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碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点。.作为新兴的战略先导产业，它是发展第3代半导体产业的关键基础材料。.2014年，美国新兴制造产业的第1个产业制造创新中心——以碳化硅半导体为代表的第3代宽禁带半导体创新中心，获得了联邦和地方...
以碳化硅半导体为主要代表的宽禁带半导体材料性能和其他常用半导体材料的异同分析。碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和
本文关键词：碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用更多相关文章：半导体材料碳化硅半导体SiC功率器件【摘要】：以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(SiliconCarbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中。
一维纳米材料论文：一维碳化硅纳米材料的、表征及性能研究【中文摘要】碳化硅(SiC)半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性好、热导率和饱和电子漂移速度大等特点,使其在高温、高频、强辐射、大功率等条件下具有良好的性能。
第三代半导体材料：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点，适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。.第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求...
碳化硅半导体材料的研究现状3.1国外碳化硅半导体材料研究现状20世纪80年代以来，美、日、欧等发达国家为保持航天、军事和技术强国地位，始终将宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。
半导体行业是碳化硅材料发展潜力最大和产业附加值最高的应用方向。二十世纪九十年代以来，美、日、欧和其他发达国家为了保持航天、军事和技术上的优势，将发展碳化硅半导体技术放在极其重要的战略地位，相继投入了大量的人力和资金对碳化硅材料和器件技术进行了广泛深入的研究，旨在...
浅谈半导体材料的应用及发展前景毕业论文论文报告.doc,毕业论文毕业设计开题报告论文报告设计报告可行性研究报告远程与继续教育学院专科毕业大作业题目：浅谈半导体材料的应用及发展前景站点：东莞学习中心指导教师：张施娜学号：4401012310097专业：机电一体化技术年级：2014秋姓…
2、碳化硅有什么用？以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材…
远程与继续教育学院专科毕业大作业点：东莞学习中心指导教师：张施娜专科毕业大作业诚信承诺书本人郑重承诺网络教育层次机电一体化技术专业的毕业论文《浅谈半导体材料应用及发展前景》的主要观点和思想系本人思考完成，并在此申明我愿承担与上述承诺相违背的事实所引起的一切...
导读:本论文是一篇免费优秀的关于碳化硅单晶论文范文资料,可用于相关论文写作参考。本刊记者/丁雪无限多样、纷繁复杂、千变万化的物质世界有多种形态存在,有...
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革命性半导体材料——碳化硅单晶主题:碳化硅单晶生长炉下载地址:论文doc下载原创作者:评分:9.0分更新时间:2021/08/30简介:关于本文可作为碳化硅单晶方面的大...
6H-SiC在〔112-0〕上投影2.2.SiC同质异构结构由于SIC半导体的不同晶型的禁带宽度差别较大,因而可以用来制作新型的半导体结构—同质异构结构,包括异构结、量子...
摘要第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材...
通过文献互助平台发起求助,成功后即可免费获取论文全文。您可以选择微信扫码或财富值支付求助。我要求助相似文献同作者SiC半导体材料与器件(2)随着SiC单晶...
2.5宽带隙半导体材料宽带隙半导体材主要指的是金刚石,III族氮化物,碳化硅,立方氮化硼以及氧化物(ZnO等)及固溶体等,特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料,因具有高...