一个月左右。毕业答辩以后，要将毕业人员上报、审核、制作、盖章等流程，差不多是需要一个月时间的。一个月左右发证，一般答辩时间是六月份，证和证发放时间是7月初。
武汉理工大学工商管理在职研究生参加1月联考的，可以获得学位证书和学历双证书。工商管理硕士（MBA）双证班招生对象：国民教育序列大专毕业后工作满5年；或本科毕业工作满3年；或研究生毕业满2年。联考时间：每年1月份。联考科目：英语、综合能力（语文、数学、逻辑）。学制：2年。授予学位条件：（1）修满学分；（2）通过联考；（3）完成学位论文并通过答辩。证书：（1）国家承认的MBA毕业证书；（2）国家承认的MBA学位证书。费用：（1）课程学费42000元，申请学位时再交加修课程学习费和论文指导费34000；（2）报名费300元；考研政策不清晰？在职申硕有困惑？院校专业不好选？点击底部官网，有专业老师为你答疑解惑，211/985名校研究生硕士开放网申报名中。
武汉理工大学是教育部直属重点大学，是国家"211"工程重点建设高校。武汉理工大学管理学院始建于1964年，现拥有10个硕士点，6个博士点，1个博士后流动站，办有MBA留学生班（已接收来自世界20多个国家的MBA留学生）。中国成人教育协会南方教育中心是武汉理工大学管理学院授权的深圳办学点，现面向社会招收MBA在职研究生学历学位班。武汉理工大学MBA研究方向：金融管理、人力资源管理、物流管理、技术管理、商业管理等。课程设置：1、基础MBA课程（5门）2、核心MBA课程（7门）3、MBA选修课程和公选课程模块：人力资源管理MBA、项目管理MBA、营销管理MBA、物流管理MBA、金融管理MBA。办学形式与证书：工商管理硕士（MBA）研究生班（MBA双证班）招生对象：大专毕业后工作满5年；或本科毕业工作满3年；或研究生毕业满2年。学制：2年半 - 3年。证书：（1）国家承认的MBA毕业证书；（2）国家承认的MBA学位证书。费用：（1）课程学费38000元，申请学位时再交加修课程学习费和论文指导费30000；（2）报名费300元；授课方式：非全日制学习，每月集中面授1～2次（双休日）。授课老师均为武汉理工大学选派的教授。历年分数线2018年：总分165分，英语42分，综合84分。2017年：总分170分，英语42分，综合84分。 2016年：总分165分，英语39分，综合78分。
硕士研究生论文答辩详解
研究生在答辩的过程中，要思路清晰，前后过渡自然，先讲串联词，再翻幻灯片。
5.使用伏笔
巧妙运用伏笔，使报告结构严密、紧凑，可勾起专家和师生的好奇心。例如：“关于这个问题，我们要在后面一章进行详细介绍”，设计问题陷阱，引起大家的密切关注。
6.声音响亮
答辩过程中要声音响亮，语气肯定，使在场的所有人都能听得到。
同时可以增强胆量，使自己更富激情、富于感染力。
7.语速适中
研究生在进行论文答辩时说话速度往往越来越快，以致答辩专家和其他师生听不清楚，影响了毕业答辩成绩。故答辩者一定要注意在答辩过程中的话语速度，要有急有缓，有轻有重。
8.目光移动
论文答辩时应注意使目光时常瞟向答辩专家及会场上的老师和同学们，用目光与听众进行心灵交流，使听众对你的论题产生兴趣，使大家的思路跟着你的思路走。
9.体态辅助
论文答辩虽然以口语为主，但适当的体态辅助会使答辩效果更好。手势语言是体态语言的主要部分，恰当运用会显得自信、有力。
10.时间控制
硕士学位论文答辩时间一般在20~30分钟，博士学位论文答辩时间一般在40~50分钟，但应按每个单位具体的时间规定而定。对论文答辩要有时间控制，宁少勿多。这样，显得有准备，容易给答辩专家一个良好的印象。
11.人称使用
在学位论文答辩过程中必然涉及到人称使用问题，建议尽量多用第一人称“我”、“我们”，能用“我”时不用“我们”，这样会给专家们一个好的印象——答辩人确实做了不少工作!
