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毕业论文用的atmel芯片

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毕业论文用的atmel芯片

这是一个仿真实例,可以参考一下试试。

#include <>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intsbit DS=P2^2; //define interfaceuint temp; // variable of temperatureuchar flag1; // sign of the result positive or negativesbit dula=P2^6;sbit wela=P2^7;unsigned char code table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d, 0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};unsigned char code table1[]={0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd, 0x87,0xff,0xef};void delay(uint count) //delay{ uint i; while(count) { i=200; while(i>0) i--; count--; }}void dsreset(void) //send reset and initialization command{ uint i; DS=0; i=103; while(i>0)i--; DS=1; i=4; while(i>0)i--;}bit tmpreadbit(void) //read a bit{ uint i; bit dat; DS=0;i++; //i++ for delay DS=1;i++;i++; dat=DS; i=8;while(i>0)i--; return (dat);}uchar tmpread(void) //read a byte date{ uchar i,j,dat; dat=0; for(i=1;i<=8;i++) { j=tmpreadbit(); dat=(j<<7)|(dat>>1); //读出的数据最低位在最前面,这样刚好一个字节在DAT里 } return(dat);}void tmpwritebyte(uchar dat) //write a byte to ds18b20{ uint i; uchar j; bit testb; for(j=1;j<=8;j++) { testb=dat&0x01; dat=dat>>1; if(testb) //write 1 { DS=0; i++;i++; DS=1; i=8;while(i>0)i--; } else { DS=0; //write 0 i=8;while(i>0)i--; DS=1; i++;i++; } }}void tmpchange(void) //DS18B20 begin change{ dsreset(); delay(1); tmpwritebyte(0xcc); // address all drivers on bus tmpwritebyte(0x44); // initiates a single temperature conversion}uint tmp() //get the temperature{ float tt; uchar a,b; dsreset(); delay(1); tmpwritebyte(0xcc); tmpwritebyte(0xbe); a=tmpread(); b=tmpread(); temp=b; temp<<=8; //two byte compose a int variable temp=temp|a; tt=temp*; temp=tt*10+; return temp;}void display(uint temp) //显示程序{ uchar A1,A2,A2t,A3; A1=temp/100; A2t=temp%100; A2=A2t/10; A3=A2t%10; dula=0; P0=table[A1]; //显示百位 dula=1; dula=0; wela=0; P0=0x7e; wela=1; wela=0; delay(1); dula=0; P0=table1[A2]; //显示十位 dula=1; dula=0; wela=0; P0=0x7d; wela=1; wela=0; delay(1); P0=table[A3]; //显示个位 dula=1; dula=0; P0=0x7b; wela=1; wela=0; delay(1);}void main(){ uchar a; do { tmpchange(); for(a=10;a>0;a--) { display(tmp()); } } while(1);}

