毕业论文写作的内容结构
一、毕业论文的内容组成和撰写内容要求：
(一)、毕业论文的内容组成
一份完整的毕业论文内容顺序由以下几部分组成：
1、 封面
2、目录(列出各项内容所在页码)
3、 中文部分的题目(标题)、摘要、关键词
3、 英文部分的题目(标题)、摘要、关键词
4、 正文
5、 参考文献
7、 致谢
8、附录
(二) 毕业论文撰写内容要求
1、目录。目录是论文目次说明，要求独立成页。将论文的章、节、目名按前后顺序写上(论文如没按章节设置，就将三级标题题名按顺序写上，即1、1.1、1.1.1、这三级标题的题名)，并在每一章节目名或三级标题名的右面注上所在页码。
2、论文题目。题目要简短明了，一目了然，体现论文的专业范畴和论文的内容，好的题目是论文成功的`一半。题目的字数一般要求控制在20个字以内。
3、摘要。也称内容提要。摘要应当简明扼要表述出论文的主要内容和特点，文字要精炼简洁，中文摘要300字左右。
4、关键词。关键词是表述论文主题内容信息的单词或术语，关键词数量一般为3—6个。
5、正文。正文是全篇论文的核心和主干部分，是对研究工作的详细表述，一般由标题、文字、图、表格和公式等部分组成。
6、参考文献。参考文献是指作者在写作毕业论文中所参考的主要文献，是毕业论文不可缺少的组成部分。参考文献应附于文末。
7、附录。附录是不宜放在正文中的注释，如：读书笔记、调查阅卷、公式推演、编写程序、原始数据附表等等，放入论文资料袋。
8、致谢(要求独立成页)。致谢通常是用于表达自己对完成论文的感想，表达对在完成论文过程中给自己以直接帮助的人员(指导老师、答辩老师等)的谢意。现在它已是学术论文和学术专著作者的惯例，它体现出一种对自己劳动的总结，对他人劳动的尊重和治学者的风范。
二、毕业论文写作步骤要求
毕业论文的撰写大致分为四个步骤：拟定提纲，写成初稿，修改再稿，定稿打印。
1、拟定提纲。毕业论文的篇幅一般较长，内容较多，动笔写作时应先拟定一个写作提纲。提纲要项目齐全，能初步构成论文的轮廓，规划写作范围和思路。论文提纲要在指导教师的指导下进行，多征求指导教师的意见，并注意多收集资料，开拓思路，多加修改。
2、写成初稿。论文初稿的写作是全篇论文写作过程中最艰苦的工作。初稿的写作首先应当注意思路清晰、论点明确、论据准确充实、论证要合乎逻辑性;其次要注意使内容尽量丰富些，以便于后面的修改;再次应注意广泛征求教师和同学们的意见，吸收更多的东西;最后还应注意在稿纸上留有充分的修改空间，便于修改。
3、修改再稿。初稿写成后，一定要经过反复修改，才能完成一篇成功的论文。许多专家学者的论文都是经过多次修改才发表的，专科生的毕业论文只是刚刚开始步入专业写作的门坎，更要培养精益求精的治学态度。修改的范围是广泛的，在内容上包括修改观点、修改运用材料，在形式上包括修改结构、修改语言等。修改次数可能是多次，不仅仅是再稿，而是三稿四稿。
4、定稿并打印。论文多次修改后，送指导教师最后审核把关，然后就可以定稿并打印。打印规范的具体要求如下：
一律用A4纸打印，上边距为3cm，左边距为3cm，右边距为3cm，下边距3cm，1.5倍行间距;正文页码居中。打印格式为：
(1)、封面。 一律按规定的范例编排。填写时应注意：学号填写完整，例如“971103”，不能填写“3号”或“03“等，专业名称填写 专业的全称，例如“市场营销”，不能填写“营销”等。题目用二号黑体字，其它项目用四号宋体字。
(2)、“目录”二字(四号黑体)，下空二行为章、节、小节及其开始页码，采用小四号宋体。页码放在行末，目录内容和页码之间用虚线连接。
(3)、作者、指导老师均填写在封面上，指导教师一栏应填写教师姓名。
(4)、题目、摘要和关键词。论文(设计)题目为三号黑体字，可以分为1或2行居中打印。论文(设计)题目下空一行打印摘要，[摘要]二字(四号黑体)，[摘要]二字后空一格打印内容(小四号宋体)。摘要内容下空一行打印[关键词]三字(四号黑体)，其后为关键词(小四号宋体)每两个关键词之间空两格。英文题目、摘要、关键词采用小四号字体，内容采用五号字体。中英文题目、摘要、关键词之后为正文。
(5)、小标题：小标题以四号黑体字居中打印;换行打印论文(设计)正文。
(6)、正文：采用小四号宋体字打印。页尾注释采用五号宋体字。
(7)、图：图题若采用中英文对照时，其英文字体为五号正体，中文字体为五号宋体
