崔万秋;程皓;龚定农;张斗.半导体陶瓷致冷材料的性能与结构[J].材料研究学报,1993,7(3):219-224..STRUCTUREANDPROPERTIESOFSEMICODUCTORCERAMICCOOLINGMATERIALS.ChinJMaterRes,1993,7(3):219-224.
1张忠模;;透明半导体陶瓷在日本问世[J];功能材料信息;2004年01期2邹志刚;厚膜型γ—Fe_2O_3气敏元件的一次烧成工艺及气敏特性的研究[J];传感器技术;1987年04期3李祖瑾;;电子陶瓷概述[J];电子技术;1991年06期4李文范，刘秀英;非加热气敏元件气敏机理研究[J];材料研究学报;1994年04期
标签先进陶瓷新型陶瓷半导体集成电路半导体设备[导读]中国粉体网将在郑州举办“2021第四届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”。届时，来自清华大学的潘伟教授带来题为《半导体装备用陶瓷材料与关键部件》的报告。
来源：今日半导体随着现代高新技术的发展，先进陶瓷已逐步成为新材料的重要组成部分，成为许多高技术领域发展的重要关键材料，备受各工业发达国家的极大关注，其发展在很大程度上也影响着其他工业的发展和进步。
现代技术陶瓷的3主要领域及应用陶瓷材料一般分为传统陶瓷和现代技术陶瓷两大类。传统陶瓷是指用天然硅酸盐粉末(如黏土、高岭土等)为原料生产的产品。因为原料的成分混杂和产品的性能波动大,仅用于餐具、日用容器、工艺品以及普通建筑材料(如地砖、水泥等),而不适用于工业用途。
届时，来自清华大学的潘伟教授带来题为《半导体装备用陶瓷材料与关键部件》的报告。在报告中，潘伟教授将介绍半导体设备中氧化铝、氮化铝、碳化硅等陶瓷部件的应用和技术以及国际上主要的企业，以及国内的精细陶瓷在半导体芯片设备零部件的挑战与机遇！
半导体的起源.英国科学家法拉第(MIChaelFaraday，1791~1867)，在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料：硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花。.然而...
硒化物半导体材料及其光电与热电性能研究.吴一民.【摘要】：随着全球工业化进程的加快,能源短缺和环境污染已经成为世界范围内不容忽视的两大问题,严重制约着社会长期稳定发展。.研究和开发新能源已经成为全球能源发展的趋势。.其中太阳能以其...
报告主题：半导体设备中的陶瓷材料及部件报告嘉宾：潘伟（教授，清华大学材料学院）时间：2020年3月21日（周日）下午四点地点：材料学院534会议厅报告人简介潘伟，博士，清华大学材料学院长聘教授、博士生导师。现任清华大学校务委员会委员。
2.半导体陶瓷湿敏电阻半导体陶瓷湿敏电阻通常是用两种以上的金属氧化物半导体材料混合烧结而成的多孔陶瓷。这些材料有ZnO-LiO、2-V2O5系、Si-Na2O-V2O5系、TiO2-MgO-Cr2O3系、Fe3O4等,前三种材料的电阻率随湿度增加而下降,故称为负特性湿
SrTiO3具有的高介电常数、高温度稳定性等优势使其成为一种理想的电容器介质候选材料。本论文从SrTiO3材料的工艺、掺杂改性着手,对SrTiO3基半导体陶瓷材料进行了改性研究...
气敏半导体陶瓷材料的发展概况文档格式:.pdf文档页数:6页文档大小:0.0K文档热度:文档分类:论文--医学论文文档标签:气敏半导体陶瓷材料发展...
机标关键词:半导体陶瓷材料作者:李欣源学位授予单位:电子科技大学授予学位:硕士学科专业:材料科学与工程导师姓名:钟朝位学位年度:2019语种:中文...
SrTiO3具有的高介电常数、高温度稳定性等优势使其成为一种理想的电容器介质候选材料。本论文从SrTiO3材料的工艺、掺杂改性着手,对SrTiO3基半导体陶瓷材料进行了改性研究...
ST半导体陶瓷材料的改性研究随着电子信息产业的发展,对电子元器件小型化,集成化的要求也越来越高.SrTiO3具有的高介电常数,高温度稳定性等优势使其成为一种理想的电容器介质...
论文服务:摘要:【分类】【工业技术】>化学工业>硅酸盐工业>陶瓷工业>陶瓷制品>工业用陶瓷>电子工业用陶瓷【关键词】气敏半导体陶瓷陶瓷材料【出处】《...
陶瓷气敏材料出现在二十世纪&"年代,但当时未得到更多的研究。在二十世纪中叶,人们发现了半导体膜具有气体敏感效应,但同样没有得到更多的研究和应用。直...
报告主题:半导体设备中的陶瓷材料及部件报告嘉宾:潘伟(教授,清华大学材料学院)时间:2020年3月21日(周日)下午四点地点:材料学院534会议厅报告人简介潘伟,...
1..3半导体陶瓷材料正、负温度系数热敏陶瓷是两类应用较为广泛的热敏电阻,尤其在通讯技术迅猛发展的今天,这类材料广泛应用于各种电气元件过载保护中.半导体...
本论文主要研究探讨了工艺因素和体系组成对粉体物性、烧结体和膜体的电热性能、晶体结构的影响,为了出Lal.xS咖他03(LSM)和Lal.xSrxCu03-6(LSCu)基...