职称论文答辩综合评语
预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，指导教师须填写表格"指导教师对学位论文的学术评语"。 二、将以下武汉理工大学关于硕士学位论文答辩的有关规定1.论文评阅 硕士学位论文除由导师写出详细的评语外，还应在答辩前一个月将论文送出， 论文评阅人应是具有高级职称 研究生学位论文答辩申请书研究生学位论文答辩申请书 申请人_ 论文题目_ 指导教师 (第一导师) (第二导师)学 (自大学填起) 学习或工作单位 职务、职称 获学位情况 在学期间受过何种奖励或处分注 第一指导教师对学位论文的学术评语及对申请人的综合评价 1.对论文的学术评语(论文选中北大学研究生学位论文答辩管理办法(修订版)非学历硕士生的论文应有3位具有副高级及以上专业技术职称的专家评阅(其中1人为本校 如有2名评阅人评语为否定的，则本次申请无效，半年内不能组织答辩。 六、答辩审批手硕士学位(毕业)论文答辩申请流程图至少应有3位副高以上职称的人员参加(含指导教师)。预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，
副高职称论文评语
一、毕业论文评阅成绩的标准
根据有关规定，毕业论文的评阅成绩一般可分为优秀、良好、及格、不及格四档。现将中央党校函授学院对毕业论文的具体标准抄录如下，供参考。
(一)优秀
1.能正确地体现党和国家的有关方针政策，能很好地综合运用所学的理论与本专业的有关知识。
2.能密切联系本系统、本部门、本单位的工作实际。分析问题正确、全面，具有一定深度或有所创见，对实际工作有一定的指导意义。
3.中心突出，论据较充足，结构严谨，层次分明，表达能力较强。
4.材料丰富，数据可靠，能运用科学方法进行加工整理。
(二)良好
1.能正确体现党和国家有关政策，能较好地运用所学理论与专业有关的`知识。
2.能较好地联系工作实际，分析问题比较正确、全面，对指导现实工作有一定的参考作用。
3.中心明确，论据较充足，层次较分明，文句通顺，有较好的表达能力。
4.材料比较丰富，数据基本可靠，能较好地进行加工整理。
(三)及格
1.能正确理解党和国家有关方针与政策，在理论上没有原则性的错误，能基本掌握和运用本专业已学的有关知识。
2.尚能联系工作实际，基本上能表达自己的观点，有一定的分析问题与解决问题能力。但分析问题较肤浅，或只能罗列现象，中心不够突出。
3.有一定的论据，主要数据基本可靠，文句尚通顺。
4.有一定的原始材料，进行了一定程度的加工整理。
(四)不及格
凡有以下条款之一者，应评为不及格。
1.违背党和国家的有关方针、政策，或在理论上有原则性错误，掌握已学有关专业知识很差。
2.文章无中心，层次不清，.逻辑混乱，文句不通。
3.材料零乱不全或主要数据失真，加工整理差。
4.主要内容基本抄袭他人成果。
(五)凡属抄袭他人成果或属他人代写的论文，一经发现查实，即取消评阅、答辩资格。
以上评阅标准，一要严格掌握，不可降低标准，拔高分数;二要因时因地制宜，但在同一时间、同一批学员中，应"一碗水端平"，不可对不同的人采用不同的标准。
二、评语的写法
毕业论文的评语有两种：一是指导导师意见，二是答辩委员会意见。
(一)指导导师意见的写法
指导导师意见，主要是从写作角度对全篇论文作出评价。评价要点是：
1.观点是否正确、鲜明;
2.论据是否充分;
3，分析是否全面;
4.结构是否合理;
5.语句是否通顺;
6.有无现实指导意义。
下面是《对制止中小学乱收费现象的几点思考》一文的评语：
本文能理论联系实际，对当前中小学乱收费现象的表现及其产生原因作了较全面的分析，并提出了制止措施，对实际工作有一定的参考作用。文章结构合理，条理分明，论据较充分，语句通顺。
(二)答辩委员会意见的写法
1.答辩态度如何;
2.思路是否清晰;
3.回答是否准确;
4.语言是否流畅;
5.对原文不足方面有无弥补。
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