引用图应在图题的左上角标出文献来源;图号按章顺序编写。如图中含有几个不同部分应将分图号标注在分图的左上角，并在图题下列出各部分内容，图题放在图下方，用小四号宋体字。
(8)、表格：表格按章顺序编号，如表3-1为第三章第一表。表应有标题，表内必须按规定的符号注明单位。表中文字可根据需要采用小于小四号字体，表题放在表上方，用小四号宋体字。
(9)、公式：公式书写应在文中另起一行，居中书写。公式的编号加圆括号，放在公式右边行末，公式和编号之间不加虚线。公式后应注明编号，该编号按章顺序编排。
(10)、参考文献。“参考文献”四字用四号黑体字，内容用五号宋体字，按论文格式要求打印。
(11)、致谢语三字用四号黑体字，内容为小四号宋体字。
(12)、附录打印格式同毕业论文，即标题用四号黑体字，内容用小四号宋体字。
毕业论文写作结构
导语：毕业论文的写作结构是什么呢?了解论文写作结构，是撰写论文的前提。而论文写作结构包括题目、摘要、正文等方面。下面是我分享的论文写作结构，欢迎阅读!
1、题目： 应简洁、明确、有概括性，字数不宜超过20个字。
2、文献综述： 一般不少于1000字。
3、摘要： 要有高度的概括力，语言精练、明确。同时有中、英文对照，中文摘要约300—400汉字;英文摘要约200—300个实词。
4、关键词： 从论文标题或正文中挑选3～5个最能表达主要内容的词作为关键词，同时有中、英文对照，分别附于中、英文摘要后。
5、目录： 写出目录，标明页码。
6、正文：
(1)毕业论文正文：包括前言、本论、结论三个部分。
前言(引言)是论文的开头部分，主要说明论文写作的目的、现实意义、对所研究问题的认识，并提出论文的中心论点等。前言要写得简明扼要，篇幅不要太长。
本论是毕业论文的主体，包括研究内容与方法、实验材料、实验结果与分析(讨论)等。在本部分要运用各方面的研究方法和实验结果，分析问题，论证观点，尽量反映出自己的科研能力和学术水平。
结论是毕业论文的收尾部分，是围绕本论所作的结束语。其基本的要点就是总结全文，加深题意。
(2)毕业设计说明书正文包括前言、本论、结论三个部分。
前言(引言)：说明本设计的目的、意义、范围及应达到的技术要求;简述本课题在国内外的发展概况及存在的问题;本设计的指导思想;阐述本设计应解决的主要问题。
本论：
①设计方案论证：说明设计原理并进行方案选择。说明为什么要选择这个设计方案(包括各种方案的分析、比较);阐述所采用方案的特点(如采用了何种新技术、新措施、提高了什么性能等)。
②计算部分：这部分在设计说明书中应占有相当的比例。要列出各零部件的工作条件、给定的参数、计算公式以及各主要参数计算的详细步骤和计算结果;根据此计算应选用什么原器件或零部件;对应采用计算机的设计还应包括各种软件设计。
③结构设计部分：包括机械结构设计、各种电气控制线路设计及功能电路设计、计算机控制的硬件装置设计等，以及以上各种设计所绘制的图纸。
④样机或试件的各种实验及测试情况：包括实验方法、线路及数据处理等。
⑤方案的校验：说明所设计的系统是否满足各项性能指标的要求，能否达到预期效果。校验的`方法可以是理论验算(即反推算)，包括系统分析;也可以是实验测试及计算机的上机运算等。
结论：概括说明设计的情况和价值，分析其优点和特色、有何创新、性能达到何水平，并应指出其中存在的问题和今后改进的方向。
7、谢辞： 简述自己通过做毕业论文(设计)的体会，并应对指导教师和协助完成论文(设计)的有关人员表示谢意。
8、参考文献： 在毕业论文(设计说明书)末尾要列出在论文(设计)中参考过的专著、论文及其他资料，所列参考文献应按文中参考或引证的先后顺序排列。
9、注释： 在论文(设计说明书)写作过程中，有些问题需要在正文之外加以阐述和说明。
10、附录： 对于一些不宜放在正文中，但有参考价值的内容，可编入附录中。例如，公式的推演、编写的算法、语言程序等。
1.页眉：宋体5号，居中;奇数页按照“第1章 绪论”的形式书写章号和章题目，章号和章题目间需空一格;偶数页毕业设计的学生书写“XXX大学XXX学院本科毕业设计论文”、课程设计的学生书写“XXX大学XXX学院课程设计”、项目制开发的学生书写“XXX大学XXX学院项目制开发”
2.大标题：黑体小3号，居中;段前30磅、段后30磅、行距固定值20磅，章号和章题目间需空一格
