烟台大学硕士学位论文半导体发光材料的光学特性表征及分析姓名:郑大宇申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:孙元平20080531半导体发光材料正以飞快的速度影响着当今世界的众多领域,医学、国防及人类生活的方方面面都需要更加高质量的发光材料来满足人类的需要,所以对半导体...
(毕业设计论文)《GaN基基半导体材料光学特性研究》.doc,1.绪论20世纪90年代以来,由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术的突破,从而开辟了GaN通向实际应用的光辉大道,引发了全世界GaN研究的热潮,并已取得了辉煌的成绩。
硕士学位论文2激光与物质相互作用的基础理论2.1长脉冲激光作用半导体材料的热效应解析模型介绍激光辐射可视为一个热的热源,而激光作用材料表面的热转换主要是通过三种途径进行,即电子热传导、声子热传导和辐射热传导。.通过激光能量的吸收...
半导体所发表二维材料层数相关光学性质的综述论文-最近,中国科学院半导体研究所谭平恒研究组受《先进功能材料》(AdvancedFunctionalMaterials)邀请,撰写了关于二维材料层数相关的光学性质及其在厚度确定方面的综述论文,已经在线发表。
半导体所发表二维材料层数相关光学性质的综述论文.二维材料的平面内化学键非常强,而两层以上二维材料的层间相互作用则非常弱,一般为范德瓦尔斯相互作用。.这使得二维材料可以通过机械剥离方法从其相应体材料而成。.多层二维材料可能有多种层...
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院:材料科学与工程学院专业:材料化学班级:材料122姓名:刘田防学号:2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要:半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
张家雨;;胶体半导体纳米材料的非线性光学性质[A];鲁豫赣黑苏五省光学(激光)学会2011学术年会论文摘要集[C];2011年9翁羽翔;;一种光催化半导体材料能隙中间态的测量新方法-光生载流子中红外瞬态吸收光谱探-中间态激发扫描谱[A];中国化学会第29届学术年会摘要集——第32分会:纳米表征与检测...
本论文主要从理论上研究了几种典型铋基半导体材料,Bi2MoO6,Bi2WO6,BiVO4和BiNbO4等的电子性质及掺杂对体系稳定性、光吸收及光催化等性质的影响,总结了一些有价值的规律,解释了一些重要的实验现象,提出了一些提高材料光催化活性的新思路。
本论文利用微纳技术深入研究了半导体材料性质以及其光电器件上的应用。主要创新内容如下:...具体研究内容如下:基于大面积的微纳技术,研究了传统硅半导体材料在新型微纳光学器件上的应用。通过改变周期性的微结构参数改变了硅薄膜的...
我们主要通过燃烧不可再生的化石来获取能源,然而化石燃烧的同时释放出大量的二氧化碳,这将引发一系列潜在的环境问题。近年来,利用半导体光催化剂,通过水分解产氢、二氧化碳还原等反应将太阳能转化为清洁能源成为研究热点。其中,纳米阵列半导体材料具有高比表面
最近,中国科学院半导体研究所谭平恒研究组受《先进功能材料》(AdvancedFunctionalMaterials)邀请,撰写了关于二维材料层数相关的光学性质及其在厚度确定方面的综述论文,已经在线发表...
【毕业论文】GaN基基半导体材料光学特性研究精品毕业论文1.绪论20世纪90年代以来,由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术的突破,从而开辟...
内容提示:烟台大学硕士学位论文半导体发光材料的光学特性表征及分析姓名:郑大宇申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:孙元平20080531烟台大学硕士学位论文...
【毕业论文】GaN基基半导体材料光学特性研究论文.doc,1.绪论20世纪90年代以来,由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术的突破,从而开辟了GaN通向实际...
2邹优鸣;宽带隙半导体ZnO(及SiC)薄膜的及其物性研究[D];中国科学技术大学;2006年3孙香冰;金属有机配合物DMIT类材料的三阶非线性光学特性研究[D];山东大学;2007年中国...
GaN基基半导体材料光学特性研究(毕业论文doc)下载积分:1000内容提示:1.绪论20世纪90年代以来,由于异质外延缓冲层技术的采用和GaN的P型掺杂技术的...
最近,中国科学院半导体研究所谭平恒研究组受《先进功能材料》(AdvancedFuncTIonalMaterials)邀请,撰写了关于二维材料层数相关的光学性质及其在厚度确定方面的...
在此基础上,通过多种表征技术对所研究的半导体材料的实验结果进行表征和分析,以获得材料的光学特性和微观结构信息。论文的主要研究内容如下:(1)利用金属有机化学气相沉积法(M...
近年来,半导体纳米晶由于其独特的物理、化学性能(例如,荧光性能、非线性光学性能和量子效应),引起了人们对它的及性能的广泛研究,并且半导体纳米晶在光电子、电学以及生物...
【摘要】:正Ⅲ族氮化物半导体由于在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已经引起了人们极大的兴趣。氮化铟(InN)是低损耗高效电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料。InN、Ga...