新能源汽车专业毕业论文参考文献
列出论文参考文献的目的是让读者了解论文研究命题的来龙去脉，便于查找，同时也是尊重前人劳动，对自己的工作有准确的定位。因此这里既有技术问题，也有科学道德问题。如下是我为大家收集的新能源汽车专业毕业论文参考文献，欢迎阅读！
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硕士毕业论文格式要求及字数规定
时间稍纵即逝，充满意义的大学生活即将结束，大家都知道毕业前要通过最后的毕业论文，毕业论文是一种有准备、有计划的检验学生学习成果的形式，我们该怎么去写毕业论文呢？下面是我收集整理的硕士毕业论文格式要求及字数规定，欢迎阅读，希望大家能够喜欢。
一篇硕士学位论文的引言，大致包含如下几个部分：
1、问题的提出；
2、选题背景及意义；
3、文献综述；
4、研究方法；
5、论文结构安排。
一般而言，非211、985学校的硕士毕业论文字数在6000—8000左右（工程类需要制图的专业则会超过这个数字），而一些要求较高或者重点学校则要求论文字数在1万左右或以上，总之各个学校在论文字数上的规定都有细微的差异。
一、硕士生毕业论文主要内容
1、题目（宋体，小二，居中）
2、中文摘要（200字以上），关键词；字体：宋体、小四号，字符间距：标准；行距：20磅
3、英文摘要，关键词；
4、目录
5、正文；字体：宋体、小四号，字符间距：标准；行距：20磅
6、参考文献。期刊内容包括：作者、题名，刊名，年，卷（期）：起始页码—结束页码。著作内容包括：作者、编者，文献题名，出版社，出版年份，起止页码。
7、附件：开题报告和检查情况记录表
二、格式要求
1、书写格式要求：填写项目必须用碳素或蓝黑墨水钢笔书写；
2、文稿要求：文字通顺，语言流畅，版面整洁，便于装订。Word文稿A4纸打印。
3、图纸要求：图面整洁，布局合理，线条粗细均匀，圆弧连接光滑，尺寸标准规范，文字注释必须使用工程字书写；
4、曲线图表要求：所有曲线、图表、线路图、流程图、程序框图、示意图等不得简单徒手画，须按国家规范标准或工程要求绘制；
5、公式要求：所有公式不得徒手书写，利用Microsoft公式编辑器或Mathtype编辑。
三、毕业论文份量要求
毕业论文字数一般不少于万字或相当信息量。外文文献阅读量的具体要求，由指导教师量化。
四、毕业论文规范
审查工作由指导教师具体负责，从毕业论文质、量、形式等规范方面对论文答辩资格进行审查。审查合格者方能参加答辩。凡质、量、形式等方面审查不合格者，应责令其返工，直到达到要求为止，否则不准参加毕业答辩。对于在校外进行毕业论文的学生，其论文答辩资格审查回校进行。
五、毕业论文档案应包括以下内容：
1、大学毕业论文（设计）封面（教务处统一印制）；
2、毕业论文，包括题目及目录、开题报告、内容提要、正文及相关图表、参考文献及其他附件等；
3、指导教师、答辩委员会评阅意见、成绩评定表；
4、其他附件。
写作建议
（一）要有信心，树立积极的科研态度
做研究，要有积极和严谨的科研态度，要有耐心、恒心、信心和决心，同时也要保持一颗平常心。2005年全国百篇优秀博士毕业论文获得者、武汉大学年轻的博士生导师王树良教授认为，论文的.写作、发表过程是科学研究深化、完善的过程。对写论文要抱着一种百折不挠的快乐的心情，没有一个真正的学者仅为发表论文才去研究，也没有一个真正的学者会认为发表论文的多少与学术贡献可以等同。但是，每一个真正的学者都会爱惜自己的论文，关心他人对自己论文的评论和引用。发展经济学的奠基人之一、武汉大学张培刚教授总结自己的学术人生，说了一句哲理感言：“认真，但不能太认真，应适时而止；看透，岂能全部看透，须有所作为。”
（二）经常交流，依靠团队的思想
智慧碰撞才能产生火花，交流才能丰富想象。合作是一个科研工作者要学会的最重要的事情之一。硕士同学要多交流，多听专门讲座，多参加学术会议，要依靠学术团队的思想和智慧来激发创新思维。华中农业大学校长邓秀新院士在指导硕士学习时，非常强调“要更多地通过交谈与讨论来激发学生的科学兴趣”。