3.一级节标题：黑体4号;段前18磅、段后18磅、行距固定值20磅
4.二级节标题：黑体小4号;段前12磅、段后12磅、行距固定值20磅
5.三级节标题：黑体小4号;行距固定值23磅
6.正文部分：中文采用宋体小4号、英文采用Times New Roman小4号;段前6磅，行距固定值20磅，首行缩进2字符;一章结束后必须换页重新写下一章
7.页脚：阿拉伯数字
8.图：
1)图的标码须在图的正下方居中;宋体5号;段前6磅、段后6磅、行距固定值20磅
2)数据来源需写在图的左下方，宋体5号
9.表：
1)表的标码须在图的正上方居中;宋体5号;段前6磅、段后6磅、行距固定值20磅
2)数据来源需写在图的左下方，宋体5号
10.公式：
公式内容居中，公式标码括号括起写在右边行末，公式与括号间不加虚线
非晶硅太阳电池的结构有各种不同，其中有一种较好的结构叫PiN电池，它是在衬底上先沉积一层掺磷的N型非晶硅，再沉积一层未掺杂的i层，然后再沉积一层掺硼的P型非晶硅，最后用电子束蒸发一层减反射膜，并蒸镀银电极。此种制作工艺，可以采用一连串沉积室，在生产中构成连续程序，以实现大批量生产。同时，非晶硅太阳电池很薄，可以制成叠层式，或采用集成电路的方法制造，在一个平面上，用适当的掩模工艺，一次制作多个串联电池，以获得较高的电压。
芯片内部都是半导体材料，大部份都是硅材料，里面的电容，电阻，二极管，三极管都是用半导体做出来的。半导体是介于像铜那样易于电流通过的导体和像橡胶那样的不导通电流的绝缘体之间的物质。 以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。 具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，当时很少有人注意，直到1968年S.R.奥弗申斯基关於用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和莫脱，N.F.建立了非晶态半导体的电子理论，并因而荣获1977年的诺贝尔物理学奖。目前无论在理论方面，还是在应用方面，非晶态半导体的研究正在很快地发展著。 分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。 硫系玻璃。含硫族元素的非晶态半导体。例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷却或汽相沉积。 四面体键非晶态半导体。如非晶Si、Ge、GaAs等，此类材料的非晶态不能用熔体冷却的办法来获得，只能用薄膜淀积的办法(如蒸发、溅射、辉光放电或化学汽相淀积等)，只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件密切相关。图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数 给出了不同制备工艺的非晶硅光吸收系数谱，其中a、b制备工艺是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K和300K，c制备工艺是溅射，d制备工艺为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备工艺密切相关。其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H，有时又称为非晶的硅氢合金；不同工艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。图2 汽相淀积溅射薄膜和熔体急冷成块体AsSeTe的光吸收系数谱 给出了一个典型的实例，用熔体冷却和溅射的办法制备的AsSeTe样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。 非晶态半导体的电子结构 非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带(见固体的能带)。材料的基本能带结构主要取决於原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应於价带；反键态对应於导带。