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碳化硅是一种高性能的无机半导体材料，具有化学性质稳定、导电导热性能良好、耐高温和酸碱腐蚀的特点，已经广泛用于特种陶瓷、研磨材料以及微电子等领域。由于工业碳化硅比表面积很低（不到1m2/g），难以有效分散催化活性组分，在工业催化领域的应用还是空白。
高比表面积碳化硅的及在氨反应的应用.郑勇.【摘要】：碳化硅(SiC)具有热稳定性高、导热性能好及机械强度高的特点，在陶瓷、金属复合材料、半导体材料及耐磨材料中有着用广泛的应用。.而高比表面积的碳化硅在催化领域中被认为是一种很有前景...
高比表面积碳化硅的及其在CO氧化反应中的应用,碳化硅,高比表面积,CO氧化反应,铂催化剂。碳化硅(SiC)具有热稳定性高、导热性能好及机械强度高的特点,在陶瓷、金属复合材料、半导体材料及耐磨材料中…
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不同碳硅比对高比表面积碳化硅的影响邡建英等73不同碳硅比对高比表面积碳化硅的影响郝建英23,王英勇,童希立,新国强,郭向云11中国科学院山西煤炭化学研究所,煤转化国家重点实验室,太原030001;2中国科学院研究生院,北京10009
综上所述，这些特点都使高比表面积碳化硅成为各类催化剂载体的优选材料。目前，碳化硅作为载第一章研究背景以选题意义体已经应用于一些重要的化学反应中，如：汽车尾气的净化[42-44]：Marc[45]在碳化硅上负载NiS反应生成单质S，并在水的循环作用下保持了NiS单质，效果突出[46-47]。
该综述总结了碳化硅材料从低表面积发展成为多孔、高比表面积催化剂载体材料的历史，系统介绍了多孔碳化硅材料在一些重要的能源催化与环境治理应用中的进展，特别是利用碳化硅材料优异的导热性和化学稳定性，在催化氧化（例如催化燃烧、催化氧化
碳化硅：新的催化剂载体材料.从2001年开始，我们组开始致力于高比表面积碳化硅及其在多相催化中的应用，已经能通过溶胶-凝胶过程出比表面积大于100平方米每克的多孔碳化硅。.由于这种碳化硅比较难，所以一定要为它找一个对催化剂要求比较...
这种高比表面积的粉体在加热过程中，吸热极快，使得PVT炉内碳化硅气体浓度远超普通粉体加热后浓度。高浓度环境下，极大的加快了晶体的结晶速度，目前特制粉体的实验速度可以达到普通粉体长晶速度的5倍，而且由于粉体纯度高，因此晶体品质极佳。
碳化硅是一种高性能的无机半导体材料，具有化学性质稳定、导电导热性能良好、耐高温和酸碱腐蚀的特点，已经广泛用于特种陶瓷、研磨材料以及微电子等领域。由于工业碳化硅比表面积很低（不到1m2/g），难以有效分散催化活性组分，在工业催化领域的应用还是空白。
为获得高比表面积碳化硅,然而大比表面积碳化硅的研究逐渐受到人们重人们通常会选择有机硅化合物作为硅源,视,常见的方法有介孔材料模板法...
本报告将介绍高比表面积SiC的和性质,以及Pd/SiC催化剂在硝基苯加氢和苯甲腈加氢反应中的应用.SiC耐酸碱腐蚀,在催化过程中不发生结构和性质的变化,回收简单,可重复利用.另...
第十二届全国青年催化学术会议论文集(K.18)高比表面积碳化硅的与催化应用郭向云+(中国科学院山西煤炭化学研究所,煤转化国家重点实验室,山西,太原,030001...
由于莫特-肖特基效应,SiC导带电子会向金属转移,使金属组分富电子化,在一些催化加氢反应中表现出独特的活性和选择性。另外,由于SiC的禁带宽度只有2.4eV,可以吸收可见光,光照...
2012年10月高比表面积碳化硅制各及光解水性能研究摘要摘要碳化硅(SiC)纳米材料具有良好的机械强度、化学稳定性、抗热震性等优点,在陶瓷基、金属基及聚合物基...
本研究以蔗糖为碳源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,草酸为TEOS水解的催化剂,硝酸镍为碳热还原反应催化剂,采用溶胶凝胶法碳化硅前驱体,在惰性气氛中对前驱体进行碳热还原来...
龙源期刊网qikan高比表面积碳化硅实现连续化生产作者:来源:《科学导报》2018年第30期科学导报讯记者耿倩5月4日,记者从山西省科...
关键词:高比表面积碳化硅催化作者:郭向云作者单位:中国科学院山西煤炭化学研究所,煤转化国家重点实验室,山西太原030001母体文献:第十三届全国青年催化学术会议论文集...
高比表面积介孔碳化硅的与表征.pdf,F.偎化新材料与纳米技术1005高比表面积介孔碳化硅的与表征靳国强郭向云(中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国...
并将的高比表面积碳化硅作为催化剂载体负载上Pt,应用于CO氧化反应中。为催化剂新载体的研究提供理论依据。论文主要分为以下六个部分:第一章文献综述本章阐...