（三）善于思考，敢于提出自己的观点
毕业论文的关键是要有新的发现，有自己的创新点。创新需要以积极的精神、平和的心态，去寻找与常规不相符合的偏差以及有矛盾和异常的结果。往往正是这些非正常现象后面隐藏着发现的线索，这些线索有可能向流行的思想和传统的解释提出挑战。中国工程院院士傅廷栋教授告诫硕士同学：“学习是创新的基础，思考是创新的灵魂。”武汉大学博士生导师谭x文教授在总结硕士学习的特点时指出：“学习需要艰苦的探索，但更需要聪明的探索。”善于思考，善于总结和归纳，敢于提出新观点，注重细节的分析和发现，对于写出高水平的毕业论文非常重要。
硕士论文格式模板范文
规范的毕业论文写作格式可以加强毕业设计(论文)的管理，提高毕业设计(论文)质量。
1、论文格式的论文题目：(下附署名)要求准确、简练、醒目、新颖。
2、论文格式的目录
目录是论文中主要段落的简表。(短篇论文不必列目录)
3、论文格式的内容提要：
是文章主要内容的摘录，要求短、精、完整。字数少可几十字，多不超过三百字为宜。
4、论文格式的关键词或主题词
关键词是从论文的题名、提要和正文中选取出来的，是对表述论文的中心内容有实质意义的词汇。关键词是用作计算机系统标引论文内容特征的词语，便于信息系统汇集，以供读者检索。每篇论文一般选取3-8个词汇作为关键词，另起一行，排在提要的左下方。
主题词是经过规范化的词，在确定主题词时，要对论文进行主题分析，依照标引和组配规则转换成主题词表中的规范词语。(参见《汉语主题词表》和《世界汉语主题词表》)。
5、论文格式的论文正文：
(1)引言：引言又称前言、序言和导言，用在论文的开头。引言一般要概括地写出作者意图，说明选题的目的和意义, 并指出论文写作的范围。引言要短小精悍、紧扣主题。
(2)论文正文：正文是论文的主体，正文应包括论点、论据、论证过程和结论。主体部分包括以下内容：
a.提出问题-论点;
b.分析问题-论据和论证;
c.解决问题-论证方法与步骤;
d.结论。
6、论文格式的参考文献
一篇论文的参考文献是将论文在研究和写作中可参考或引证的主要文献资料，列于论文的末尾。参考文献应另起一页，标注方式按《GB7714-87文后参考文献著录规则》进行。
中文：标题--作者--出版物信息(版地、版者、版期)
英文：作者--标题--出版物信息
所列参考文献的要求是：
(1)所列参考文献应是正式出版物，以便读者考证。
(2)所列举的参考文献要标明序号、著作或文章的.标题、作者、出版物信息。
一、毕业设计(论文)的基本构成和要求
一篇完整的毕业设计(论文)通常由题目、摘要、关键词、目录、引言(前言)、正文、结论(结束 语)、参考文献等几部分构成。
(一)题目
设计(论文)名称要求概括、简洁、确切。题目中不使用非规范的缩略词、符号、代号和公式，通常不用问话方式。标题的字数应适当，一般不超过 20 字。
(二)摘要
应扼要叙述本设计(论文)研究工作的主要内容、方法、观点和成果，要求文字简练、准确(一般在设计、论文完成后再写)。中文摘要约 300 字左右;外文摘要不超过 250 个实词。
(三)关键词
关键词的个数为 3-8 个。关键词的排序，通常应按研究的对象、性质(问题)和采取的手段排序，而不应任意排列。关键词后面不加冒号，关键词与关键词之间应以分号隔开。
(四)目录
由毕业设计(论文)各部分内容的顺序号、名称和页码组成。用联系名称和页码。
(五)插图和附表清单(必要时)
(六)符号、标志、缩略词、首字母缩写、单位、术语等汇集表(必要时)
(七)引言(前言)
应说明本设计(论文)选题缘由、课题的目的和意义、对本课题国内外研究情况的评述、本课题要研究的主要问题及研究(设计)的思路、方法等等。
(八)正文
设计(论文)的正文是作者对本课题研究内容全面详细的表述，是设计(论文)的核心部分，它占全文的较大篇幅。正文内容要求客观真实，合乎逻辑，层次分明。
(九)结论(结束语)