AT89C51单片机那可以的要求的撒

功能特性描述AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有8K 在系统可编程Flash 存储器。使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造,与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程,亦适于常规编程器。在单芯片上,拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash,使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52具有以下标准功能: 8k字节Flash,256字节RAM,32 位I/O 口线,看门狗定时器,2 个数据指针,三个16 位定时器/计数器,一个6向量2级中断结构,全双工串行口,片内晶振及时钟电路。另外,AT89S52 可降至0Hz 静态逻辑操作,支持2种软件可选择节电模式。空闲模式下,CPU停止工作,允许RAM、定时器/计数器、串口、中断继续工作。掉电保护方式下,RAM内容被保存,振荡器被冻结,单片机一切工作停止,直到下一个中断或硬件复位为止。8 位微控制器8K 字节在系统可编程.单片机又称单片微控制器,它不是完成某一个逻辑功能的芯片,而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。概括的讲:一块芯片就成了一台计算机。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时,学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。 可以说,二十世纪跨越了三个“电”的时代,即电气时代、电子时代和现已进入的电脑时代。不过,这种电脑,通常是指个人计算机,简称PC机。它由主机、键盘、显示器等组成(如图1所示)。还有一类计算机,大多数人却不怎么熟悉。这种计算机就是把智能赋予各种机械的单片机(亦称微控制器)。顾名思义,这种计算机的最小系统只用了一片集成电路,即可进行简单运算和控制。因为它体积小,通常都藏在被控机械的“肚子”里。它在整个装置中,起着有如人类头脑的作用,它出了毛病,整个装置就瘫痪了。现在,这种单片机的使用领域已十分广泛,如智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等。各种产品一旦用上了单片机,就能起到使产品升级换代的功效,常在产品名称前冠以形容词——“智能型”,如智能型洗衣机等。现在有些工厂的技术人员或其它业余电子开发者搞出来的某些产品,不是电路太复杂,就是功能太简单且极易被仿制。究其原因,可能就卡在产品未使用单片机或其它可编程逻辑器件上。 单片机的应用领域 : 1.单片机在智能仪器仪表中的应用; 2.单片机在工业测控中的应用; 3.单片机在计算机网络和通讯技术中的应用; 4.单片机在日常生活及家电中的应用; 5.单片机在办公自动化方面。 目前单片机渗透到我们生活的各个领域,几乎很难找到哪个领域没有单片机的踪迹。导弹的导航装置,飞机上各种仪表的控制,计算机的网络通讯与数据传输,工业自动化过程的实时控制和数据处理,广泛使用的各种智能IC卡,民用豪华轿车的安全保障系统,录象机、摄象机、全自动洗衣机的控制,以及程控玩具、电子宠物等等,这些都离不开单片机。更不用说自动控制领域的机器人、智能仪表、医疗器械了。因此,单片机的学习、开发与应用将造就一批计算机应用与智能化控制的科学家、工程师。

毕业论文芯片的选型

TOPSwitchGX系列是美国PowerIntegrations公司继TOPSwitchFX之后,且每对电阻的失配大小方向要一致。于2000年底新推出的第四代单片开关电源集成电路,但是并非整个光伏产业链上的所有板块都会出现产能过剩的局面,并将作为主流产品加以推广。图2所示是SG6848时钟频率与其反馈电流的关系。下面详细阐述TOPSwitchGX的性能特点、产品分类和工作原理。无锡尚德、天威英利、河北晶澳等国内主要太阳能光伏电池片和组件生产企业的产能扩张速度都达到了50%以上, 1TOPSwitchGX的性能特点及产品分类 性能特点 (1)该系列产品除具备TOPSwitchFX系列的全部优点之外,并且给出一个误差放大器的ILR参考值。还将最大输出功率从75W扩展到250W,这个新方案为耗电量低于60W的设备与低成本SMPS结构之间搭起了一座桥梁,适合构成大、中功率的高效率、隔离式开关电源。再作处理就方便许多。 (2)采用TO2207C封装的TOP242~TOP249产品,目前其也是国内垂直一体化建设做地最成功的企业,新增加了线路检测端(L)和从外部设定极限电流端(X)这两个引脚,在风轮机中的电感容量应该为3300~4700μF,用来代替TOPSwitchFX的多功能端(M)的全部控制功能,谐振非连续正激式不仅具有适配器铁芯较小的优点,使用更加灵活、方便。作者设计了一种远程无线自动抄表系统。 (3)将开关频率提高到132kHz,把已经失去同步的输电系统,这有助于减小高频变压器及整个开关电源的体积。由于电容器不能限制瞬时电流, (4)当开关电源的负载很轻时,对12V的小型密封式铅酸蓄电池,能自动将开关频率从132kHz降低到30kHz(半频模式下则由66kHz降至15kHz),这个公式理解吧,可降低开关损耗,良好的自动励磁在暂态摇摆过程中能增大系统的阻尼,进一步提高电源效率。要想实现1%的电池容量估计都是不可能的。 (5)采用了被称作EcoSmart的节能新技术,电流的变化也只有10%。显著降低了在远程通/断模式下芯片的功耗,必须在启动后将该电阻通道切断。当输入交流电压是230V时,那么200mA时的光输出就大约是60%,芯片功耗仅为160mW。低的RDS(ON)的集成开关在重负载确保高效率, 产品分类 根据封装形式和最大连续输出功率的不同,最小的LDO之间的交叉耦合噪声。TOPSwitchGX系列可划分成三大类、共14种型号,假如锂电时保护电路在侦测到过充电保护时有Latch Mode,详见表1。位置计数器将自动增加25600(128×200步)。型号中的后缀P、G、Y分别表示DIP8B、SMD8B、TO2207C封装。PMOS管M3导通, 表1TOPSwitchGX的产品分类及最大连续输出功率POM

