论文发表王新

陈星弼著南京:东南大学出版社出版日期:19901陈星弼，关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题，物理学报，1959，15（7 ）：353～367。 2陈星弼，一维不均匀介质中的镜像法，成都电讯工程学院学报，1963，4（3）：76～84。3陈星弼，表面复合对半导体中非平衡载流子漂移及扩散的影响，成都电讯工程学院学报， 1963，4，100。4陈星弼、易明光，论晶体管中电荷控制法的基础，第二届四川省电子学会年会论文集， 1964，168～185。5陈星弼，小注入下晶体管IC-VBE特性的指数因子的研究，物理学报，1978，2（1）：10～ 21。6Xingbi Chen,Chenming Hu,Optimum Doping Profiles of Power MOSFETs Epitaxial Layer,IEEE TransOn Electron Devices,1982，ED-29（6）：985~987.7XBChen,Best Uniform Surface Doping in the Drift Region of Offset-Gate Power MOSFETs With Deep Junctions,Procof International Semiconductor and Integrated Circuit Technology,1986,383~385.8陈星弼，P-N+结有场板时表面电场分布的简单表示式，电子学报，1986,14（1）：36～43 。9陈星弼、蒋旭，突变平面结表面电场的近似公式，成都电讯工程学院学报，1986，15（3） ：34～40。10XBChen,ZQSong,ZJLi,Optimization of the Drift Region of Power MOSFETs with Lateral Structures and Deep Junctions,IEEE Transon Electron Devices,1987,ED-34(11),2344~2350.11陈星弼，场限环的简单理论，电子学报，1988，16（3）：6～9。12XBChen,ZJLi,XJiang,TwoDimensional Numerical Analysis of Field Profiles in HighVoltage Junction Devices,Chinese Journal of Semiconductor,1988,9( 2),181~187.13陈星弼、李肇基、蒋旭，高压半导体器件电场的二维数值分析，半导体学报，1988，9（3 ）：255～260。14陈星弼、杨功铭，横向结构结深功率MOSFET漂移区的优化设计，微电子学，1988。15陈星弼，表面电荷对具有场限环的P+-N结电场及电位分布的影响，电子学报，1988，16 （5）：14～19。16陈星弼、李肇基、宋志庆，高压半导体器件电场的二维数值分析，成都电讯工程学院学报 ，1988，17（1）：46～53。17Chen Xingbi,Li Zhaoji,Li Zhongmin,On Breakdown Voltage of Abrupt Junction with Cylindric Edges,Chinese Journal of Semiconductors,1989，10（2）：233～ 237.18陈星弼、李肇基、李忠民，关于圆柱边界突变结的击穿电压，半导体学报，1989，10（6 ）：463～466。19Chen Xingbi,A Theory of Floating Field-Limiting Rings Regarding the Effect of Surface Charges,Acta Electronics Sinica,Supplement,1989，105～111.20Chen Xingbi,Analysis and Design Guidelines of JTTs Used in Planar Technology,Proc.of ICSICT’89会议特邀报告,1989,456~458. 21陈星弼，功率MOS及HVIC的进展，第六届全国半导体集成技术与硅材料学术年会特邀报告 ，1989。22Chen Xingbi,A Simple Description of Diffused Impurity Distribution of an Instantaneous Source Through a Window of a Mask，Proc,of ICSICT’98,1989,241～ 243.23Chen Xingbi,Li Zhaoji,Li Zhongmin,Field Profiles and Breakdown Voltages of Elliptic Cylindric Abrupt Junction,Procof ICSCT’98,1989,459~461.24陈星弼，MOS型功率器件，电子学报，1990，18（5）：97～105。25Xingbi Chen,Power MOST and Merged Devices，Procof Congress of German Chinese Electronics,BerlinOffenbach,1991,339~345.26陈星弼，结终端技术，第七届全国半导体集成技术与硅材料学术年会特邀报告，1991， 5~6。27XBChen,BZhang,ZJLi,Theory of Optimum Design of ReverseBiased p n Junctions Using Resistive Field Plates and Variation Lateral Doping，Solid State Electronics,1992,35(9):1365~1370.28陈星弼、曾军，扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压，电子科技大学学报，1992， 21（5）：491～499。29陈星弼，半导体器件与微电子学的发展动向，当代电子，四川省电子学会主编，1992，84 ～94。30XBChen,PAMawby,CATSalama,MSTowers,JZeng,KBoard,Latera l HighVoltage Devices Using an Optimized Variational Lateral Doping,IntJ Electronics,1996,80(3),449~459.31Xingbi Chen,KOSin,Min Zhang,Bin Wang,An Analytical Model for Electric Field Distribution of Positively Beveled Abrupt PN Junctions,IEEE TransElectron Devices,1997,ED-44,5:869~873.32陈星弼，用于灵巧功率集成电路的创新型横向器件，第二届中国西部地区微电子技术年会 论文集（四川、 重庆、 广西、 甘肃、 云南六地市），1998,1～7。