应对本设计(论文)的研究进行归纳和综合，得出准确、完整、精练的结论。如不可能导出结论，也可以没有结论而进行必要的讨论，指出建议、研究设想、改进意见、待解决的问题等。
(十)参考文献
参考文献是毕业设计(论文)不可缺少的组成部分，它反映毕业设计(论文)的取材来源、材料的广博程度及材料的可行程度。引用参考文献时，应注意写法的规范性。
二、毕业设计(论文)的打印格式与装订要求
(一)毕业设计(论文)的格式及有关要求
1.毕业设计(论文)要求用 A4 纸打印。
2.毕业设计(论文)字数一般为 8，000～10,000 字，考虑我校部分专业特点，毕业设计(论文)字数最少不低于 6000 字。毕业设计(论文)各专业可根据专业要求给出具体字数要求。
3.计量单位以国际单位制(SI)为基础;注释用页末注(即把注文放在加注处一页的下端);公式、图表应按顺序编号，并与正文对应。
4.图纸尺寸按国家标准(规范)，图面整洁、布局合理、线条粗细均匀、圆弧连接光滑、尺寸规范、文字注释用工程字体书写，图表须按各专业有关标准和规范要求绘制，图表应标注名称。
5.注释、参考文献的注引与参考文献格式
①注释：注释是对正文中某一特定内容的诠释和说明，用数字加圆圈标注如①②，置于文后，标注文献类型。中文注释须依次标明序号(外加圆圈)、作者、书名、出版地、出版社、出版年份、页码;外文注释须依次标明序号(外加圆圈)、作者姓、作者名、书名、出版地、出版社、出版年份、页码。
②参考文献的注引：正文中，引用文献资料论述某个观点时，应在所引用段落或句子的右上角，用方括弧进行角注，并用阿拉伯数字注明资料的出处。参考文献置于注释之后，标注文献类型。正文中每应用
一次文献资料，角注时用 1，2，3阿拉伯数字按先后次序分别排序。如：XXXX[1];XXXX[2];。如引用两篇或两篇以上文献资料论述同一个观点时，应在所引用段落或句子的右上角方括弧中用以下方法注明，如：XXXXXX[4，5];XXXXXXXX[6～ 8]。正文中进行角注的数字序号应与文后参考文献中所列出的文献资料相对应。题目、摘要、关键词、目录等处不出现文献的角注。
③参考文献格式：中文参考文献须依次标明序号(外加方括号)、作者、书名、文献类型、出版地、出版社、出版年份;外文参考文献须依次标明序号(外加方括号)、作者姓、作者名、书名、文献类型、出版地、出版社、出版年份。既有中文文献又有外文文献的，请按中文在前、外文在后的顺序分别排列，并以第一作者姓氏的汉语拼音及外文字母为序。
6.毕业设计(论文)正文中的任何部分不得写到文稿纸边框以外，文稿纸不得随意接长或截短。汉字必须使用国家公布的规范字。
①页面设置：上 2cm，下 2cm，左 ，右 2cm;页眉 1cm，页脚 1cm。行距采用固定值 20 磅，标准字符间距。
②题目用小 2 号黑体字、居中;摘要用 3 号黑体字、空两格;摘要内容用小 4 号宋体字。关键词用 3 号黑体字、空两格;关键词内容用小 4 号宋体字，关键词之间用分号间隔。
③目录用小 2 号黑体字、居中;目录内容最少列出第一级标题和第二级标题;前者用 4 号黑体字，后者用 4 号宋体字，第三级标题用 4 号楷体字，居左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码。
④正文用小 4 号宋体字;参考文献用小 4 号黑体字，资料名称用 5 号宋体字;图表字号采用 5号宋体字。
⑤公式应居中书写，公式的编号用圆括号括起放在公式右边行末，公式和编号之间不加虚线。
⑥表格应有自己的表序和表题，表序和表题应写在表格上方正中，表序后空一格书写表题。表格允许下页接写，表题可省略，表头应重复写，并在右上方写续表。表题用 5 号黑体字，表格内容用 5 号
宋体。表格位于正文中引用该表格字段的后面。
⑦插图必须精心制作，不得徒手画，照片图应清晰，线条要匀称，图面要整洁美观。每幅插图应有图序和图题，图序和图题应放在图位下方居中处。图题用 5 号黑体字，图内用 5 号宋体。插图位于正文中引用该插图字段的后面。
(二)毕业设计(论文)的装订要求