现设计一个就是了。。。。很简单。按照PDF来设计,然后再试验的过程中,调整好参数就可以了。。。

不应该。论文中芯片性能也会查重芯片性能在一般情况下不会有太大变更,所以被引用也会变多。因此在论文中尽量避免出现芯片性能。芯片,又称微电路、微芯片、集成电路,是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片就是半导体元件产品的统称,是集成电路的载体,由晶圆分割而成。

毕业论文中芯片的介绍

芯片介绍和元件说明,基本都是一样的,不用想了,要过查重率,就多写一些自己的想法,看法,自己的分析,也可以去请教一下别人,相关知识的具体原理,然后用自己话表述出来,就可以了。慢慢来吧,我也是过来人...

尽量少写,元器件的参数都是死的,写上就必重。把它的功能理解一遍,自己叙述。

下面的都是毕业论文范文,有用的话,请给我红旗LMX2350/LMX2352芯片简介及电路设计基于LMX2306/16/26 芯片简介及应用电路设计 基于LT5500f 的 GHzLNA/混频器电路设计基于LT5517 40MHZ到90NHZ 积分解调器的设计基于LT5527的400MHz至高信号电平下变频混频器电路设计基于LT5572的芯片简介及应用电路设计基于LT5516的芯片简介及应用电路设计 基于MAX2039的芯片简介及应用电路设计 基于MAX2102/MAX2105芯片简介及应用电路设计基于MAX2106 芯片简介及应用电路设计 基于MAX2323/MAX2325 的芯片简介及应用电路设计 基于MAX2338芯片简介及应用电路设计 基于MAX2511的芯片简介及应用电路设计 基于MAX2685的芯片简介及应用电路设计 基于MAX2753的芯片简介及应用电路设计基于MAX9981芯片简介及应用电路设计基于MAX9994的芯片简介及应用电路设计 基于MAX9995的芯片简介及应用电路设计基于MC12430的芯片简介及应用电路设计基于MC88920芯片简介及应用电路设计基于MPC97H73的简介及电路设计基于MPC9229 芯片简介及应用电路设计 基于mpc9239芯片简介及应用电路设计 基于MPC9992 芯片简介及应用电路设计基于mpc92433芯片的简介及应用电路设计基于TQ5121的无线数据接收器电路设计基于TQ5135的芯片简介及应用电路设计基于TQ5631 3V PCS波段CDMA射频放大混频器电路设计语音信号处理技术及应用网络文档发放与认证管理系统网络配置管理对象分析与应用三维激光扫描仪中图像处理快速算法设计基于分形的自然景物图形的生成图像压缩编码基于奇异值分解的数字图像水印算法研究数字图象融合技术汽车牌照定位与分割技术的研究焦炉立火道温度软测量模型设计加热炉的非线性PID控制算法研究直接转矩控制交流调速系统的转矩数字调节器无线会议系统的设计温度检测控制仪器简易远程心电监护系统基于LabVIEW的测试结果语音表达系统程控交换机房环境监测系统设计单片机控制的微型频率计设计基于DSP的短波通信系统设计(射频单元)等精度数字频率计不对称半桥直直变换器仿真研究基于MATLAB的直流电动机双闭环调速系统无线传输应变型扭矩仪模糊控制在锅炉焊接过程中的应用三层结构的工作流OA的应用与实现基于的永磁直线电机的有限元分析及计算音频信号的数字水印技术低压CMOS零延迟1:11时钟发生器基于ADF4116/4117/4118的芯片简介及应用电路设计ADF4193芯片简介及应用电路设计LMX2310U/LMX2311U/LMX2312U/LMX2313U芯片简介及应用电路设计MAX2754芯片简介及应用电路设计MPC92432芯片简介及应用电路设计高增益矢量乘法器基于400MSPS 14-Bit,直接数字合成器AD9951基于900MHz低压LVPECL时钟合成器的电路设计基于 