半导体pn结磁电阻效应的研究.周健恺.【摘要】：根据摩尔定律的预测,半导体电子器件的集成度将逐渐达到其基础极限,传统半导体的性能很难进一步得到提升。.而实现传统半导体大的磁电阻效应不仅仅可以赋予传统半导体器件新的应用价值,而且还能够给予...
PN结的物理特性—实验报告-半导体PN结的物理特性实验报告姓名：陈晨一、引言半导体PN结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN结的伏安特性是半导体物理...
实验12PN结正向压降与温度关系的研究随着半导体工艺水平的不断提高和发展,半导体PN结正向压降随温度升高而降低的特性使PN结作为测温元件成为可能,过去由于PN结的参数不稳,它的应用受到了极大限制,进入二十世纪七十年代以来,微电子技术的发展日趋成熟和完善,PN结作为测温元件受到了广泛…
关于半导体pn结接触电势的研究讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性，回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题。.从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时pn结不...
半导体物理第二章PN结习题.第二章PN表达式。.给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的表达式。.2-2．热平衡时净电子电流或净空穴电流为零，用此方法推导方程2-3．根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明，在外加正向偏压V作用下，PN空穴扩散区准费...
3、这个问题足以写一篇论文了。从能量守恒来说，没有其他能量的注入是不可能产生电流的，毕竟pn结不是电源。...2017-05-25为什么半导体中PN结的P区是负离子，N区的是正离子202017-03-04在半导体PN结中，因扩散运动形成内建电场，这个电场...
半导体论文pn结的数值解.docx,PN结的I-V特性的有限差分法的数值路小龙(四川大学物理科学与技术学院微电子2012222020045)摘要:本文选取电注入条件下的非平衡...
PN结是半导体技术的关键所在,它又称为内电场,具有一定的电位差,但为什么做成二极管后在它的两端却没有电压呢?这个问题在所有的模电书籍上都未提及.本文针对这个问题进行分析...
到目前为止,在窄禁带的银硫族化合物,锑化铟,以及碲化钨中,还有传统半导体砷化镓,锗以及硅等半导体材料中都报道了磁场对电输运行为明显的调制作用,即产生一个大且不饱和的磁电...
[[半导体PN结的物理特性]]|home|您的足迹:索引这是根据命名空间排列的所有可访问页面的索引。茶..1220153achievementactivityarduinocankaoshum...
半导体PN结具有的单向导电性,是制造半导体器件的基础,使电子信息技术得以高速发展.我们用数学思想方法分析和解释半导体PN结中电流的运动规律,探讨了一个新的分析...