四、回答提问时要注意的问题
研究生宣讲完学位论文后就要进入答辩提问环节，为了提高回答的质量和效果，研究生在进行论文答辩前就需要思考以下一些方面的问题：
(1)对选题意义的提问；
(2)对重要观点及概念的提问；
(3)对论文创新点的提问；
(4)对论文细节的提问；
(5)对论文数据来源的提问；
(6)对论文薄弱环节的提问；
(7)对自己所做具体工作的提问；
(8)对与课题相关的扩展性问题的提问。
针对以上问题，为了取得良好的答辩效果，在回答时需要注意以下几个细节：
1.听问题一定要注意力集中，没听清时要再问一遍，以免答非所问、把本来能回答的问题答错。
2.不要急于回答，要经过思考后再作回答，这样可使回答更有条理、更加深入和全面。
3.要认真领会专家的题意，针对问题的核心回答，宁少勿多。语言要简练，不要含混不清、模棱两可，不要过多地使用“大概”、“可能”、“也许”等词语。
4.有些问题不会回答是正常的，不一定影响评语。有时候专家看答辩者论文做的好，可能会问几个难度较大的问题，看答辩者是否有所考虑并与之进行深入交流，所以答辩者答不上来也是可能的，只需如实说明情况即可，不要不懂装懂，以免出现不必要的错误。
5.要尊重答辩专家，不要过分争辩。当自己的观点与答辩专家的观点相左时，既要尊重答辩专家，又要让答辩专家接受自己的观点，就得学会运用各种辩论的技巧，而不要过分争辩。
五、其它事项
1.要有自信心。克服紧张、不安、焦躁的情绪，想信自己一定可以顺利通过答辩。自卑的心理会使答辩大失水准，甚至由于胆怯而不能正常表达自己的想法，无法体现真实的能力和水平。
2.要有饱满的热情。要面带微笑、充分调动自己的积极性，把最佳的精神状态展示给大家。
3.要讲文明礼貌。开始时要向专家和同学们问好，答辩结束时要道谢，体现出良好的修养。无论是听答辩专家提问题，还是回答问题都要做到礼貌应对。
4.要注意仪态和风度。答辩者要仪容整洁、举止大方。如果能在最初的一、两分种内以良好的仪态和风度体现出良好的形象，就有了一个好的开端。
成功的答辩是自信和技巧的结合，扎实的专业知识和细致答辩准备工作是成功的前提。使用一些答辩技巧可以充分展示整理研究材料、展示研究成果的能力，让别人知道自己所做的工作。要想取得良好的效果，就必须对答辩的目的、答辩报告的内容、答辩报告技巧、可能遇到的提问及解决方法进行深入剖析。做好这些工作，答辩者就一定会获得优异的成绩、顺利通过学位论文答辩。
1.担任硕士学位论文的答辩秘书应具备什么条件?
答：担任硕士学位论文答辩秘书必须具备以下两个条件：
、本校工作人员或在册研究生。
、具有相同或相近专业的学术背景。硕士学位论文的答辩秘书可以是本院系具备专业背景的教职工、博士研究生或高年级硕士研究生。
2.硕士学位论文评阅和答辩的表格必须从网上下载吗?请问具体下载路径?
答：是。2019年7月毕业研究生论文答辩的相关表格必须从网上下载(表格上带有二维码标识)。具体下载路径如下：登陆本人校内门户à在导航栏中选择“学生业务”à “学位信息”à填写、打印表格。研究生本人登陆个人门户提交论文信息后即可获得“论文信息号”，请务必记录该信息号并告知答辩秘书。答辩秘书登录本人的校内门户后通过“论文信息号”可以通过管理系统录入、打印与答辩相关的表格。
3.“答辩记录”应记录那些内容?
答：应重点记录答辩委员会成员提出的问题，以及答辩人回答的内容；此外还要填写答辩时间、地点、到会人数等。以上内容均由答辩秘书记录、整理并亲笔签名，要求完整、详实、简练。
4.论文送同行专家评阅前，是否一定要导师评阅通过?
答：是的。学位论文完成后，首先提交给指导教师评阅，导师评阅通过后写出详细的学术评语，再送同行专家评阅。
5.硕士学位论文评阅人要具备什么资格?
答：硕士学位论文评阅人应是同行专家且具有副高或副高以上职称。
6. 硕士学位论文需要几位评阅人?