无论是Ge、Si的晶态还是非晶态，基本结合方式是相同的，只是在非晶态中键角和键长有一定程度的畸变，因而它们的基本能带结构是相类似的。然而，非晶态半导体中的电子态与晶态比较也有著本质的区别。晶态半导体的结构是周期有序的，或者说具有平移对称性，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称性相联系的量子数，非晶态半导体不存在有周期性， 不再是好的量子数。晶态半导体中电子的运动是比较自由的，电子运动的平均自由程远大於原子间距；非晶态半导体中结构缺陷的畸变使得电子的平均自由程大大减小，当平均自由程接近原子间距的数量级时，在晶态半导体中建立起来的电子漂移运动的概念就变得没有意义了。非晶态半导体能带边态密度的变化不像晶态那样陡，而是拖有不同程度的带尾(如图3 非晶态半导体的态密度与能量的关系 所示)。非晶态半导体能带中的电子态分为两类：一类称为扩展态，另一类为局域态。处在扩展态的每个电子，为整个固体所共有，可以在固体整个尺度内找到；它在外场中运动类似於晶体中的电子；处在局域态的每个电子基本局限在某一区域，它的状态波函数只能在围绕某一点的一个不大尺度内显著不为零，它们需要靠声子的协助，进行跳跃式导电。在一个能带中，带中心部分为扩展态，带尾部分为局域态，它们之间有一分界处，如图4 非晶态半导体的扩展态、局域态和迁移率边 中的和，这个分界处称为迁移率边。1960年莫脱首先提出了迁移率边的概念。如果把迁移率看成是电子态能量的函数，莫脱认为在分界处和存在有迁移率的突变。局域态中的电子是跳跃式导电的，依靠与点阵振动交换能量，从一个局域态跳到另一个局域态，因而当温度趋向0K时，局域态电子迁移率趋於零。扩展态中电子导电类似於晶体中的电子，当趋於0K时，迁移率趋向有限值。莫脱进一步认为迁移率边对应於电子平均自由程接近於原子间距的情况，并定义这种情况下的电导率为最小金属化电导率。然而，目前围绕著迁移率边和最小金属化电导率仍有争论。 缺陷 非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有著重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有著显著的差别。 非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外层有四个价电子，正常情况应与近邻的四个硅原子形成四个共价键。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周围四个近邻原子不足，而产生一些悬挂键，在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。因为受主态表示悬挂键上有两个电子占据的情况，两个电子间的库仑排斥作用，使得受主能级位置高於施主能级，称为正相关能。因此在一般情况下，悬挂键保持只有一个电子占据的中性状态，在实验中观察到悬挂键上未配对电子的自旋共振。1975年斯皮尔等人利用硅烷辉光放电的方法，首先实现非晶硅的掺杂效应，就是因为用这种办法制备的非晶硅中含有大量的氢，氢与悬挂键结合大大减少了缺陷态的数目。这些缺陷同时是有效的复合中心。为了提高非平衡载流子的寿命，也必须降低缺陷态密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成为目前材料制备中的关键问题之一。 硫系玻璃中缺陷的形式不是简单的悬挂键，而是“换价对”。最初，人们发现硫系玻璃与非晶硅不同，观察不到缺陷态上电子的自旋共振，针对这表面上的反常现象，莫脱等人根据安德森的负相关能的设想，提出了MDS模型。当缺陷态上占据两个电子时，会引起点阵的畸变，若由於畸变降低的能量超过电子间库仑排斥作用能，则表现出有负的相关能，这就意味著受主能级位於施主能级之下。用 D、D、D 分别代表缺陷上不占有、占有一个、占有两个电子的状态，负相关能意味著： 2D —→ D+D 是放热的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配对电子，所以没有电子的自旋共振。不少人对D、D、D缺陷的结构作了分析。以非晶态硒为例，硒有六个价电子，可以形成两个共价键，通常呈链状结构，另外有两个未成键的 p电子称为孤对电子。