毕业设计(论文)单独装订成册。
毕业设计(论文)的内容及装订程序依次为：
1.封面
2.中文摘要、关键词，
3.英文摘要、关键词
4.目录
5.插图和附表清单(必要时)
6.符号、标志、缩略词、首字母缩写、单位、术语等汇集表(必要时)
7. 引言(或前言)、正文、结论
8. 参考文献
9. 附录(必要时)
硕士论文的标准格式
作为一名硕士生，书写论文是一件很正常的事情。下面是我为大家搜集整理出来的有关于硕士论文的标准格式，希望可以帮助到大家！
硕士学位论文的基本要求
（1） 硕士学位论文,应表明作者确已在本学科上掌握了坚实的基础理论和系统的专门知识；并对所研究课题有新的见解，有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。
（2） 学位论文一般应用中文撰写(外国语学院各专业除外)，硕士学位论文文科一般在30000字左右，理工科一般在15000字左右。
硕士学位论文应包含部分
（1） 题目：概括论文重要内容，恰当、简明，严格控制在20字以内。
（2） 摘要：论文第一页为中文摘要（500字左右），应说明本论文的目的、研究方法、成果或结论，要突出论文的创造性成果和新见解。在摘要的最后另起一行，相应注明本文的关键词3至8个。外文摘要另起一页打印。
（3） 目录：论文的提纲，也是论文组成部分的小标题，应将文内的章节标题依次排列，标题应简明扼要。所标页码应与正文一致。
（4） 正文：论文的核心和主体。包括：文献综述、理论分析、观点论证、计算方法、实验原理和方法、结果及数据处理、结论与讨论等。
（5）参考文献：论文中列出的'参考文献需与论文有密切关系，一般要求硕士生30个以上，其中要有一定的外文文献。
硕士学位论文的印制要求
（1） 学位论文封皮使用150克湖兰皮纹纸印刷。
（2） 学位论文用纸规格为16开，Word格式。
（3） 学位论文和摘要用规范的汉字打印(英文选用Times New Roman字体)。
（4） 中文摘要(单独占1页，“摘要”二字为小二号黑体，摘要内容为小四宋体，“关键词”三字为四号黑体，键词内容为四号宋体)；Abstract (单独占用1页)。
（5） 目录(“目录”二字为小二号黑体，一级题目为四号宋体)
（6） 正文(论文题目为2号黑体字，小标题为3号黑体字，正文为小四号宋体字)。
（7） 参考文献(为小四楷体); 致谢(为小四宋体)。
（8） 页面边距要求：上，下，左右2cm，段前：0行，段后：0行，行间距：固定值，20磅。
硕士论文开题报告格式如下：
1、硕士论文开题报告基本内容
(1)课题的来源及选题的依据，着重说明本课题在国内外的研究动态、目前的水平。本课题的目的、意义和开展研究工作的设想，准备在哪些方面取得进展和突破，课题的最终目标以及可能达到的水平。
(2)课题研究拟采用哪些方法和手段。
(3)论证完成课题的实验条件，预计研究过程中可能遇到的困难和问题，以及解决的方法和措施。
(4)论文工作和经费的估计。
(5)论文工作计划(起止时间，分年度的具体实施内容)。
2、硕士论文开题报告格式基本要求
(1) 纸 型：A4纸，单双面打印均可;
(2) 页边距：上 ，下，左3cm、右;
(3) 页 眉：，页脚：2cm，左侧装订;
(4) 字 体：开题报告正文全部宋体、小四;
(5) 行 距：倍行距;段前、段后均为0;
(6) 字 数：不少于5000字。
3、硕士论文开题报告页眉页脚的编排
页眉，宋体，五号，居中。填写内容是“开题报告题目”。
页脚，宋体，五号，居中，正文起始页码为1。
4、硕士论文开题报告目录的编排
标题“目录”：黑体，居中，字号：小三;
目录内容：宋体，小四号;点击鼠标右键，选择更新域自动生成目录。
5、硕士论文开题报告章节标题格式
(1) 每章的章标题选用模板中的样式所定义的“标题1”，居左;或者手动设置成字体：黑体，居左，字号：小三，每章另起一页。章序号为阿拉伯数字。在输入章标题之后，按回车键，即可直接输入每章正文。
