东华大学硕士学位论文常压等离子体对高分子材料表面刻蚀的研究姓名：周荃申请学位级别：硕士专业：等离子体物理指导教师：张菁20070101常压等离子体对高分子材料表面刻蚀的研究摘要本文主要论述了应用常压等离子体刻蚀处理高分子材料表面，以获得具有纳米级图案化的表面特征，并...
等离子体刻蚀与沉积研究以及实验验证.随着集成电路的迅速发展，芯片尺寸的不断减小，对于半导体工艺的精度要求也越来越高。.等离子体刻蚀和沉积工艺由于其可以控制反应速率、精度高、较好的均匀性、可重复性等优点而广泛应用到半导体...
EUV掩膜版的等离子刻蚀法电字工业专用设备－E掩膜版的等离子刻蚀法VU随着集成电路制造技术的进步，管C已经尽D接近物理和理论极限，继续减小的趋势依旧延续其着。无论如何，目前的光刻技术将在未来的几年之...
论文通过系统的研究等离子体辐照下不同结构钨与低活化钢材料表面形貌、微观结构、滞留和刻蚀率的变化规律，同时考察重离子模拟中子辐照对第一壁的损伤及等离子体辐照后滞留与捕获的影响，为聚变实验堆的高参数稳态运行以及商用堆的设计工作
电感耦合等离子体论文干法刻蚀论文偏置功率论文.doc.7页.内容提供方：zhuwenmeijiale.大小：41KB.字数：约4.05千字.发布时间：2017-12-28.浏览人气：11.下载次数：仅上传者可见.…
等离子体刻蚀开题报告.ppt,等离子体刻蚀等离子体刻蚀在刻蚀方法中的位置干法刻蚀的一般用途：光刻后的图形转移，器件的剥离等，湿法刻蚀无法完成的各向异性刻蚀。图形转移过程2）刻蚀参数刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差、选择比、均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损伤、颗粒污染。
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
感应耦合等离子体刻蚀InP分析与14xxnm泵浦激光器制作.pdf,感应耦合等离子体刻蚀InP研究与14xxnm泵浦激光器制作摘要作者：朱海波指导老师：李晓良用f光纤通信密集波分复用技术中的14xxnm泵浦激光器，是拉曼光纤放大器(Ranall特性好，电子...
博士毕业论文—《耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的及其性能研究》摘要第1-6页Abstract第6-14页第一章绪论第14-30页1.1研究背景第14-17页1.2半导体制造工艺过程
硕士博士毕业论文—耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的及其性能研究摘要第1-6页Abstract第6-14页第一章绪论第14-30页1.1研究背景第14-17页1.2半导体制造工艺过程
为获褥化合物半导体lnSb—IIl薄膜的干法刻蚀,本文研究了感应耦合等离子体(ICP)技术,制作一套ICP予法刻缓装置,溅藿鑫秘王艺条铮下戆等凝子转参数,刭援CH...
相关论文评论(0)(0)硅介质材料的等离子刻蚀选择比研究首发时间:2019-11-08刘珂1刘珂(1988-),男,工程师,主要研究方向:硅基材料的等离子体刻蚀工艺...
摘要:本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺参数的研究,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线[1],优化了刻蚀硅的工艺条件。通过台...
半导体等离子蚀刻工艺研究贝思德顾问大学ASS研究中心EMAIL:fhwen9888@163TEL:0755264876192009-3-31BIM做精益六西格玛领先品牌1等离子蚀刻工艺均匀度分析2009-3-...
内容提示:论文:等离子体刻蚀工艺的优化研究论文网本文作者(王晓光朱晓明尹延昭),请您在阅读本文时尊重作者版权。摘要:本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺...
为获得化合物半导体InSb-In薄膜的干法刻蚀,本文研究了感应耦合等离子体(ICP)技术,制作一套ICP干法刻蚀装置,测量各种工艺条件下的等离子体参数,利用CHClF_2等离子体刻蚀InSb-I...
候璐景,射频鞘层中尘颗粒运动过程及库伦晶格形成机理的研究:[博士学位论文]论文:大连理工大学,2005刘之景。光刻与等离子刻蚀技术。实验技术,1999,28(7):425-429等同类课题...
关键词:等离子体刻蚀非晶硅作者:曾云刊名:微细技术年,卷(期):1991,000(002)分类号:TN405.982页数:共4页页码:53-56相关文献相关论文(和本文研究主题...
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本文第一章是绪论,介绍了低温等离子体在半导体制造中的应用背景,以及等离子体刻蚀当前面临的新机遇和挑战。在第二章中...(本文共122页)本文目录|阅读全文>>权威出处:大...