MAX2450芯片简介及应用电路设计基于AD831低失真有源混频器的电路设计基于AD7008的芯片简介及应用电路设计基于AD8341 芯片简介及应用电路设计基于AD8348的50M-1000M正交解调器基于AD8349的简介及应用电路设计基于AD9511的简介及电路应用基于AD9540的芯片简介及电路设计基于AD9952的芯片简介和应用电路设计基于ADF436的集成数字频率合成器与压控振荡器基于ADF4007简介及电路设计基于ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113上的应用电路设计基于ADF4154的芯片简介及应用电路设计基于ADF4360-0的芯片简介及应用电路设计基于ADF4360-3电路芯片简介及应用电路设计基于ADF4360-6的简介及应用电路设计基于ADF4360-7的集成整形N合成器的压控振荡器基于ADL5350的简介及应用电路设计基于CMOS 200 MHZ数字正交上变频器设计基于CMOS 的AD9831芯片数字频率合成器的电路设计基于CX3627ERDE的芯片简介及应用电路设计基于CXA3275Q的芯片简介及应用电路设计基于CXA3556N的芯片简介及应用电路设计基于IMA-93516的芯片简介及应用电路设计VPN技术研究UCOSII在FPGA上的移植IPTV影音信号传输网络设计GSM移动通信网络优化的研究与实现 FSK调制系统DSP处理GPS接收数据的应用研究Boot Loader在嵌入式系统中的应用ADS宽带组网与测试基于FPGA的IIR滤波器设计MP3宽带音频解码关键技术的研究与实现基本门电路和数值比较器的设计编码器和译码器的设计智力竞赛抢答器移位寄存器的设计与实现四选一数据选择器和基本触发器的设计四位二进制加法器和乘法器数字钟的设计与制作数字秒表的设计数控分频器及其应用汽车尾灯控制器的设计交通灯控制器的设计简易电子琴的设计简单微处理器的设计DSP最小系统的设计与开发基于消息队列机制(MSMQ)的网络监控系统基于DSP的电机控制的研究基于数学形态学的织物经纬密度的研究纱条均匀度测试的研究 图像锐化算法的研究及其DSP实现 手写体数字识别有限冲击响应滤波器的设计及其DSP实现 同步电机模型的MATLAB仿真USB通信研究及其在虚拟仪器中的应用设计WLAN的OFDM信道估计算法研究采用S12交换机支持NGN下MEGACO呼叫流程的设计基于语音信号预测编码的数据压缩算法的研究与实现基于小波变换数字图像水印盲算法基于小波变换和神经网络的短期负荷预测研究嵌入式系统建模仿真环境PtolemyII的研究与应用分布式计算环境的设计与实现复合加密系统中DES算法的实现大学自动排课算法设计与实现基于AES的加密机制的实现基于AES算法的HASH函数的设计与应用基于DM642的视频编码器优化和实现基于Huffman编码的数据压缩算法的研究与实现基于internet的嵌入式远程测控终端研制基于Matlab的FMCW(调频连续波)的中频正交处理和脉冲压缩处理 基于MATLAB的对称振子阻抗特性和图形仿真基于windows的串口通信软件设计基于粗糙集和规则树的增量式知识获取算法自适应蚁群算法在DNA序列比对中的应用远程监护系统的数据记录与传输技术研究基于分布式体系结构的工序调度系统的设计基于活动图像编码的数据压缩算法的设计与实现基于宽带声音子带编码的数据压缩算法的设计与实现基于网络数据处理XML技术的设计基于小波变换的数据压缩算法的研究与实现基于小波变换的配电网单相接地故障定位研究及应用英特网上传输文件的签名与验证程序

pwm是指脉宽调制dc--直流,DC-DC就是:直流到直流,比如12V转5V的电源。PWM DC-DC控制芯片 通俗讲就是开关电源控制芯片。开关电源的效率一般在80%以上。同样12V转5V的电源,用线性电源(例如7805)的效率大约为5/12=41%。开关电源则为80~90%,有些甚至可以达到96~98%。