答：硕士学位论文评阅专家不少于2人，其中至少有一位校外专家。
7. 论文评阅有一人持否定意见，是否还可以另外增加评阅人?
答：若送审的两名评阅人的评语都是否定的，不能举行论文答辩；两位评阅人中有一位的评审意见是否定的，可再增加一位评阅人，若新增评阅人的评审意见是否定的，不能举行论文答辩。如果持否定意见的是校外专家，则新增的评阅人仍然需要是校外专家。
8.答辩委员会需要多少人，导师可以是答辩委员会成员吗?
答：硕士学位论文答辩委员会至少由3人组成。指导教师如果参加答辩委员会，答辩委员会应至少4人组成。
9.担任答辩委员会成员、主席分别需要什么条件?导师可以担任主席吗?
答：担任答辩委员会成员应具有副高或副高以上职称，或具有博士学位的'讲师。答辩委员会主席由具有副高或副高以上职称的专家担任。导师不能担任主席。
10.如何确定答辩委员会成员?
答：答辩委员会名单由导师、教研室商定，学位分委会负责人审批。
11.硕士学位论文答辩程序是什么?
答：
⑴主席宣布答辩委员会名单、主持各项议程
⑵.导师介绍该生的学习、科研情况
⑶.答辩人报告论文的主要内容
⑷.委员提问，答辩人答辩
⑸.答辩委员会评议、投票表决(答辩人回避)
⑹.形成答辩决议书
⑺主席宣布表决结果和答辩委员会决议
⑻.各成员在《答辩决议书》上签名
12.导师或论文评阅人在国外，暂时不能亲笔签名，可否使用电子签名?
答：因某种特殊原因如导师或论文评阅人在国外，暂时不能亲笔签名的，可以使用电子签名，事后尽可能补签名。
13.答辩委员会成员因故不能到场，更换成员要注意哪些问题?
答：因某些特殊原因需要临时更换答辩委员会成员的，由导师和教研室商定后，报学位分委会负责人重新审批，并修改管理系统中的数据，重新打印《答辩审批表》。
14. 学位审批材料A、学位审批材料B，在归档时分别存往何处?
答：学位审批材料A(A档)包含的内容较为丰富，存学校档案馆；学位审批材料B(B档)含学籍表、成绩单、导师对论文的评语、答辩报告书、学位审批表等内容，属于人事档案材料，将寄往毕业生就业的人事部门。
15. 学位审批材料中哪些表格需要亲笔签名，可否盖签名章或由他人代签?
答：学位审批材料中选题报告、导师评语、专家评议书、答辩报告书、答辩记录表等均需要相关人员亲笔签名，不可打印姓名、盖签名章或由他人代签。学籍表、成绩单、答辩审批表由教务老师处理。
16. 整理学位审批材料时，如何排列顺序?
答：必须严格按照A/B封面上的目录顺序排序。
17. 论文答辩不通过，是否还有机会重新申请学位?
答：论文答辩不通过者，经答辩委员会表决，全体委员三分之二以上同意，可允许申请人在半年后一年内对修改后的论文，重新申请答辩一次。如重新答辩仍未通过，则不再补行答辩。
18. 重新申请学位的程序如何?
答：在规定的时间内，向学位办提出申请，通过学位办“重新申请答辩资格审查”后，到院系教务老师处办理有关事宜，按正常答辩流程进行，相关表格亦从网上下载。
19. 答辩委员会5人，有3票同意，2票不同意，论文答辩是否通过?
答：此情形下，论文答辩没有通过。答辩委员会全体成员的三分之二以上(含三分之二)同意方为通过。以上情形中，投票同意人数为五分之三，不到三分之二。
20. 答辩表决票上研究生姓名能否不填或投票后再补填?
答：不能。必须在“表决票”上写上研究生姓名之后，再交给答辩委员会投票，避免错投或漏投。
21.涉密论文如何确定，答辩应注意哪些问题?
答：涉密论文是指涉及国家秘密的学位论文。确定涉密论文应在论文开题时提出，填写《涉密论文申请表》，报校保密委员会审查，确定密级和保密期限。涉密论文在印刷、评阅、传递、答辩、提交、保存等方面均要按照校保密办和图书馆的相关规定进行，详情参见《研究生手册》中相关内容。
22. 在答辩或学位分委员会讨论之后，修改了“论文题目”，如何在成绩单中体现出来?
