栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析.赵文雫.【摘要】：本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式...
分类号密级UDC曲率效应对PN结击穿电压的有效作用（题名和副题名）周贤达（作者姓名）指导教师姓名副教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2008.4论文答辩日期2008.5学位授予单位和日期电子科…
[精华]突变pn结的击穿电压,pn结击穿,击穿电压,空气击穿电压,反向击穿电压,雪崩击穿电压,电压击穿试验仪,二极管反向击穿电压,电容电压不能突变,雪崩击穿
第8卷第18期2015年9月中国科技论文在线精品论文1908能使Emax达到Ec值，或满足条件I=1，因此击穿电压就会提高。2.2碰撞电离积分与外加电压的关系与结果在PN结中，随着外加电压提高，碰撞电离率积分也逐渐变大，二者存在一定的数值关系。
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。.(2)结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文).doc,实验2PN结二极管特性1、实验内容（1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。（2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低...
项目场景：根据一篇博士论文复现一下，平行平面结的雪崩击穿过程，并且验证自己的正确性以及可靠性。问题描述：根据论文描述的模型搭建相似数据以及模型进行对比实验结果，得到一些出入。首先介绍一下碰撞电离模型：chynoweth模型更新了雪崩击穿条件，使得模型更加精确。
【摘要】：PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致结的击穿电压低于同等条件下的平行平面结,以此为基础发展出了一系列降低或消除曲率效应的结终端技术如场板、场...
对于厚外延层，两个PN结势垒区相互作用只限于上海大学工学硕士论文图2．3RESURF二极管垂直PN结的底部，相互作用基本上可以忽略，当所加电压足够高时，接近器件表面的PN结首先达到击穿的临界电场而发生表面击穿（由于PN结表面的曲率
硕士论文开题报告—《曲率效应对PN结击穿电压的有效作用》摘要第1-5页ABSTRACT第5-9页第一章绪论第9-19页·课题背景第9页·PN结的击穿
超结的击穿机理与特性分析(论文),三极管二次击穿机理,低压气体直流击穿特性,igbt电压击穿特性分析,场效应管击穿后特性,二极管反向击穿特性,pn结击穿,pn结反向击...
论文>毕业论文>2.6PN结的击穿与习题解答(精编)PNPN结的击穿结的击穿西南科技大学理学院西南科技大学理学院PNPN结的击穿结的击穿一、击穿现象一...
年月日MOSFET的击穿特性的研究摘要:MOSEFT中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的...
硕士论文(前2篇)更多>会议论文(前0篇)更多>博士论文(前0篇)更多>pn结二极管击穿电压解析方法 更多解释>> 与"pn结二极管击穿电压解析方法"相关的文献前10...
曲率效应对pn结击穿电压的有效作用-微电子学与固体电子学专业论文.docx,摘要摘要PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的...
经分析PN结耗尽区的理想电场分布,本文提出曲率效应并不总是有害的,在适当条件下曲率效应可改善耗尽区电场分布从而提高PN结击穿电压,该情况对应的曲率是有效曲率。文章首先分...
阴阳相互吸引却不融合,半导体PN结也是这样:N型杂质和P型杂质相互吸引,而一旦彼此融合,却意味着PN结的死亡与半导体性能的丧失。研究人员发现,在纳米线中加入轴向...
论文目录摘要第1-5页ABSTRACT第5-9页第一章绪论第9-19页·课题背景第9页·PN结的击穿第9-11页·PN结的击穿机理第9-10页·PN结耗尽区的理想电场分...
年月日MOSFET的击穿特性的研究摘要:MOSEFT中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的...
GaN具有宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强和高热导率等优越材料性能,在紫外到可见光电子器件以及高频、高温、大功率电子器件领域极具发展潜力。然而由于异质外延GaN外...