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悠悠思忞
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近期,科学家获量子领域研究重大突破:首次实现按需读出量子比特,并将量子态保持超过5秒。

量子技术为许多技术应用带来了希望,比如建立防御黑客的通信网络,又例如能够加速发明新药的量子计算机。量子计算机运行的是能够存储量子信息的量子比特。

但科学家仍致力于研究如何轻松读取量子比特中保存的信息,以及增加量子信息的保存时间(即量子比特的相干时间,通常限于微秒或毫秒内)。

美国能源部阿贡国家实验室和芝加哥大学研究人员在此类研究中取得两项重大突破:他们实现了按需读出量子比特,将量子态保持超过5秒,创下了最新世界纪录。此外,研究人员的量子比特由廉价且常用的碳化硅材料制成,这种材料可广泛应用于灯泡、电动 汽车 和高压电子设备中。相关成果近期发表在《科学进展》(Science Advances)上。

“增强一万倍的信号”

研究人员的第一个突破是使碳化硅的量子比特更容易读取。

每台计算机都需要一种方法来读取被编码成比特的信息。对于半导体量子比特,典型的读出方法是用激光寻址量子比特,并测量反射回来的光。但这个过程需要非常有效地检测光子。

研究人员使用精心设计的激光脉冲,根据量子比特的初始量子状态(0或1),将单个电子添加到其量子比特中,然后用激光读取量子比特。

研究人员称,反射的光反映了电子是否存在,信号强度几乎增强了一万倍。论文第一作者、芝加哥大学研究生Elena Glen表示,“通过将脆弱的量子态转化成稳定的电子电荷,我们可以更容易地进行状态测量。通过信号增强,每次检查量子比特处于什么状态时,都能获得一个可靠的答案。这种类型的测量被称为‘单次读出’。有了它,我们可以解锁很多有用的量子技术。”

借助单次读出方法,科学家们还能使量子态尽可能持久,而以往,量子比特很容易因为环境噪声而丢失信息。

研究人员为此培养了高度纯化的碳化硅样品,以减少干扰其量子比特功能的背景噪声。然后通过对量子比特施加一系列微波脉冲,延长量子比特保存信息的时间。延长量子比特相干时间有重要的作用,例如未来量子计算机能处理非常复杂的操作,或者量子传感器能检测到极其微小的信号。

“这些脉冲通过快速翻转量子态,将量子比特与噪声源和误差解耦,”论文共同第一作者Chris Anderson说,“每一次脉冲就像是在量子比特上按下了撤销按钮,消除了脉冲之间可能发生的任何错误。”

“量子态保持超5秒”

研究人员表示,目前量子态保持超过5秒的纪录,意味着在量子态被打乱之前可以执行超过1亿个量子操作。

“在这样的时间尺度上保存量子信息非常罕见。”项目首席研究员、阿贡国家实验室高级科学家David Awschalom说,“5秒钟的时间足以将光速信号发送到月球并返回。即使在绕地球近40圈后,这种光仍能正确反映量子比特的状态,这为制造分布式量子互联网铺平了道路。”

研究人员认为,此次研究将碳化硅带到了量子通信平台的最前沿。由于碳化硅廉价且常用,很容易用于多种设备中,因此碳化硅材料有助于扩大量子网络规模。

科学家们还看到了这项研究的多种潜在应用。

“单次读出的能力开启了一个新的机遇:利用碳化硅量子比特发射的光来帮助开发未来的量子互联网,”Glen说,“像量子纠缠这样的基本操作,一个量子态可以通过读取另一个量子态来了解,现在已经在碳化硅系统中实现了。”

研究人员基本完成了一个转换器,可以将量子态转换到电子领域。“我们希望创造对单个电子敏感的新一代器件,同时也容纳量子态。碳化硅能够做到这两点,这就是我们为什么认为它具有前途。”Anderson表示。

研究人员认为,通过创建一个可在普通电子设备中制造的量子比特系统,未来有望利用可扩展且具有成本效益的技术,为量子领域的创新开辟一条新途径。

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林小贱灬

智通 财经 APP获悉,浙商证券发布研究报告指出,受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临。Yole预计2026年SiC功率器件市场规模将达45亿美元,2020-2026年CAGR为36%。SiC衬底的市场空间方面,预计2025年新能源车加光伏逆变器市场需求达261亿元,2021-2025年CAGR达到79%。目前国内外差距在逐步缩小,国产替代可期。目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军;国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑 科技 等)以小尺寸为主、向6英寸进军。浙商证券重点推荐晶盛机电()。 1)高压、高功率应用场景下性能优越,适用于600V以上高压场景。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,尺寸减小至原来1/10,导通电阻降低至原来1/100,总能损耗降低70%,能源转换效率提高。下游应用新能源车、充电桩、光伏、风电、轨道交通等领域。 2)受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临。Yole预计2026年SiC功率器件市场规模将达45亿美元,2020-2026年CAGR=36%。新能源 汽车 是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动,应用端:解决续航痛点。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本。客户端:特斯拉等车企相继布局。目前特斯拉仅使用在主逆变器上、未来有进一步应用提升空间。 3)性价比是决定SiC器件大批量使用的关键,衬底制备为碳化硅性价比提升的核心。在碳化硅器件的成本占比当中:衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心、也是技术壁垒最高环节,是未来SiC降本、大规模产业化推进的核心关键。 SiC衬底:新能源车+光伏需求潜力巨大;国内外差距逐步缩小、国产替代可期 1)市场空间:预计2025年新能源车+光伏逆变器市场需求达261亿元,2021-2025年CAGR=79%。新能源车:目前单特斯拉Model 3/Y一年需求量就能消耗全球SiC晶圆绝大产能。我们测算如2025年SiC在新能源车渗透率达60%,预计6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。光伏逆变器:“大组件、大逆变器、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,碳化硅功率器件有望成为标配。我们假设2025年碳化硅渗透率提升至50%,对应SiC衬底市场达30亿元。行业核心瓶颈在于供给端不足。 2)竞争格局:国内外差距在逐步缩小,国产替代可期。目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑 科技 等)以小尺寸为主、向6英寸进军。但可观测到,国内外差距正在缩小、且整体差距小于传统硅基半导体。国内外差距已从过去的10-15年(4英寸)、缩小至5-10年以内(6英寸)。预计未来向8英寸进军过程中,差距是、有望进一步缩小。 3)生产工艺:较硅基半导体难度大幅增加;长晶环节是关键。碳化硅衬底属于技术密集型行业。核心难点在于:长晶工艺复杂(只有4H型等少数几种是所需的晶型),生长速度慢(每小时仅能生长,较传统晶硅慢近百倍以上),产出良率低(硬度与金刚石接近,切磨抛难度大)。“产学研用”为国内碳化硅衬底发展的重要推进动力。国内高校和科研单位主要包括中科院物理所、山东大学、上海硅酸盐所等。 4)行业趋势:降本是产业化核心,向大尺寸延伸。目前6英寸SiC衬底价格在1000美金/片,数倍于传统硅基半导体。未来降本方式包括:提升材料使用率(大尺寸化,由4英寸向6英寸、8英寸延伸)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟长晶工艺)。 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒 主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具一定相通性、但工艺难度更高。碳化硅衬底第三方设备厂商较少,企业更多为设备+制造一体化布局为主,便于将核心工艺机密掌握自己手里。设备+工艺联合研发、形成互哺是关键。 投资建议 风险提示:研发进度不及预期风险;国际贸易争端加剧风险。

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