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研究硅和锗的电子结构。研究硅和锗的电子结构：可以揭示半导体材料的性质，为硅和锗的应用提供理论指导，研究硅和锗的局域密度泛函理论：通过对硅和锗的局域密度泛函理论的研究，可以提出更加准确的性质模型。硅和锗是一种半导体材料，具有重要的应用价值，第一性原理计算是研究半导体材料性质的基础理论，因此，硅和锗的第一性原理论文具有重要的研究价值。
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第一作者：Pin-Chun Shen, Cong Su, Yuxuan Lin, Ang-Sheng Chou
通讯作者：Pin-Chun Shen, Lain-Jong Li，Jing Kong
通讯单位： 麻省理工学院(MIT)，台湾积体电路制造公司(TSMC)
先进的超越硅电子技术既需要通道材料，也需要发现超低电阻接触。原子薄的二维半导体具有实现高性能电子器件的巨大潜力。但是，到目前为止，由于金属引起的间隙态(MIGS)，金属-半导体界面处的能垒(从根本上导致高接触电阻和较差的电流传输能力)限制了二维半导体晶体管。最近， 麻省理工学院(MIT)Pin-Chun Shen和Jing Kong，台湾积体电路制造公司(TSMC)Lain-Jong Li 等人 在国际知名期刊 “Nature” 发表题为 “Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors” 的研究论文。他们报道了半金属铋与半导体单层过渡金属硫化合物(TMDs)之间的欧姆接触，其中MIGS被充分抑制，TMD中的简并态与铋接触形成。通过这种方法，他们在单层MoS2上实现了零肖特基势垒高度，接触电阻为123欧姆微米，通态电流密度为1135微安/微米。就他们所知，这两个值分别是尚未记录的最低和最高值。他们还证明了可以在包括MoS2、WS2和WSe2在内的各种单层半导体上形成出色的欧姆接触。他们报道的接触电阻是对二维半导体的实质性改进，并接近量子极限。这项技术揭示了与最新的三维半导体相媲美的高性能单层晶体管的潜力，从而可以进一步缩小器件尺寸并扩展摩尔定律。
图1：半金属-半导体接触的间隙态饱和的概念
原文链接：
（1） （2）N ；B（3）GaCl 3 +NH 3 =GaN+3HCl（4）共价键 原子（5）①sp 2 4 ② （1
Candy00321 3人参与回答 2023-12-07 返回英国房价高
太阳西边出 4人参与回答 2023-12-07 下面都是材料学的刊物,很多哟。序号 杂志全名 中译名1 NATURE 自然2 SCIENCE 科学3 SURFACE SCIENCE REPORTS 表面科学报
吃逛吃逛2333 7人参与回答 2023-12-10 AAU3D打印很高兴为您解答本科的时候接触过一段时间微生物燃料电池，给一点个人建议，仅供参考，可能很多表述不够专业，请见谅关键词：半导体、微生物、光催化意思大概
whiskey456 3人参与回答 2023-12-11 超导体与半导体的相似之处如下： 当某些条件满足时，可以充当导体。 超导体与半导体的区别如下： 一丶物理性质 1．半导体的电阻比超导体的电阻大。 2．超导体是在一
可爱多VS神话 7人参与回答 2023-12-11 