029）摘要：以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大...
PN结的物理特性—实验报告-半导体PN结的物理特性实验报告姓名：陈晨一、引言半导体PN结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN结的伏安特性是半导体物理...
半导体PN结的物理特性实验目的与要求1、学会用运算放大器组成电流-电压变换器的方法测量弱电流。2、研究PN结的正向电流与电压之间的关系。3、学习通过实验数据处理求得经验公式的方法。
pn结和金属半导体结.ppt,金属－半导体结在半导体表面淀积一层金属形成紧密的接触，称为金属－半导体结（接触）。1、肖特基势垒（SBD）如果VF随时间变化，Qp也应随时间变化。注意Qp于x,它是时间的隐性函数。稳态时Qp每经过τp时间就会...
AdvancedScience:“用光储能”：光催化助力p-n结超级电容器电容和能量密度的提升.超级电容器以其功率密度高、放电速率快、循环寿命长、不发热等优点逐渐成为了锂离子电池的替代品。.然而，超级电容器的能量密度常常较低，这无疑限制了其实际应用。.近...
硅基PN结电容的研究及分析万里兮(中国科学院微电子研究所系统封装实验室北京100029)摘要:以硅为基体材料,PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性,...
半导体物理pn结电容.ppt17页内容提供方:dajuhyy大小:382KB字数:约1.84千字发布时间:2017-06-17浏览人气:200下载次数:仅上传者可见收藏次数:0需...
第8卷第10期009年10月电子元件与材料ELECTR0NICCOMPoNENTSANDMATEIUALSVb1.8No.100ct.009利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器吕盎,李宝霞,万里兮中国科学院...
会议名称:《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》主办单位:中国电子学会会议日期:2009年关键词:PN结电容寄生电感电容密度无源器件深硅刻蚀摘要:为基体材料,P...
本实验活动的目的是测量反向偏置PN结的容值与电压的关系。背景知识PN结电容增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配,形成耗尽区或耗尽层(图1...
(一)要解决的技术问题有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。(二)技术方案为达到上述目的的一个方面,本发明提...
半导体PN结的电容特性28/65五、PN结的电容PN结的电容效应:PN结偏置电压的变化将导致PN结空间电荷区的电荷数量及其两侧载流子的数目均发生变化,现象与电容...