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电子信息工程类毕业论文、半导体材料砷化镓的结构与性能毕业设计.doc,成都工业学院本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATPAGE\*MERGEFORMATIIPAGE\*MERGEFORMATIPAGE\*MERGEFORMATI本科毕业设计(论文...
【摘要】：砷化镓的高电子迁移率和直接带隙结构导致其在近红外波段有着强烈的光致发光(photoluminescence,简称PL)信号,因此对光电器件来说,砷化镓是经常考虑的半导体材料之一。砷化镓的固有发光对其表面的物理和化学状态非常敏感,这一性质提供了其应用在新一代生物传感器开发和生物芯片上…
半导体照明技术(第七讲).ppt.第五章半导体发光材料体系半导体发光材料是发光器件的基础，如果没有砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等材料的研究进展，发光器件也绝不可能会取得今天这样大的发展，今后器件性能的提高也很大程度取决于材料的进展。.成为...
半导体光催化材料光致发光光谱的研究-光致发光光谱是一种研究半导体材料电子结构、光学及光化学性质的有力技术。半导体光致发光过程与光催化过程的电荷转移、复合有着本质的联系,通过对半导体光催化剂光致发光光谱的研究,可以得到半...
作为第二代半导体材料的代表，砷化镓具有宽禁带，高频，高压，抗辐射、耐高温及发光效率高等特性（相对），被广泛应用于移动通信（智能手机等）、无线通信（基站）、光纤通信、LED、光伏、卫星导航等领域。
4、澳洋顺昌（002245）：公司拥有一种氮化镓基发光二极管芯片以及一种高光效氮化镓发光二极管芯片专利。5、乾照光电（300102）：公司在砷化镓和氮化镓光电器件领域研发和生产多年，已积极布局以砷化镓和氮化镓材料为基础的化合物半导体方向。
新型半导体发光材料分析及发展.doc,西安工程大学产品造型材料与工艺学校:西安工程大学班级:13级工设01班姓名:陈龙学号:41302020103日期:20150510新型...
2新型半导体发光材料氮化镓(GaN)的特征及发展现状在半导体的发展历史上,1990年代之前,作为第一代的半导体材料以硅(包括锗)材料为主元素半导体占统治地位.但随...
10王绍渤,吴瑞娣,夏冠群;注S-SIGaAs晶体中的缺陷[J];半导体学报;1989年05期相关会议论文前10条1刘小兵;史向华;;多孔硅光致发光稳定性研究[A];第四届中国功...
内容提示:烟台大学硕士学位论文半导体发光材料的光学特性表征及分析姓名:郑大宇申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:孙元平20080531烟台大学硕士学位论文...
为了揭示缺陷和杂质对半导体材料及器件发光性能的影响规律,本文以GaAs和MAPbBr_3杂化钙钛矿两类发光材料为载体,通过研究光生载流子在不同温度和磁场下的复合发光、发光弛豫及...
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心砷化镓合金动态发光特性研究来自万方喜欢0阅读量:10作者:黄伟其展开摘要:在光电动态检测系统中,用于光电...
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/G...