33Chen Xingbi,Theory of a Novel Voltage Sustaining (CB) Layer for Power Devices,Chinese Journal of Electronics,1998,7( 3),211~216.34XBChen,PAMawby,KRoad,CATSalama,Theory of a Novel Voltage Sustaining Layer for Power Devices,Microelectronics Journal,1998,29 (12):1055~1011.35陈星弼、叶永萌，对高等学校人才培养的思考和看法，电子高教研究，1998，2、3，13～ 15。 36Xingbi Chen,Breakthrough to the Silicon Limit of Power Devices (Invite Paper),5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, IEEE Press,1998,141~144.37陈星弼、叶星宁、唐茂成、王新、苏秀娣、单成国，新型CMOS全兼容二极管，电子科技大 学学报，1999。38Xingbi Chen,Xin Wang,KOSin,A Novel HighVoltage Sustaining Structure with Buried Oppositely Doped Regions,IEEE Transon Electron Devices,2000,ED- 47(6):1280~1285.39Chen Xingbi,Optimum Design Parameters for Different Patterns of CBStructure,Chinese Journal of Electronics,2000,9,(1):6~11.40陈星弼，由半导体微电子技术引起的第一次电子革命及第二次电子革命，电子科技大学学 报社科版，2000，2（2）：20～25。41陈星弼，第一次电子革命及第二次电子革命，微型电脑应用，2000，16（8）。42陈星弼，科技为本 创新为魂——由半导体技术引起的重大革命，世界电子元器件，2000 。43陈星弼、蒲慕名、张瑞敏、车俊、尚选玉、于庆成、杜彭，我的创新与财富观，中国青年 科技，2001。44Xingbi Chen,KOSin,Optimization of the Specific OnResistance of the COOLMOS,IEEE Transon Electron Devices,2001,ED-48(2):344~348.45Chen Xingbi,Theory of the Switching Response of CBMOST,Chinese Journal of Electronics,2001,10( 1):1~6.46Chen Xingbi,Fan Xuefeng,Optimum VLD Makes SPIC Better and Cheaper,Procof ICSICT’2001,104~108.47Xingbi Chen,Hongqiang Yang,Min Cheng,New Silicon Limit of Power Devices,Solid-State Electronics,2002,46:1185~1192.48陈星弼，由半导体微电子技术引起的第一次电子革命及第二次电子革命，第十六届全国电 源技术年会，2005，32～36。49陈星弼，超结器件，电力电子技术，2008，42（12）。50Chen Xingbi,Huang Mingmin,A Vertical Power MOSFET with an Interdigitated Drift Region Using High-k Insulator,IEEE Transactions on Electron Devices,2012 ，59 （9）, 2430～2437. 1 OptimizationoftheDriftRegionofPowerMOSFET`swithLateralStructuresandDeepJunctions2 一维不均匀媒质中的景象法3 小注入下晶体管Ic-V_be特性的指数因子的研究4 论晶体管电荷控制法的基础5 关于圆柱边界突变结的击穿电压6 关于半导体漂移三极管在饱和区工作的储存时间问题7 TheoryoftheSwitchingResponseofCBMOST8 Theoryofoptimumdesignofreverse-biasedp- njunctionssuingresistivefieldplatesandvariationlateraldoping9 OptimumVLDmakesSPICBetterandCheaper10 OptimumDopingProfileofPowerMOSFETEpitaxialLayer11 OptimumDesignParametersforDifferentPatternsofCB-Structure12 OptimizationoftheSpecificOn-ResistanceoftheCOOLMOS~TM13 New“siliconlimit”ofpowerdevices14 Lateralhigh-voltageusinganoptimizedvariationallateraldoping15 Breakthroughtothe“Siliconlimit”ofPowerDevices16 Analysisanddesignguidelinesofjit`susedinplanartechnology17 AnAnalyticalModelforElectricFieldDistributionofPositivelyBeveledAbruptPNJunctions18 ATheoryofFloatingField-LimitingRingsRegardingtheEffectofSurfaceCharges19 Asimpledescriptionofdiffusedimpuritydistributionofaninstantaneoussourcethroughawindowofamask20 ANovelHigh-VoltageSustainingStructurewithBuriedOppositelyDopedRegions 陈星弼 在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发。他作为唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等学术刊物发表论文40多篇，出版著作五种（六册），取得美国及中国发明专利权七项，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。