第五章总结本章总结了论文的主要工作以及不足之处。最后部分为致谢、参考文献。第二章半导体异质结的物理理论第二章半导体异质结的物理理论1957年Kroemer首次提出异质结器件能获得比同质结更高的注入效率[14]这引起了半导体研究领域的广泛
二维半导体异质结研究获新进展.最近，中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队...
科学家首次成功新型半导体异质结材料.上海科技大学物质科学与技术学院教授于奕课题组与美国普渡大学研究团队合作，在新型半导体异质结...
这里暂不对其他讨论半导体异质结能带对齐的物理模型展开详细描述，有兴趣的可以参考[7-8]以及更多的相关文章。在材料计算中，可以通过建立半导体异质结界面模型，进行第一性原理计算得到。关于半导体异质结界面建模方法等有时间再单独开贴介绍。
韩礼元教授团队再发《Science》论文：构建稳定异质结结构提高钙钛矿太阳电池的稳定性.拥有优异的光电性能，却天生体格“柔弱”，这是光伏新星、钙钛矿太阳能电池所面临的“成长的烦恼”。.2019年8月16日，国际著名学术期刊《Science》在线发表了上海交通...
异质结上各半导体的反应是如何进行的.作者honeyduck.来源:小木虫3507帖子.+关注.正在学习光催化方面的知识，异质结上的反应方向一直很困惑，比如两个n型的异质结，PS1导带上的电子到了PS2的导带上，PS2价带的空穴到了PS1的价带上，那么氧化还原反应...
安丽萍;邓新华;;基于单负材料的光子晶体异质结构全方位滤波器[J];半导体光电;2010年03期11严申生,李唯旦,潘慧珍;异质结材料及其表面金属膜的俄歇能谱研究[J];分析测试通报;1991年02期12
半导体异质结中的电子迁移率及其压力效应.白鲜萍.【摘要】：本文采用记忆函数法,分别以Ⅲ-Ⅴ族异质结半导体和Ⅱ-Ⅵ族应变型异质结半导体为研究对象,从理论上讨论半导体单异质结中平行界面方向的电子迁移率及其压力效应.首先以Ⅲ-Ⅴ族Al_xGa_(1-x)As/GaAs...
不断突破钙钛矿电池难题，多次发表顶刊论文.韩礼元教授团队通过构建稳定异质结结构，在保证高效率的前提下，提高了钙钛矿太阳能电池在工作状态下的稳定性，对促进钙钛矿太阳能电池产业化进程起到重要作用。.该研究成果是韩礼元教授团队继2015年在...
此结构把晶格匹配的概念推向更高Al组分，为InAlN及其异质结构材料在高压电力电子器件中的潜在应用做了初步探索。综上所述，本文充分利用InAlN合金材料的优越性能，对新型氮化物InAlN半导体异质结构和HEMT器件做了研究。
最近,中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中,与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作,在二维半导体异...
半导体异质结的发展及其性质讨论(精编)文档格式:.ppt文档页数:25页文档大小:1.65M文档热度:文档分类:论文--毕业论文系统标签:半导体电荷区载流...
则是由于他们在半导体异质结及其在电子和光电子学中的应用方面的突出贡献而获奖(该文仅就这两位诺贝尔物理奖得主在异质结及其在光电子中的应用方面的贡献进...
广义上说,如果结两边。广义上说,如果结两边是用不同的材料制成,就称为是用不同的材料制成,就称为“结结””,但一般所说的指两种不同半导体,但一般所说的指两种...
本文介绍了有关半导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LED中的异质结结构为例,介绍了异质结的主要...
以上图我发表的论文HfO2/GaN界面模型为例[9]介绍。首先建立异质结界面模型(关于半导体异质结界面建模方法等有时间再单独开贴介绍),然后对弛豫的界面模型进行DOS...
基于上述原理问题和原理,本论文主要利用ZnIn_2S_4和α-Fe_2O_3设计并了四种异质结,并详细研究了其光电化学性能和工作机制:(1)ZnIn_2S_4/TiO_2:水热法TiO_2纳米棒阵列...
本文介绍了有关丰导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LFI)中的异质结结构为例,介绍了异质结的主...
其实一般也是混用，不怎么区分，sci论文里用的也没那么精确，真要说有区别。我个人认为，前者可能包括非...
Z型反应你可以参考日本Tada教授的TiO2@Au@CdS的论文，TiO2和CdS中间有Au电位，所以能发生Z型反应。