finfet工艺发表论文了吗

FinFET一般指鳍式场效应晶体管，楼主问的不是这个而是这种晶体管带来的革新化工艺制程特性。FinFET闸长已可小于25nm，未来预期可以进一步缩小至7nm，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。FinFET源自于传统标准的晶体管—场效晶体管的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。一句话概括FinFET把封装工艺变成了三维的而不是二维的。这是一个巨大的变革。所有大型晶圆代工厂都已宣布FinFET技术为其最先进的工艺。Intel在22 nm节点上采用该晶体管1，TSMC在其16 nm工艺上使用2，而Samsung和GlobalFoundries则将其用于14 nm工艺中。因为专业讨论将涉及大篇幅 这里不再展开 需要了解的可以单聊。FCCSP封装工艺指flip chip chip scale packaged 指代的倒装芯片封装到BGA或者PGA基板上，最早出现在Intel 奔三的CPU封装，优点：封装简单、封装与晶片尺寸相当、成本低、便携、芯片倒装焊减少传统引线的寄生电容，有利于提高频率、改善热特性。缺点：芯片裸露、还需要进行二次封装、二次布线设计复杂。用在手机芯片上比较贴切 缺点就不明显了您说的这两种工艺是封装工艺的两种发展走向 前者从晶体管基本构成结构入手 后者只是晶圆的封装基础工艺。本身没有高下，性能根据华为宣称是一样的 无差别。实际使用下来710、710F除了功耗略低性能近似等于骁龙660芯片。

在半导体设计、制造及封测三大领域中，国内公司最薄弱的环节是半导体制造，目前英特尔、三星、台积电三大公司的制造工艺已经微缩到了14nm、10nm及7nm节点，国内最大的晶圆代工厂中芯国际目前量产的最先进工艺还是28nm，预计今年量产14nm工艺。在中芯国际之外，另一家代工大厂华力微电子也宣布今年底量产28nm HKC+工艺，明年底将会量产14nm FinFET工艺，这将是国内第二家量产14nm工艺的代工厂。 上海华力微电子公司（HLMC）是华虹集团子公司之一，成立于2010年1月，是国家“909”工程升级改造项目承担主体，拥有中国大陆第一条全自动12英寸集成电路芯片制造生产线（华虹五厂），工艺技术覆盖55-40-28纳米各节点，月产能达3.5万片。 2018年10月18日，华力公司第二条12英寸晶圆厂生产线投产，总投资387亿元，经过22个月的工期建设正式投产，月产能为4万片晶圆，工艺技术从28nm起步，目标是具备14nm 3D工艺生产能力，不过最初的月产能是1万片晶圆，14nm工艺目前也没有量产，还需要时间进行产能、技术爬坡。 在今天举行的SEMICON China 2019先进制造论坛上，上海微电子华力微电子研发副总裁邵华发表了主题演讲，介绍了华力微电子半导体制造的新进展。据他透露的消息，今年底华力微电子将量产28nm HKC+工艺，明年底则会量产14nm FinFET工艺。 在制造工艺上，华力微电子去年底宣布量产28nm低功耗工艺，已经为联发科代工28nm低功耗芯片。