在链的端点处相当於有一个中性悬挂键，这个悬挂键很可能发生畸变，与邻近的孤对电子成键并放出一个电子(形成D)，放出的电子与另一悬挂键结合成一对孤对电子(形成D)，如图 5 硫系玻璃的换价对 所示。因此又称这种D、D为换价对。由於库仑吸引作用，使得D、D通常是成对地紧密靠在一起，形成紧密换价对。硫系玻璃中成键方式只要有很小变化就可以形成一组紧密换价对，如图6 换价对的自增强效应 所示，它只需很小的能量，有自增强效应，因而这种缺陷的浓度通常是很高的。利用换价对模型可以解释硫属非晶态半导体的光致发光光谱、光致电子自旋共振等一系列实验现象。 应用 非晶态半导体在技术领域中的应用存在著很大的潜力，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由S.R.奥夫辛斯基首创的 As-Te-Ge-Si系玻璃半导体制作的电可改写主读存储器已有商品生产，利用光脉冲使碲微晶薄膜玻璃化这种性质制作的光存储器正在研制之中。对於非晶硅的应用目前研究最多的是太阳能电池。非晶硅比晶体硅制备工艺简单，易於做成大面积，非晶硅对於太阳光的吸收效率高，器件只需大约1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一种廉价的太阳能电池，现已受到能源专家的重视。最近已有人试验把非晶硅场效应晶体管用於液晶显示和集成电路。
分类: 资源共享 问题描述: 我要写一篇课程结课文章，题目是“非晶态半导体的电学性质”，谁能提供点资料啊？！ 解析: 以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。 具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，当时很少有人注意，直到1968年S.R.奥弗申斯基关于用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和莫脱，N.F.建立了非晶态半导体的电子理论，并因而荣获1977年的诺贝尔物理学奖。目前无论在理论方面，还是在应用方面，非晶态半导体的研究正在很快地发展着。 分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。 硫系玻璃。含硫族元素的非晶态半导体。例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷却或汽相沉积。 四面体键非晶态半导体。如非晶Si、Ge、GaAs等，此类材料的非晶态不能用熔体冷却的办法来获得，只能用薄膜淀积的办法(如蒸发、溅射、辉光放电或化学汽相淀积等)，只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件密切相关。图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数 给出了不同制备工艺的非晶硅光吸收系数谱，其中a、b制备工艺是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K和300K，c制备工艺是溅射，d制备工艺为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备工艺密切相关。其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H，有时又称为非晶的硅氢合金；不同工艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。图2 汽相淀积溅射薄膜和熔体急冷成块体AsSeTe的光吸收系数谱 给出了一个典型的实例，用熔体冷却和溅射的办法制备的AsSeTe样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。 非晶态半导体的电子结构 非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带(见固体的能带)。材料的基本能带结构主要取决于原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应于价带；反键态对应于导带。