(2) 每节的节标题选用模板中的样式所定义的“标题2”，居左;或者手动设置成字体：黑体，居左，字号：四号。
(3) 节中的一级标题选用模板中的样式所定义的“标题3”，居左;或者手动设置成字体：黑体，居左，字号：小四。
6、硕士论文开题报告图表、公式序号的编排
开题报告中的图、表、附注、公式一律采用阿拉伯数字分章编号。具体格式请参见硕(博)士学位论文模板。
7、硕士论文开题报告参考文献相关要求
标题“参考文献”：黑体，居中，字号：小三;
参考文献内容：宋体，字号：小四号;
参考文献按正文中引用顺序排列;
参考文献数量不少于25篇，其中外文参考文献不少于10篇，并且包含一定数量的期刊。
参考文献具体书写格式参见学位论文模板。
8、硕士论文开题报告装订顺序
开题报告封面—开题报告目录—开题报告正文—开题报告参考文献—开题报告记录—开题报告审查
硕士论文的查重范围要低于20％，硕士论文的查重严格。普通高校的硕士论文查重率要低于20％，而重点高校的硕士论文查重率要低于15％，尤其是982/211和优秀专业。
随着论文已成为社会公认的评估方法，论文降重也逐渐总结了很多技巧，这些论文降重技能可以帮助用户更有效地完成论文降重，因此对于研究生用户，有必要了解毕业论文降重技能。而硕士和博士学院内部识别的论文查重检测系统是内部系统，因此论文降重技能也需要学校内部系统。
由于查重系统是根据连续重复的字数来确定论文的重复或剽窃，因此研究生毕业论文降重的关键也是连续重复的内容。研究生可以通过同义词替换关键词来降低论文的重复，而不会改变论文的大意。语言顺序也是研究生可以用来降低论文重复的一个方面。研究生可以通过将主动句转换为被动句等句型来降低重复。
硕士论文查重标准：
一、硕士论文查重标准。每个大学的标准都不一样，不同大学对硕士论文查重率的要求不同。要以学校的要求为标准，一般来说，硕士论文查重率的要求如下:
1.硕士论文重复率不超过5％的，可以直接提交答辩。
2.如果硕士论文重复率在5％-20％之间，需要导师审核。还要确定论文的原创性，判断毕业论文是否存在抄袭等学术不端行为，然后最终根据导师给出的结果进行处理。
3.如果硕士论文重复率在20％-35％之间，需要向导师填写论文查重审批表，申请修改论文，进行查重，符合要求后方可答辩。
4.如果硕士论文重复率在35％以上，就要延期答辩。论文作者必须认真修改论文，经导师审核后填写6个月后论文查重申请表。修改后的论文可以通过查重进行答辩。
二、硕士论文的查重方法。硕士论文查重方法很简单。我们只需要将论文提交到学校指定的查重系统，填写题目和作者，查重系统就会自动检测出来。当然，您也可以找到一个可靠的查重系统来进行初稿检测。目前比较知名的论文查重系统有paperfree、维普、万方等。
硕士毕业论文查重的标准？百分之几算合格？
普通学校对硕士论文查重的要求在5%以下，首次查重在5%以下，内容通过导师审查，可以直接进入答辩。
如果在5%-20%之间，在根据导师意见进行相应的修改和减量的同时，还要检查学生是否有学术上的不良行为，并根据最终论文的检验结果提出具体的处理意见。
论文的查重结果在20%-30%之间的话，初次修正后可以申请复查，复查通过的话可以让导师复查，进行抗辩。如果查重再次不通过，就推迟答辩。
硕士论文查重率在30%以上，应延期答辩。如果仔细修改后提交给导师进行审查和查重，半年后就可以审查和答辩。这对毕业生来说，有比较大的影响，需要很多时间和精力。因此，写论文要认真而高标准。
硕士毕业论文查重原理是什么？
硕士论文要求的重复率非常严格，主要是看学校有什么标准，下面小编为大家讲解下，硕士论文查重的内容主要有哪些。
第一，不管哪篇论文，正文是必须要查的部分，在正文当中，会对一些图表，或者是公式代码等也是要查重复率的，论文查重对于正文文字的重复率判断标准是连续的13个字的重复为依据。
为此，同学们在论文写作的过程中需要注意，不要大篇幅的引用，尽量在一段落中多找些参考文献来引用，不要一个文献中过多的引用，对于一些重要的必须要用到的长段落的文献资料，需要正确的标明脚注;对于刚才提到的图表公式等如果重复率过高，应当应用工具编辑修改一下。