答：通过本院系教务老师修改管理系统中的论文题目，重新打印成绩单。
23. 发现成绩单中学分、成绩或课程名称有错，如何修正?
答：通过本院系教务老师修改管理系统中学分、课程、成绩等相关数据，重新打印成绩单。
24. 归入A档和B档案的成绩单如何区分?
答：归入A档的成绩单上有“学校留存”字样，归入B档案的成绩单没有该字样。
25. “科研统计”表格从系统中打印后，还需要导师签字、盖院系公章吗?
答：需要。“科研统计”表格从系统中打印后，经导师确认签字、加盖院系公章后，存入A档。
26. 答辩秘书的职责有哪些?
答辩秘书的主要职责包括以下几方面：
⑴.协助论文评阅送审
⑵.登陆系统，填写答辩表格，检查核对论文评阅人和答辩委员会成员信息
⑶.做好详细的答辩记录(重点记录委员提问与学生回答的内容)，并整理、录入、打印
⑷.收发表决票、统计表决结果
⑸.协助完成《答辩报告书》，请每位委员签名(一式两份)，
⑹.整理答辩材料：按照A、B档案封面上的目录顺序整理
⑺.处理与论文答辩相关的其他事宜。
27. 毕业、结业、肄业各需要什么条件?
答：毕业：完成培养方案规定的学分和培养环节，论文答辩通过。
结业：完成培养方案规定的学分和培养环节，提交毕业论文，但在导师评阅、同行专家评阅或论文答辩中未获通过。
肄业：在校学习满一学年，完成了一定量的学分。没有完成培养方案规定的学分或者未提交毕业论文者均按肄业处理。
28.结业的学生，是否还有机会重新提交学位申请?
答：“结业”分以下两种情况：其一是所提交的论文因导师评阅未通过或同行专家评阅未通过，这种情况应即时提请学位评定分委员会进行表决，经全体委员半数以上同意，可允许申请人在半年后一年内修改论文，重新申请答辩一次；其二是论文答辩未通过，这种情况应即时提请答辩委员会表决，经全体委员三分之二以上同意，可允许申请人在半年后一年内修改论文，重新申请答辩一次。表决情况需要做好记录，及时报学位办。
29.已经结业的学生重新提交学位申请获得硕士学位后，是否可以将以前的“结业证书”换成“毕业证书”?
答：从2019年开始，研究生结业后重新申请硕士学位，论文答辩通过者，经审查合格后，由学校换发毕业证书。
30.已经“毕业获学位”的毕业生，离校之后被查出学位论文有剽窃、抄袭等违规行为的，已获得的毕业证书和学位证书是否取消?
答：是的。根据《北京大学研究生基本学术规范》中的相关规定：“已结束学业并离校后的研究生，如果在校期间存在严重违反学术规范的行为，一经查实，撤消其当时所获得的相关奖励、毕业证书和学位证书”。学位论文有剽窃、抄袭的行为属于严重违反学术规范的行为，一经查实，取消已获得的毕业证书和学位证书。
答辩一般是学校对硕士论文成绩进行考核、验收的一种形式。研究生答辩的时间一般只有20―30分钟，研究生要对答辩的目的、程序和可能遇到的问题及解决方法进行深入剖析，明确目的、端正态度、树立信心、胸有成竹，通过论文答辩这一环节，把大量工作在短时间里成功地讲出来，提高自己的分析能力、概括能力、应变能力及表达能力。
成功的答辩是自信和技巧的结合，扎实的专业知识和细致周到的答辩准备工作是成功的前提。研究生要答辩成功，必须做好以下几方面工作：
一、制作课件
论文写好后，要在反复阅读、审查自己硕士论文的基础上，着重于引论部分和结束部分，写好供10―15分钟用的答辩报告，并制作成课件。课件的制作做到主题明确，一目了然；精选文字，突出重点，简明扼要；适当美化视觉效果，尽量图文并茂，切忌文字堆砌，更不能把论文中的文字简单复制过来。制作好课件后，自己要卡时间反复练习。答辩前要亲临现场，熟悉现场布置，测试设备(如存放答辩课件的U盘或移动硬盘是否能在答辩使用电脑上正常播放等)。
二、陈述论文
硕士研究生教育重在训练研究生科学的思维、如何进行研究以及如何将研究成果转化为学术论文。硕士研究生的答辩一般考察论文的真实性、研究生对本领域专业知识及相关基础知识的熟悉程度及研究生的研究能力，如立题依据是否充分可行、研究设计是否科学合理、研究步骤是否严密、研究方法是否应用得当、研究结果是否可信并有新意。研究生应从这几方面做好陈述，让别人知道自己都做了什么，自己做得怎么样应届硕士研究生论文答辩需要做好的五件事应届硕士研究生论文答辩需要做好的五件事。