无论是Ge、Si的晶态还是非晶态，基本结合方式是相同的，只是在非晶态中键角和键长有一定程度的畸变，因而它们的基本能带结构是相类似的。然而，非晶态半导体中的电子态与晶态比较也有着本质的区别。晶态半导体的结构是周期有序的，或者说具有平移对称性，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称性相联系的量子数，非晶态半导体不存在有周期性， 不再是好的量子数。晶态半导体中电子的运动是比较自由的，电子运动的平均自由程远大于原子间距；非晶态半导体中结构缺陷的畸变使得电子的平均自由程大大减小，当平均自由程接近原子间距的数量级时，在晶态半导体中建立起来的电子漂移运动的概念就变得没有意义了。非晶态半导体能带边态密度的变化不像晶态那样陡，而是拖有不同程度的带尾(如图3 非晶态半导体的态密度与能量的关系 所示)。非晶态半导体能带中的电子态分为两类：一类称为扩展态，另一类为局域态。处在扩展态的每个电子，为整个固体所共有，可以在固体整个尺度内找到；它在外场中运动类似于晶体中的电子；处在局域态的每个电子基本局限在某一区域，它的状态波函数只能在围绕某一点的一个不大尺度内显著不为零，它们需要靠声子的协助，进行跳跃式导电。在一个能带中，带中心部分为扩展态，带尾部分为局域态，它们之间有一分界处，如图4 非晶态半导体的扩展态、局域态和迁移率边 中的和，这个分界处称为迁移率边。1960年莫脱首先提出了迁移率边的概念。如果把迁移率看成是电子态能量的函数，莫脱认为在分界处和存在有迁移率的突变。局域态中的电子是跳跃式导电的，依靠与点阵振动交换能量，从一个局域态跳到另一个局域态，因而当温度趋向0K时，局域态电子迁移率趋于零。扩展态中电子导电类似于晶体中的电子，当趋于0K时，迁移率趋向有限值。莫脱进一步认为迁移率边对应于电子平均自由程接近于原子间距的情况，并定义这种情况下的电导率为最小金属化电导率。然而，目前围绕著迁移率边和最小金属化电导率仍有争论。 缺陷 非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有着重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有着显著的差别。 非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外层有四个价电子，正常情况应与近邻的四个硅原子形成四个共价键。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周围四个近邻原子不足，而产生一些悬挂键，在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。因为受主态表示悬挂键上有两个电子占据的情况，两个电子间的库仑排斥作用，使得受主能级位置高于施主能级，称为正相关能。因此在一般情况下，悬挂键保持只有一个电子占据的中性状态，在实验中观察到悬挂键上未配对电子的自旋共振。1975年斯皮尔等人利用硅烷辉光放电的方法，首先实现非晶硅的掺杂效应，就是因为用这种办法制备的非晶硅中含有大量的氢，氢与悬挂键结合大大减少了缺陷态的数目。这些缺陷同时是有效的复合中心。为了提高非平衡载流子的寿命，也必须降低缺陷态密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成为目前材料制备中的关键问题之一。 硫系玻璃中缺陷的形式不是简单的悬挂键，而是“换价对”。最初，人们发现硫系玻璃与非晶硅不同，观察不到缺陷态上电子的自旋共振，针对这表面上的反常现象，莫脱等人根据安德森的负相关能的设想，提出了MDS模型。当缺陷态上占据两个电子时，会引起点阵的畸变，若由于畸变降低的能量超过电子间库仑排斥作用能，则表现出有负的相关能，这就意味着受主能级位于施主能级之下。用 D、D、D 分别代表缺陷上不占有、占有一个、占有两个电子的状态，负相关能意味着： 2D —→ D+D 是放热的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配对电子，所以没有电子的自旋共振。不少人对D、D、D缺陷的结构作了分析。