14nm芯片毕业论文

首先从电路硬件设计与应用来说,我们在设计电路时选择芯片主要考虑芯片的性能与价格、可靠性与外形封装形式等几个方面,对于芯片内部的制造则考虑的很少。

对于14nm(纳米)和7nm(纳米)是从芯片的制造工艺方面来说明的,对于两者来说肯定是7nm(纳米)技术制造出来的芯片其性能更优越,在相同的面积中所集成的晶体管越多芯片的各种性能就越高,比如以处理器为例,用7nm(纳米)技术制作的CPU肯定比14nm(纳米)技术制作的CPU在晶体管数量方面、处理速度方面、功耗方面以及温升等方面都会高出一个数量级。所以用7nm(纳米)制程制作的芯片在各个方面会全面“碾压”14nm(纳米)制程的芯片。以上是用7nm(纳米)技术比14nm(纳米)技术从芯片的各种性能得到提升做出的对比。

另一方面14nm(纳米)和7nm(纳米)的芯片在设计方法和所用的技术上也是有区别的。在制作难度上肯定7nm(纳米)技术要比14nm(纳米)技术难度更大;在制作费用上两者的差距也是有着很大区别的。比如芯片制造的核心设备光刻机就是一个很大的投资,7nm(纳米)光刻机要比14nm(纳米)光刻机在价格上要贵出许多,再加上设计规则与技术的不同都会增加其成本。

芯片制程升级的技术难度。在体积不断缩小的芯片里要放十几亿个晶体管,并且要保持性能和功耗,需要技术支持、创新。制程从14nm到7nm,芯片速率、功耗、集成度要做出均衡。目前80%以上的芯片都是10nm以上制程,从14nm到7nm,跨越到10nm以下,越进一步,难度越大。7nm将是一个长期存在的制程,功耗、性能、面积、成本能获得很好的平衡,再到5nm、3nm,平衡难度更大。

制程14nm指CPU晶体管门电路为14纳米。

CPU nm指的是制造CPU或GPU的制程,或指晶体管门电路的尺寸,单位为纳米(nm)。目前主流的CPU制程已经达到了14-32纳米,更高的在研发制程甚至已经达到了7nm或更高。

越小的nm表示更先进的制造工艺,更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管,使处理器具有更多的功能以及更高的性能。

更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗(TDP),从而解决处理器频率提升的障碍。

扩展资料:

英特尔45纳米高K技术能将晶体管间的切换功耗降低近30%,将晶体管切换速度提高20%,而减少栅极漏电10倍以上,源极向漏极漏电5倍以上。这就为芯片带来更低的功耗和更持久的电池使用时间,并拥有更多的晶体管数目以及更小尺寸。

2007年,英特尔发布第一款基于45纳米的四核英特尔至强处理器以及英特尔酷睿2至尊四核处理器,带领世界跨入45纳米全新时代。

参考资料来源:百度百科-nm (纳米简写)