在具体陈述时，要把握好以下几方面：
第一、良好的开场白。开场白是整个论文答辩的正式开始，它可以吸引注意力、建立可信性。答辩开始时要向答辩委员会的各位老师集体问好，体现出对答辩委员会老师的尊重。要谦虚而自信，避免自我表现，洋洋得意，寻求赞赏。力求避免“时间紧，没有好好准备”等自我辩解性话语。
第二、内容简练而清晰应届硕士研究生论文答辩需要做好的五件事文章应届硕士研究生论文答辩需要做好的五件事，要从研究的目的、内容、任务、意义、方法、结果和对自己完成任务的评价等方面进行陈述。具体做到：突出选题的重要性和意义；介绍论文的主要观点与结构安排；强调论文的新意与贡献；说明做了哪些必要的工作。
第三、陈述一般采用课件的方式展示，但不能对着课件念。
第四、把握好时间。力求在5―10分钟内陈述完。
三、记好问题
研究生报告结束后，答辩委员会专家将会提出问题，时间5分钟。评委可能提出的问题一般来源于以下几个方面：
第一、来自课题自身并需要研究生进一步说明的问题，这涉及到选题意义、重要观点及概念、课题新意、课题细节、课题薄弱环节、建议可行性等方面。
第二、论文所涉及的有关基本理论、知识和技能。
第三、论文是否合乎逻辑，书写是否规范，数据来源是否准确，论文提到的重要参考文献是否全面。
第四、不大容易估计到的问题。如和课题完全不相干的问题；似乎相干，但是答辩者根本未做过，答辩委员考察答辩者进一步打算怎么做。
第五、考察研究生综合素质的有关问题。
无论哪方面问题，问题一般是答辩委员的研究方向及其擅长的领域，研究生要对答辩委员的知识背景、研究专长等进行比较全面和详细的了解。
四、自信回答
回答时应做到以下几点：
第一、把要回答的问题进行合并、整理，拟好回答提纲。如当面回答，在脑中做好提纲。
第二、不要紧张，要以必胜的信心，饱满的热情进行回答。
硕士学位论文答辩须知
毕业论文答辩是一种有组织、有准备、有计划、有鉴定的比较正规的审查论文的重要形式。为了搞好毕业论文答辩，在举行答辩会前，校方、答辩委员会、答辩者（撰写毕业论文的作者）三方都要作好充分的准备。以下是我为大家整理的硕士学位论文答辩须知相关内容，仅供参考，希望能够帮助大家。
一、答辩时间：
学校每年组织两次学位论文答辩，分别于每年的2月底~3月中旬、6月中上旬进行。
二、学位论文的撰写：
请参照《华北电力大学硕士学位论文的撰写及打印格式的统一要求》。
三、学位论文的评阅：
论文答辩前一个月，将论文送到已聘请本学科熟悉论文内容的三位高级专业技术职务的专家进行评审。评阅人中至少有一位是学校和学生单位以外的专家。在收到评阅人同意答辩的意见后，方可申请答辩；当评阅人意见不一致时，若两名论文评阅人同意，一名论文评阅人不同意，则由学位评定分委员会决定是否参加学位论文答辩；如两名论文评阅人不同意，则不能答辩，可修改论文后重新申请。
评阅人对论文应进行认真审查，实事求是地写出学术评语，并在收到论文一个月内将评语送交或邮寄到我校研究生培养部门。
四、学位论文答辩委员会的组成：
工程硕士学位论文答辩委员会一般由五人组成。成员中的五分之三应是教授、副教授或相当职称的专家，且至少应有一名是学校和学生单位以外的专家，有3人是硕士生导师。工程硕士的两名导师中只有一名导师可以参加。答辩委员会主席由具有高级职称的专家担任，导师不能担任答辩委员会主席。
答辩委员会设秘书一人，协助组织答辩工作的具体事宜，并担任记录及填写有关表格等。
五、工程硕士学位审批材料的填写及有关说明：
《华北电力大学申请工程硕士学位审批材料》一律用A4纸打印，审批材料中除应由工程硕士生本人填写（一律用钢笔或碳素笔填写，直接打印时签名必须手签）的内容外，其它内容应由有关人员亲自负责填写。审批材料中有关表格的填写说明如下：
1．“工程硕士学位论文答辩申请书”中的的学分必须与工程硕士研究生课程成绩单一致。在学期间发表论文和科研成果一栏中的作者姓名，写前三名作者姓名，如工程硕士本人不在前三名作者中，可只填写本人排在第几名。
