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中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
本文关键词：碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用更多相关文章：半导体材料碳化硅半导体SiC功率器件【摘要】：以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(SiliconCarbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究姓名：张云申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20100528北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性，这使得它在高温，高频，大功率，以及…
半导体SiC材料及像素探测器研究.韩冲.【摘要】：近年来SiC材料被证实可应用于空间探测、核电站、核反应堆等高辐射、高温的极端环境,SiC辐射探测器在耐高温、抗辐照、不同能量粒子探测等方面也都进行了大量细致的工作。.研究表明SiC探测器在α粒子、γ...
SiC半导体材料抗辐照特性研究.杨德明.【摘要】：碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。.其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些...
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
摘要：以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子,光电子技术的迅猛发展.然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射,耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温,高频,高压以及抗辐射,能发射蓝光等...
2.5宽带隙半导体材料宽带隙半导体材主要指的是金刚石,III族氮化物,碳化硅,立方氮化硼以及氧化物(ZnO等)及固溶体等,特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料,因具有高...
本文是半导体材料论文范文数据库和半导体材料和电子科学技术和趋势类论文范文数据库.[摘要]随着我国经济的发展,现阶段我国正处在一个知识经济时代.现在人们的生活目标...
6H-SiC在〔112-0〕上投影2.2.SiC同质异构结构由于SIC半导体的不同晶型的禁带宽度差别较大,因而可以用来制作新型的半导体结构—同质异构结构,包括异构结、量子...
论文>毕业论文>一种典型半导体材料—SiCinformationScienceEngineeringSHANDONGUNIVERSITYCHINASiC1.SiC材料的简介2.SiC衬底的3.SiC外延方...
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压,高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围.阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂,刻蚀,...
半导体材料以及材料表征论文-GrowthofSiCNanorodsonSiSubstrate文档格式:.pdf文档页数:10页文档大小:539.96K文档热度:文档分类:IT计算机--网...
SiC半导体材料和工艺的发展状况讲解.doc,《半导体材料》小论文SiC半导体材料和工艺的发展状况学院:大数据与信息工程学院专业:物理电子学姓名:王凯学号:2014021522...
半导体SiC材料研究进展及其应用下载积分:400内容提示:半导体SiC材料研究进展及其应用王辉琚伟伟刘香茹陈庆东河南洛阳尤景汉巩晓阳471003)(河南科技大学高...
SiC单晶材料的今世SiC作为功率器件和射频电子应用中的潜力很早就已被认识到,但第3代半导体材料SiC单晶生长从20世纪70-90年代初才被发现,随晶体生长技术有所突...
【摘要】:正SiC是当今国内外科技信息领域研究最广泛的第三代半导体核心材料之一,它具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔。本文就SiC材料的研究进展以及应用,从体单晶...