参考资料来源:百度百科-制造工艺

芯片的本质是将大规模集成电路小型化,封装在方寸之间的空间里。英特尔的10纳米单元面积为54*44纳米,每平方毫米有亿个晶体管。Nm(纳米)是厘米、分米和米等长度单位,1纳米等于10减9米。一纳米相当于原子大小的四倍,是人类头发直径的十万分之一,比单个细菌的长度(5微米)小得多。芯片的制造过程就像一座房子。首先以晶圆为基础,然后将电路和晶体管一层一层堆叠起来,完成想要的形状。芯片具有各种封装形式。芯片封装最初的定义是保护芯片免受周围环境的影响,包括物理和化学影响。今天的芯片封装是指用来安装半导体集成电路芯片的外壳,起到放置、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用。它是芯片内部世界与外部电路之间的桥梁(芯片上的触点通过导线与封装外壳的引脚相连,封装外壳通过印制板上的导线与其他器件相连)。根据国际半导体技术蓝图(ITRS),芯片工艺中的纳米数越小,越先进。我们常说的芯片14nm、12nm、10mm、7nm是用来描述半导体工艺的节点代数。它们通常用晶体管的半节距或门长等特征尺寸来表示,以衡量集成电路技术的水平。在不同的半导体元件上,描述的对象是不同的。例如,在DRAM芯片中,它描述了DRAM单元中两条金属线之间的最小允许间距的一半长度,半间距长度;当用于CPU时,它描述了CPU晶体管中栅极的长度。在电子显微镜下,32纳米和22纳米晶体管然而,门长并不代表一切。栅极之间的距离和互连间距也是决定性能的关键因素。这两个距离决定了单位面积的晶体管数量。在晶体管密度方面,2014年英特尔2000年发布的14nm节点为每平方毫米3750万个晶体管,略低于TSMC的每平方毫米4800万个晶体管和三星的每平方毫米5100万个晶体管。英特尔10nm节点晶体管密度为每平方毫米亿,三星7nm节点密度为每平方毫米亿,基本相同;TSMC声称,第一代7nm节点的晶体管密度约为16nm节点的3倍,10nm节点的倍,因此估计每平方毫米约有8000万个晶体管,略低于英特尔10nm节点水平;但是2019年,TSMC采用EUV技术的N7+节点也有望量产,晶体管密度将提高20%,从而晶体管密度将达到每平方毫米1个。约1亿水平,将与英特尔,三星2019每年量产流程基本相同。工艺的进步可以提高芯片的性能,包括三个方面:规模增大、频率提高、功耗降低。规模对应的工艺指标主要有晶体管密度、栅极间距、最小金属间距等。相应频率和功耗指标主要包括栅长、鳍高等。随着晶体管密度的增加,可以扩大芯片的晶体管规模,增加并行工作的单元或核心的数量,或者减小芯片面积,提高成品率,降低单位成本。门长度越小,芯片的频率越高或者功耗越低。栅长减小(或沟道长度减小)减小了源漏之间的距离,电子只需流动一小段距离就可以运行,从而提高晶体管的开关频率,提高芯片的工作频率;另一方面,栅极长度和电子流距离的减小可以降低芯片的内阻、所需的开启电压和工作电压。在相同的工作频率下,压降导致更低的功耗(动态功耗P=c*v2*f,功耗与电压和频率的平方成正比)。提高芯片频率和降低功耗这两个目标不能兼得。晶体管的功耗包括静态功耗和动态功耗。静态功耗是电路稳定时的功耗,即常规电压乘以电流;动态功耗是指电容充放电功耗和短路功耗,也就是晶体管在做什么1和0相互转换时,会根据转换频率产生不同的功耗;根据Dendel的定标定律,晶体管面积的缩小,使得晶体管消耗的电压和电流几乎同比例缩小。例如,如果晶体管的尺寸减半,静态功耗将减少到四分之一(电压和电流同时减半)。在行业初期,根据Dennardscaling,设计师可以大幅提高芯片的时钟频率,因为提高频率带来的更多动态功耗会被降低的静态功耗抵消。大概在2005之后,漏电现象打破了Dennard提出的原有定律,使得晶体管在更小的工艺下制造时,静态功耗不减反增。同时也带来了巨大的热能转换,使得芯片的散热成为一个亟待解决的问题。所以芯片无法在提高频率的同时继续降低整体功耗。根据动态功耗P=C*V2*F可以得出,提高频率和降低功耗这两个目标之间的关系是相反的,需要根据芯片设计来寻求两者之间的平衡。当栅极长度(或沟道长度)减小到一定程度时,容易产生量子隧穿效应,从而导致大电流泄漏问题。这就是FinFET,或者说鳍式场效应晶体管技术出现的原因。晶体管从2D平面结构走向3D鳍片结构,增加鳍片高度可以减少漏电的发生,进一步提高性能或者降低功耗。在FinFET结构中,三个面被栅极包围,可以有效控制漏电。随着鳍片高度的增加,栅极可以更有效地控制电流,随着可控性的提高,栅极可以用更低的电压来切换开关,并且可以用更少的能量来导通/关断。同时,电子在三个表面上流动,增加了流动电子的数量,进一步提高了性能。芯片性能的不断提升是先进制造工艺的核心追求。多年来,先进的制造工艺首先应用于旗舰智能手机AP或计算机CPU。手机主芯片通常采用最先进的两代工艺制造。旗舰手机主芯片是工艺最前沿的,引进最先进的工艺后才会采用。新工艺出现后会向下转移,而低端手机主芯片通常是次高工艺制造。目前7nm和10nm的主要应用有高端手机AP/SoC、个人电脑和服务器CPU、矿机ASIC等。等等。14nm的主要应用包括高端手机AP/SoC、显卡GPU、FPGA等。成熟28纳米节点的主要应用包括低端手机、平板、机顶盒、路由器等主要芯片。先进工艺竞争成为影响芯片的决定性因素。工艺改进对芯片性能提升有明显影响。工艺改进的效果包括频率提高和架构优化。一方面,工艺的提升与频率紧密相连,使得芯片主频提升;另一方面,工艺改进导致晶体管规模的提高,支持更复杂的微架构或内核,导致架构的改进。随着工艺节点的进展,可以发现频率随工艺增长的斜率有所减缓。由于Dendel标度律的失效以及随之而来的散热问题,单纯持续提高芯片时钟频率已经不太现实,厂商逐渐转向低频多核架构的研究。

