当前位置：学术参考网 > 硅晶体中位错检测论文
激光定向与硅单晶中位错、层错的观察.pdf,激光定向与硅单晶中位错、层错的观察实验目的1．学习硅单晶的激光定向原理。2．掌握激光定向仪确定晶向的方法。3．了解硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示方法。实验原理要研究半导体性质和制造半导体器件，其首要的条件是应有特定电性能，完整...
(a)位错密度分布图；(b)少数载流子寿命分布图图1.6[27]位错密度对半导体的载流子扩散长度的相对影响1.4硅晶体中位错的形成与控制如前所述，位错对硅晶体太阳电池有严重不良的影响，那么探究硅晶体中位错的形成机理及其控制就很有必要了。
2.3硅晶体中位错的检测典型的缺陷及及其显示方法晶体硅中的典型缺陷:位错、层错、微缺陷漩涡花纹、杂质析出，夹杂物、杂质沉淀。随着生产技术的改进，一些宏观缺陷可以得到消除，如杂质析出、夹杂等缺陷。本节侧重学习位错两种常见...
浙江大学博士学位论文大规模集成电路用直拉硅单晶的缺陷工程姓名：余学功申请学位级别：博士专业：材料物理与化学指导教师：杨德仁20040101摘要深亚微米集成电路（ULSI）的快速发展对硅单晶材料提出了“大直径，无缺陷”的要求，使得大直径直拉硅的“缺陷工程”受到了巨大挑战。
对于晶体中的缺陷检测方法一般采用先腐蚀、后观察的步骤。如GB/T4058-2009是对抛光硅片氧化诱生缺陷的测量，原理是利用氧化来缀饰或扩大硅片中的缺陷后，用择优腐蚀液显示缺陷，最后放大进行观察，对于硅单晶的氧化也可以参考使用...
单晶硅及其杂质和缺陷.ppt,第4章单晶硅材料第5章单晶硅中的杂质和位错主要内容：硅的基本性质高纯多晶硅的高纯单晶硅的单晶硅中的杂质单晶硅中的位错什么样的温度控制才能生长单晶？——根据晶体生长理论来进行设计结晶学把晶体生长过程看作是成核长大过程。
因此，本论文主要在以下几个方面进行了研究:1.对siC晶体中的微管、位错、层错、包裹物、多型和平面六方空洞等主要缺陷进行了系统表征，并提出了SIC晶体中微管和微管密度的检测方法标准草…
基于位错晶格理论的共价晶体中位错芯结构及Peierls势垒和Peierls应力研究.【摘要】：硅、石墨烯和碳纳米管是三种通过共价键结合的材料。.硅是一种非常重要的半导体材料,广泛应用于电子器件的制造。.石墨烯和碳纳米管具有独特的物理和化学性质,有着非常...
铸造准单晶硅及位错消除技术的研究.田野.【摘要】：光伏市场硅片传统的生产技术和产品主要是铸造法生产的多晶硅和直拉法生产的单晶硅,而铸造法多晶硅其转化效率低产能高、直拉法单晶硅产能低效率高,结合其各自的优缺点,在最近10年来发展起来一种...
硅晶体结构的特点硅的晶胞结构.PPT,第一章硅的晶体结构本章主要内容连续固溶体：一种物质可无限溶解于另一种物质中。形成连续固溶体的必要条件溶质原子与溶剂原子的大小接近；溶剂和溶质原子外部电子壳层结构相似且晶体结构相似。
本节侧重学习位错两种常见缺陷的检测:位错与漩涡微缺陷。2.3.1位错的显示2.3硅晶体中位错的检测?典型的缺陷及及其显示方法?晶体硅中的典型缺陷:位错、层错、微缺陷...
2.3硅晶体中位错的检测.ppt,典型的缺陷及及其显示方法晶体硅中的典型缺陷:位错、层错、微缺陷漩涡花纹、杂质析出,夹杂、杂质沉淀。随着生产技术的改进,一些宏观缺陷可以得到消除...
2.3硅晶体中位错的检测显示方法:原生硅中的位错用化学腐蚀法使其显露选定某一截面,位错线与它相交,在化学腐蚀时,每个位错露头的地方都会产生腐蚀坑,...
多晶型硅籽晶生长定向凝固晶体结构定向凝固法铸造多晶硅由于易操作,低成本的优点,使其用量在整个光伏行业中占据了优势...这是由于多晶硅中存在各种各样的缺陷,例如任意取向的...
学位论文作者签名(手写):导师签名(手写):签字日期:论文题目硅晶体凝固生长及位错形核的分子动力学模拟研究学号405729113041论文级别博士硕士材料科学与...
电子态硅晶体无位错晶体电子结构点群对称本文综述了点缺陷络合体对半导体性能的影响,指出研究点缺陷络合体的重要性。又利用群论阐明了点缺陷络合体结构的对称性以及络合体简...
3郑德立;陈尚达;;Al-Ni界面轴向拉伸、压缩时位错形核的分子动力学模拟[A];中国力学学会学术大会'2009论文摘要集[C];2009年中国硕士学位论文全文数据库前2条1吴小元;硅晶体...
摘要:基于位错形成机理,在单晶硅晶体结构基础上描述了硅晶体位错形成的过程.应用偶板子模型,构建了60°滑移位错芯和螺旋位错芯,进而得到硅晶体含有60°滑移位错的模型和含有...
3.2工艺诱生缺陷--滑移位错当温度在大约900℃以上时,硅晶体的屈服极限降低,晶体中位错有可能发生运动而引起塑性形变。扩散、热氧化等过程都是在900-1200℃范围内进行,硅片在加热或...