以非晶态硒为例，硒有六个价电子，可以形成两个共价键，通常呈链状结构，另外有两个未成键的 p电子称为孤对电子。在链的端点处相当于有一个中性悬挂键，这个悬挂键很可能发生畸变，与邻近的孤对电子成键并放出一个电子(形成D)，放出的电子与另一悬挂键结合成一对孤对电子(形成D)，如图 5 硫系玻璃的换价对 所示。因此又称这种D、D为换价对。由于库仑吸引作用，使得D、D通常是成对地紧密靠在一起，形成紧密换价对。硫系玻璃中成键方式只要有很小变化就可以形成一组紧密换价对，如图6 换价对的自增强效应 所示，它只需很小的能量，有自增强效应，因而这种缺陷的浓度通常是很高的。利用换价对模型可以解释硫属非晶态半导体的光致发光光谱、光致电子自旋共振等一系列实验现象。 应用 非晶态半导体在技术领域中的应用存在着很大的潜力，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由S.R.奥夫辛斯基首创的 As-Te-Ge-Si系玻璃半导体制作的电可改写主读存储器已有商品生产，利用光脉冲使碲微晶薄膜玻璃化这种性质制作的光存储器正在研制之中。对于非晶硅的应用目前研究最多的是太阳能电池。非晶硅比晶体硅制备工艺简单，易于做成大面积，非晶硅对于太阳光的吸收效率高，器件只需大约1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一种廉价的太阳能电池，现已受到能源专家的重视。最近已有人试验把非晶硅场效应晶体管用于液晶显示和集成电路。
可以插图片的，一般要注明图片的出处，对插图的大小也有要求
一般情况下图片不像图表，图片的内容是可以通过文字描述出来的，既然你是艺术系的，就描述一下典型的图片吧，提一下看的人马上就知道是什么作品~如果你实在需要那个图片，还是问问你导师吧~
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可以插些图片，但是需要注意的是需要严格按照学校方面的要求来制作，写论文的话，其实校方肯定是会有规定论文的规格是怎么样的，要按照要求来。
毕业论文（graduation study），按一门课程计，是普通中等专业学校、高等专科学校、本科院校、高等教育自学考试本科及研究生学历专业教育学业的最后一个环节，为对本专业学生集中进行科学研究训练而要求学生在毕业前总结性独立作业、撰写的论文。
要求
写毕业论文主要目的是培养学生综合运用所学知识和技能，理论联系实际，独立分析，解决实际问题的能力，使学生得到从事本专业工作和进行相关的基本训练。
毕业论文应反映出作者能够准确地掌握所学的专业基础知识，基本学会综合运用所学知识进行科学研究的方法，对所研究的题目有一定的心得体会，论文题目的范围不宜过宽，一般选择本学科某一重要问题的一个侧面。
法兰盘的机械加工工艺分析与铣夹具设计 论文摘要 I第一章 机械加工工艺与机床夹具概论 11.1 机械加工工艺过程概述 11.1.1 生产过程和工艺过程 11.1.2 机械加工工艺过程的组成 11.1.3安装与工位 21.2 机床夹具及其功用 21.2.1机械夹具的概念 21.2.2 机床夹具的组成 31.2.3 机床夹具的分类 41.3 工件的定位 41.3.1 工件定位的基本原理 41.3.2 常用定位元件及选用 51.4 定位误差分析 71.4.1定位误差产生的原因 7第二章 法兰盘零件机械加工工艺设计 92.1 法兰盘的工艺分析 92.2 法兰盘的工艺规程设计 102.2.1确定毛坯的制造形式 102.2.2基面的选择 102.2.3制定工艺路线 102.2.4机械加工余量，工序尺寸及毛坯尺寸的确定 122.2.5铣削加工用量及工时定额计算 13第三章 法兰盘铣削加工专用夹具设计 183.1 铣床夹具概述 183.1.1直线进给铣床夹具 183.1.2圆周进给铣床夹具 193.1.3靠模铣床夹具 193.2 法兰盘铣削加工定位方案设计 193.2.1定位方案设计 193.2.2定位方案比较分析 213.3 法兰盘铣削加工夹紧机构设计 213.3.1 夹紧装置的组成与基本要求 213.3.2 夹紧力的方向与作用点 223.3.3 法兰盘铣削加工夹紧机构设计 22第四章 论文总结 24参考文献 25
有什么具体要求没，如果需要可以找我!
这是学术歪风. 应该坚决抵制.
