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物理学报ActaPhys.Sin.Vol.62,No.16(2013)168101单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移*徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳†杨德仁(浙江大学材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室,杭…
本论文研究了重掺硼对直拉单晶硅中的位错和氧沉淀的影响,得到如下主要结论：(1)对重掺硼直拉单晶硅中原生位错的形成进行了研究。结果表明,当硼的掺杂浓度高于7×1019cm-3时,单晶硅中产生原生位错,它们以一定的形态集中分布于晶体截面的某些位置而不扩展到整个截面。
位错：包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸；2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错；3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。2、位错形态及分布
位错：包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸；2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错；3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。2、位错形态及分布1）择优化学腐蚀：
同时，还首次指出氮原子对断裂过程可能产生的影响和原因；并首次报导了硅单晶｛112｝＜110＞和｛112｝＜111＞晶向的断裂特征。而在高温下，则最先通过室温引入位错、高温热处理使位错移动的方法指出直拉硅单晶中氮杂质对位错滑移的强烈钉扎作用。
向大家请教两个问题：1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会更多吗？为什么？2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？请虫友们做个详细的解…
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滑移线根本原因是单晶硅内部的应力超出了晶格的承受能力（屈服强度），导致晶格变形，因变形的差异，宏观上体现为位错，层错，滑移线等。应力分为机械应力和热应力，热应力引起的滑移线是拉晶过程中产生的，一般称作单晶滑移线，往往是拉晶收尾段没收好，温度下降过快，导致晶棒尾部...
4楼:Originallypostedbyfrankie1at2015-06-2207:40:12非常感谢您的回答。基板只是单晶硅而已，没有做处理，所以表面应该是无任何东西的，例如薄膜。猜着应该是因为xrd机理原因或者其他原因造成的，计算过，但是这个角度的峰对应的晶面应该是...
室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察.【摘要】：采用透射电镜(TEM)定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息.发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态.尽管产生的原因各异,但均为最终的低能稳定组态.位...
二、线缺陷位错:包括螺位错和刃位错1、产生原因1)籽晶中位错的延伸;2)晶体生长过程中,固液界面附近落入不溶固态颗粒,引入位错;3)温度梯度较大,在晶体中产生较大的热应...
文档格式:.doc文档页数:44页文档大小:未知文档热度:文档分类:论文--毕业论文文档标签:直拉单晶硅单晶硅晶体生长及缺陷研究系统标签:直...
内容提示:物理学报ActaPhys.Sin.Vo1.62,No.16(2013)168101单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移术徐旗茂高超董鹏赵建江马向阳干杨德仁(浙江大...
使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形,磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中(即硅原子间势能),因此硅原子间势能随着力...
发现位错可以通过不同行为影响单晶硅内应力状态进而改变其变形方式,为后续分析切削过程尤其是脆塑转变过程中位错作用机制奠定基础。接着,对单晶硅纳米切削脆塑转变过程进行分...
集成电路用直拉单晶硅力学性能_(精品论文)下载积分:1300内容提示:⑧浙江大学博士学位论文fH。同时,还首次指出氮原子对断裂过程可能产生的影响和原因:并首次...
浙江工业大学硕士学位论文单晶硅片的超精密技术研究姓名:吴明明申请学位级别:硕士专业:机械工程指导教师:楼白杨20050501浙江T媲天学硕士学位论文单...
关键词:材料物理化学专业论文集成电路用直拉单晶硅力学性能资源描述:⑧浙江大学博士学位论文fH。同时,还首次指出氮原子对断裂过程可能产生的影...
防止和减少可能产生的位错、位错滑移和硅片翘曲,成为半导体硅材料界研究的重点之一.对单晶硅机械强度的研究通常采用的方法是抗压[1]、抗拉[2—6]、抗弯[7—10]和高温...
位错和杂质是其机械性能的主要影响因素~表面损伤将降低硅单晶的拉伸屈服强度和抗弯强度而位错的产生和滑移也可降低单晶的机械性;能但杂质对位错的钉扎将起...