“工程硕士学位论文答辩申请书”必须和由管理办公室加盖公章的“工程硕士研究生课程成绩单”一起交到各院系研究生教学秘书审核。如一直未交“工程硕士企业指导教师遴选审批表”的工程硕士生，提交答辩申请时将此表一起提交，否则不予同意申请答辩。
2．审批材料中的出生年、月、日要和身份证一致。
3．“学校指导教师（企业指导教师）对论文的学术评语”和“工程硕士学位论文评阅意见书”正面写不下时可在背面写并签名。
4．“工程硕士学位论文答辩记录”中答辩秘书将各答辩委员提出的问题记载详细。
5．“工程硕士学位论文答辩委员会决议书”必须正反面打印在一张纸上。
6“授予工程硕士学位审批表”一式两份，其中一份存学校档案馆，一份放在工程硕士生的人事档案中。
7．审批材料中除涉及答辩情况的有关内容外，其它材料内容于答辩举行前全部填写完毕，否则学位评定分委员会主席或答辩委员会主席有权推迟答辩。
六、学位论文的答辩：
工程硕士学位论文答辩应公开进行。在论文答辩前两周将论文中文摘要送交每个委员。如有答辩委员会委员临时因病或其它紧急事项不能参加答辩会，答辩会一般应改期进行；如仅有一位缺席者，经学位评定分委员会同意，研究生院（筹）备案，可以另换一位答辩委员。
论文答辩委员会采取无记名投票方式，就是否同论文答辩和建议授予工程硕士学位进行表决。全体成员三分之二及以上同意为通过。决议经答辩委员会主席签字后，报学位评定分委员会。
学位论文答辩结束后，每人将“申请工程硕士学位审批材料”装在一个档案袋中。
答：论文答辩流程一：在职研究生学员必须在论文答辩会举行之前，将经过在职研究生指导老师审定并签署过意见的毕业论文一式五份连同提纲，草稿等交给在职研究生的指导教师，并拟出需要在职研究生论文答辩时提问的问题及答案。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程二：在答辩会上，先让学员用15-20分钟左右的时间概述论文的标题以及选择该论题的原因，较详细地介绍在职研究生论文的主要论点，论据和写作体会。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程三：主答辩老师提问。主答辩老师一般提三个问题，老师提问完后，可以让学生独立准备15-20分钟后，再来当场回答，根据学员回答的具体情况，主答辩老师和其他答辩老师随时可以有适当的插问；还有一种是即问即答的方式，不同专业的老师在答辩时会有不同的要求，会实现通过网络告知同学做好相关准备。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程四，学员逐一回答完所有问题后，答辩委员会会做出简短的评价，之后会让考生在等候室休息或留在答辩的现场，之后会根据论文质量和答辩情况，集体商定通过还是不通过，并拟定成绩和评语。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程五，主答辩老师当面向学员就论文和答辩过程中的情况加以小结，肯定其优点和长处，指出其错误或不足之处，并加以必要的补充和指点，同时当面向学员宣布通过或不通过。以上是武汉理工大学在职研究生论文答辩有哪些流程?相关信息，想了解更多在职研究生问题，可咨询我们的在线老师。考研政策不清晰？在职申硕有困惑？院校专业不好选？点击底部官网，有专业老师为你答疑解惑，211/985名校研究生硕士开放网申报名中。
学硕发一篇中文核心期刊，专硕没有此要求，通过硕士论文答辩
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
呃，如果是没有提交过的论文，那就拿回来改吧，通过学校的查重就行了；如果是提交过了的，那就只能祈祷了。。。。
不同导师处理方式可能不同
2022年11月28日。武汉大学2022年下半年博土论文答辩时间是2022年11月28日，毕业论文答辩是一种有组织、有准备、有计划、有鉴定的比较正规的审查论文的重要形式。
职称论文答辩综合评语