14nm 工艺中的晶体管数量将少于 7nm 工艺中的晶体管数量。 晶体管越多,性能越快,晶体管尺寸越小,集成度越高,数量越多,主频越快。 门越小,自然功耗越低,因为电流通过的时间越短,自然速度就越快。 14nm工艺比7nm工艺简单很多,7nm工艺更复杂。

毕业论文芯片的选型要求

根据开题报告的预计目标,一一列举已经完成的部分。例如做某个电路,开题报告写了:1.芯片选型;2.原理图;3.仿真;;5....那么中期检查写你完成的部分,当然如果另有成果也可以写上。

不应该。论文中芯片性能也会查重芯片性能在一般情况下不会有太大变更,所以被引用也会变多。因此在论文中尽量避免出现芯片性能。芯片,又称微电路、微芯片、集成电路,是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片就是半导体元件产品的统称,是集成电路的载体,由晶圆分割而成。

单片机的的选型是一件重要而费心的事情,如果单片机型号选择得合适,单片机应用系统就会得经济,工作可靠;如果选择得不合适,就会造成经济浪费,影响单片机应用系统的正常运行,甚至根本就达不到预先设计的功能。对于一个已经设计好的单片机应用系统来说,它的技术要求和系统功能都应当十分明确.如果选择功能过于少的单片机,这个单片机应用系统就无法完成控制任务;但是如果选择的单片机功能过于强大,这不但没有必要,还会造成资源浪费,不降性能价格比。只要掌握和运用单片机正确选型的原则,就可以选择出最能适用于应用系统的单片机,保证单片要应用系统有最高的可靠性,最优的性能价格比,最长的使用寿命和最好的升级换代可能。单片机芯片选型时,总的原则是:“芯片含有(功能或数量)略大于设计需求”,”设计需求尽可能(用)芯片完成(少用外围器件)”,“选大(大厂)不选小,选多(供应量多)不选少,选名(名牌)不选渺(飘渺,不知详情的厂子),选廉(谦价)但要好(质量保证)。对单片机选型,主要应用从单片机应用系统的技术性,实用性和要开发性三方面来考虑.(1)技术性:要从单片机的技术指标角度,对单片机芯片进行选择,以保证单片机应用系统在一定的技术指标下可靠运行;(2)实用性:要从单片机的供货渠道、信誉程序等角度,对单片机的生产厂家进行选择以保证单片机应用系统在能长期、可靠运行;(3)可开发性:选用的单片机要有可靠的可以开发手段,如程序开发工具、仿真调试手段等。

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