第二，硕士论文查重是根据目录章节进行检测的，虽然目录不在查重范围，当时如果目录格式不正确会导致系统不会按照目录章节进行检测，而是按照论文查重系统程序自动一9千字左右为一段，自动检测，这样的结果会导致重复率过高或者不准确。所以目录格式正确与否对于整篇论文的检测结果影响颇大。
第三，对于参考文献，论文查重是不会计算重复率的，不过前提是文献的格式要正确，若格式错误，脚注，标明错误等，会导致系统将参考文件计算在重复率之内，所以一定要搞清楚参考文献的格式，去正确的书写。
第四，还有一点就是现在硕士论文查重系统会识别中英互译的文章抄袭行为，所以大家要避免这种情况的发生。
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查重率不能高于20%,部分高校要求不能超过10%
1、查重率小于10%-15%，学位论文合格，直接送审或答辩;2、查重率在15%-30%之间，去导师处填写硕士研究生学位论文重新检测申请表，申请进行论文修改，时间不超过两天，再检测合格后可参与答辩;3、查重率大于30%，学位评定小组将结合核心章节的重复率等因素来确定论文学术不端行为的类型和性质，必须认真修改论文并延期半年才能填写重新检测申请表，查重通过后申请答辩，严重的直接取消答辩资格。
武汉轻工大学和长江大学哪个好是要依照个人的观点和角度不同评价，两所学校各有各的特点，下面介绍一下二者的主要对比：
1、师资队伍
武汉轻工大学：
截至2019年4月，学校有在职教职工1400余人，专任教师900余人，其中高级职称教师500余人，具有博士、硕士学位的教师超过专任教师总数的90%。教师队伍中，有国家“万人计划”领军人才、国家百千万人才工程人选、国家有突出贡献中青年专家、享受国务院政府特殊津贴人员；
省高端人才引领培养计划第一层次人选、全国优秀教师、全国农业科研杰出人才、全国优秀工作者、教育部新世纪优秀人才等国家和省部级高端人才和专家名师70人次。
学校聘有国家“高端外专”人选、湖北省“百人计划”和“楚天学者计划”等50余位知名学者，陈焕春院士、印遇龙院士和国家万人计划领军人才马勇、杨金海等专家名师担任学校特聘教授。
长江大学：
截至2020年1月，学校现有教职工3124人，专任教师2247人，外聘教师533人。专任教师中，教授303人，副教授800人；具有博士、硕士学位的教师1877人，其中具有博士学位的教师786人。现有全国优秀教师和湖北名师8人，享受国务院、省政府特殊津贴专家53人；
湖北省有突出贡献专家19人，湖北省新世纪高层次人才工程第一、二层次人选22人，湖北省学科带头人和学术骨干31人；现有博士生导师102名，硕士生导师626人，兼职博士生导师63人，兼职硕士生导师439人；有“双聘院士”7人，“千人计划”特聘专家4人，湖北省百人计划特聘专家10人，“楚天学者”76人。
2、院系专业
武汉轻工大学：
截至2018年5月，学校设有14个教学院（部），举办有国际教育学院和继续教育学院；开办64个本科专业、9个专科专业。
长江大学：
截至2017年3月，长江大学下设26个二级教学学院，现有本科专业98个，其中经济学3个，管理学11个，法学3个，教育学4个，文学5个，历史学1个，艺术学7个，理学16个，工学35个，农学11个，医学2个。
扩展资料：
长江大学教学建设：
截至2016年1月，长江大学有国家级特色专业6个，湖北省品牌专业11个，国家级专业综合改革试点项目1个，省级专业综合改革试点项目6个，湖北省战略性新兴（支柱）产业人才培养计划9个。有国家级精品资源共享课程3门，国家级精品视频公开课程2门；
省级精品课程24门，省级精品资源共享课程10门，省级精品视频公开课程3门。有国家级实验教学示范中心1个，省级实验教学示范中心9个。
参考资料来源：百度百科-长江大学
参考资料来源：百度百科-武汉轻工大学
还不错，我读书那会是二本一的大学！现在不分一本二本了！学校好的专业 有土木工程、 机械工程、食品工程、生物工程！这些专业都是省重点学科，一本招生！其他专业二本！