预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，指导教师须填写表格"指导教师对学位论文的学术评语"。 二、将以下武汉理工大学关于硕士学位论文答辩的有关规定1.论文评阅 硕士学位论文除由导师写出详细的评语外，还应在答辩前一个月将论文送出， 论文评阅人应是具有高级职称 研究生学位论文答辩申请书研究生学位论文答辩申请书 申请人_ 论文题目_ 指导教师 (第一导师) (第二导师)学 (自大学填起) 学习或工作单位 职务、职称 获学位情况 在学期间受过何种奖励或处分注 第一指导教师对学位论文的学术评语及对申请人的综合评价 1.对论文的学术评语(论文选中北大学研究生学位论文答辩管理办法(修订版)非学历硕士生的论文应有3位具有副高级及以上专业技术职称的专家评阅(其中1人为本校 如有2名评阅人评语为否定的，则本次申请无效，半年内不能组织答辩。 六、答辩审批手硕士学位(毕业)论文答辩申请流程图至少应有3位副高以上职称的人员参加(含指导教师)。预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，
副高职称论文评语
一、毕业论文评阅成绩的标准
根据有关规定，毕业论文的评阅成绩一般可分为优秀、良好、及格、不及格四档。现将中央党校函授学院对毕业论文的具体标准抄录如下，供参考。
(一)优秀
1.能正确地体现党和国家的有关方针政策，能很好地综合运用所学的理论与本专业的有关知识。
2.能密切联系本系统、本部门、本单位的工作实际。分析问题正确、全面，具有一定深度或有所创见，对实际工作有一定的指导意义。
3.中心突出，论据较充足，结构严谨，层次分明，表达能力较强。
4.材料丰富，数据可靠，能运用科学方法进行加工整理。
(二)良好
1.能正确体现党和国家有关政策，能较好地运用所学理论与专业有关的`知识。
2.能较好地联系工作实际，分析问题比较正确、全面，对指导现实工作有一定的参考作用。
3.中心明确，论据较充足，层次较分明，文句通顺，有较好的表达能力。
4.材料比较丰富，数据基本可靠，能较好地进行加工整理。
(三)及格
1.能正确理解党和国家有关方针与政策，在理论上没有原则性的错误，能基本掌握和运用本专业已学的有关知识。
2.尚能联系工作实际，基本上能表达自己的观点，有一定的分析问题与解决问题能力。但分析问题较肤浅，或只能罗列现象，中心不够突出。
3.有一定的论据，主要数据基本可靠，文句尚通顺。
4.有一定的原始材料，进行了一定程度的加工整理。
(四)不及格
凡有以下条款之一者，应评为不及格。
1.违背党和国家的有关方针、政策，或在理论上有原则性错误，掌握已学有关专业知识很差。
2.文章无中心，层次不清，.逻辑混乱，文句不通。
3.材料零乱不全或主要数据失真，加工整理差。
4.主要内容基本抄袭他人成果。
(五)凡属抄袭他人成果或属他人代写的论文，一经发现查实，即取消评阅、答辩资格。
以上评阅标准，一要严格掌握，不可降低标准，拔高分数;二要因时因地制宜，但在同一时间、同一批学员中，应"一碗水端平"，不可对不同的人采用不同的标准。
二、评语的写法
毕业论文的评语有两种：一是指导导师意见，二是答辩委员会意见。
(一)指导导师意见的写法
指导导师意见，主要是从写作角度对全篇论文作出评价。评价要点是：
1.观点是否正确、鲜明;
2.论据是否充分;
3，分析是否全面;
4.结构是否合理;
5.语句是否通顺;
6.有无现实指导意义。
下面是《对制止中小学乱收费现象的几点思考》一文的评语：
本文能理论联系实际，对当前中小学乱收费现象的表现及其产生原因作了较全面的分析，并提出了制止措施，对实际工作有一定的参考作用。文章结构合理，条理分明，论据较充分，语句通顺。
(二)答辩委员会意见的写法
1.答辩态度如何;
2.思路是否清晰;
3.回答是否准确;
4.语言是否流畅;
5.对原文不足方面有无弥补。
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
新能源汽车专业毕业论文参考文献
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