机电一体化毕业论文：发展“机电一体化”的思路和对策是一篇关于机电一体化 机电一体化毕业论文 的文章，本文是由范文中国责任编辑邢枫为您精心挑选，希望本文能帮助到您，感谢本文作者主题词：机电一体化、对策一、机电一体化技术发展历程及其趋势 自电子技术一问世,电子技术与机械技术的结合就开始了,只是出现了半导体集成电路,尤其是出现了以微处理器为代表的大规模集成电路以后,"机电一体化"技术之后有了明显进展,引起了人们的广泛注意. (一)"机电一体化"的发展历程 1.数控机床的问世,写下了"机电一体化"历史的第一页; 2.微电子技术为"机电一体化''带来勃勃生机; 3.可编程序控制器、"电力电子"等的发展为"机电一体化"提供了坚强基础; 4.激光技术、模糊技术、信息技术等新技术使"机电一体化"跃上新台阶.(二)"机电一体化"发展趋势 1.光机电一体化.一般的机电一体化系统是由传感系统、能源系统、信息处理系统、机械结构等部件组成的.因此,引进光学技术,实现光学技术的先天优点是能有效地改进机电一体化系统的传感系统、能源(动力)系统和信息处理系统.光机电一体化是机电产品发展的重要趋势. 2.自律分配系统化--柔性化.未来的机电一体化产品,控制和执行系统有足够的"冗余度"，有较强的"柔性"，能较好地应付突发事件，被设计成"自律分配系统"。在自律分配系统中，各个子系统是相互独立工作的，子系统为总系统服务，同时具有本身的"自律性"，可根据不同的环境条件作出不同反应。其特点是子系统可产生本身的信息并附加所给信息，在总的前提下，具体"行动"是可以改变的。这样，既明显地增加了系统的适应能力(柔性)，又不因某一子系统的故障而影响整个系统。 3.全息系统化--智能化。今后的机电一体化产品"全息"特征越来越明显，智能化水平越来越高。这主要收益于模糊技术、信息技术(尤其是软件及芯片技术)的发展。除此之外，其系统的层次结构，也变简单的"从上到下"的形势而为复杂的、有较多冗余度的双向联系。 4."生物一软件"化-仿生物系统化。今后的机电一体化装置对信息的依赖性很大，并且往往在结构上是处于"静态"时不稳定，但在动态(工作)时却是稳定的。这有点类似于活的生物：当控制系统(大脑)停止工作时，生物便"死亡"，而当控制系统(大脑)工作时，生物就很有活力。仿生学研究领域中已发现的一些生物体优良的机构可为机电一体化产品提供新型机体，但如何使这些新型机体具有活的"生命"还有待于深入研究。这一研究领域称为"生物--软件"或"生物系统"，而生物的特点是硬 件(肌体)--软件(大脑)一体，不可分割。看来，机电一体化产品虽然有向生物系统化发展趋，但有一段漫长的道路要走。 5.微型机电化--微型化。目前，利用半导体器件制造过程中的蚀刻技术，在实验室中已制造出亚微米级的机械元件。当将这一成果用于实际产品时，就没有必要区分机械部分和控制器了。届时机械和电子完全可以"融合"，机体、执行机构、传感器、CPU等可集成在一起，体积很小，并组成一种自律元件。这种微型机械学是机电一体化的重要发展方向。
可以，但需要和文章内容直接相关
可以插些图片，但是需要注意的是需要严格按照学校方面的要求来制作，写论文的话，其实校方肯定是会有规定论文的规格是怎么样的，要按照要求来。
毕业论文（graduation study），按一门课程计，是普通中等专业学校、高等专科学校、本科院校、高等教育自学考试本科及研究生学历专业教育学业的最后一个环节，为对本专业学生集中进行科学研究训练而要求学生在毕业前总结性独立作业、撰写的论文。
要求
写毕业论文主要目的是培养学生综合运用所学知识和技能，理论联系实际，独立分析，解决实际问题的能力，使学生得到从事本专业工作和进行相关的基本训练。
毕业论文应反映出作者能够准确地掌握所学的专业基础知识，基本学会综合运用所学知识进行科学研究的方法，对所研究的题目有一定的心得体会，论文题目的范围不宜过宽，一般选择本学科某一重要问题的一个侧面。
完全可以，但是必须做出必要的处理，如果网上直接粘贴的，需要处理的，例如autocad重新描绘或者photoshop处理一些要素。图表都可以插
可以。但需要注意，一是图片必须是论文内容所必需的，缺了图片论文内容就是不完整的。二是图片必须符合论文规范。