“不建议上武汉轻工大学”这句话主要是在校生吐槽学校的一些基础设施老旧，还有一些人则认为学校在管理上有些形式化，不懂得变通。
基本上都和学校的办学实力没什么太大关系，所以大家没必要因为这类言论就担心武汉轻工大学不好。相反，武汉轻工大学是不错的本科大学。
学校介绍
学校现有常青和金银湖两个校区，占地面积100万平方米，校舍建筑面积60万平方米；图书馆馆藏纸质文献177万余册，数据库53种，电子图书187万余册。
有教职工近1500人，专任教师1200余人，其中高级职称教师650余人，具有博士、硕士学位的教师超过专任教师总数的90%；全日制在校本科生、研究生20000余人。
以上内容参考 百度百科-武汉轻工大学
是不错的一本大学。
武汉轻工大学（Wuhan Polytechnic University）是全国最早培养粮食行业专门人才的学校，是国家粮食和物资储备局与湖北省人民政府共建高校、湖北省国内一流学科建设高校，南亚东南亚大学联盟高校，入选第一批卓越农林人才教育培养计划。
学科建设
学校坚持以学科建设为龙头，大力实施“特色兴校”战略。聚焦“大食品大营养大健康”领域，形成了以工学为主体，农学和管理学为两翼，工、农、管、理、文、经、医、艺、法等多学科协调发展的格局。现有本科专业70个，其中国家级特色专业4个，国家级、省级一流专业建设点31个，“荆楚卓越人才”协同育人计划项目专业6个。
国家级卓越农林人才教育培养计划改革试点专业3个；有一级学科硕士点13个，二级学科硕士点70个，交叉学科硕士点3个，硕士专业学位授权点11个类别（16个领域），其中 “国内一流学科”1个，湖北省优势特色学科群4个，“农业科学”进入ESI全球排名前1%。
学校拥有国家级、省（部）级科技创新平台55个，其中国家级平台2个、省（部）级重点实验室4个。学校被列为2019年度湖北省博士后创新实践基地。
以上内容参考：武汉轻工大学——学校简介
答：论文答辩流程一：在职研究生学员必须在论文答辩会举行之前，将经过在职研究生指导老师审定并签署过意见的毕业论文一式五份连同提纲，草稿等交给在职研究生的指导教师，并拟出需要在职研究生论文答辩时提问的问题及答案。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程二：在答辩会上，先让学员用15-20分钟左右的时间概述论文的标题以及选择该论题的原因，较详细地介绍在职研究生论文的主要论点，论据和写作体会。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程三：主答辩老师提问。主答辩老师一般提三个问题，老师提问完后，可以让学生独立准备15-20分钟后，再来当场回答，根据学员回答的具体情况，主答辩老师和其他答辩老师随时可以有适当的插问；还有一种是即问即答的方式，不同专业的老师在答辩时会有不同的要求，会实现通过网络告知同学做好相关准备。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程四，学员逐一回答完所有问题后，答辩委员会会做出简短的评价，之后会让考生在等候室休息或留在答辩的现场，之后会根据论文质量和答辩情况，集体商定通过还是不通过，并拟定成绩和评语。武汉理工大学在职研究生论文答辩流程五，主答辩老师当面向学员就论文和答辩过程中的情况加以小结，肯定其优点和长处，指出其错误或不足之处，并加以必要的补充和指点，同时当面向学员宣布通过或不通过。以上是武汉理工大学在职研究生论文答辩有哪些流程?相关信息，想了解更多在职研究生问题，可咨询我们的在线老师。考研政策不清晰？在职申硕有困惑？院校专业不好选？点击底部官网，有专业老师为你答疑解惑，211/985名校研究生硕士开放网申报名中。
学硕发一篇中文核心期刊，专硕没有此要求，通过硕士论文答辩
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用