硅基pn结电容的研究及分析.硅基PN结电容的研究及分析万里兮（中国科学院微电子研究所系统封装实验室北京100029）摘要：以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大...
关于半导体pn结接触电势的研究讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性，回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题。.从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时pn结不...
PN结的物理特性—实验报告-半导体PN结的物理特性实验报告姓名：陈晨一、引言半导体PN结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN结的伏安特性是半导体物理...
【pn结正向压降与温度关系的研究实验报告】栏目提供最新pn结正向压降与温度关系的研究实验报告相关范文，帮助网友更快找到需要的格式模板。希望精选的pn结正向压降与温度关系的研究实验报告能迅速帮助您找到有用的范本，并解决您遇到的pn结正向压降与温度关系的研究实验报告写作中问题...
PN结正向压降与温度关系的研究和应用一、实验目的1、了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。2、在恒流条件下，测绘PN结正向压降随温度变化的曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。3、学习用PN结测温的方法。二、实验原理图1p-n
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电子机电论文范文目录1绪论1.1课题背景及目的41.2论文构成及研究内容42PN结温度传感器的原理2.1半导体PN结及其导电性能52.2PN结正向压降与温度的关系63PN结温度传感器的实验研究3.1实验情况介绍93.2实验数据与数据分析93.3PN结温度...
基于过剩多子的PN结理论—硕士博士毕业论文学位论文下载您当前正在查看的论文是：论文编号：XW3574846点此查看论文目录论文题目：基于过剩多子的PN结理论论文分类：数理科学和化学论文→物理学论文→半导体物理学论文→P-N结论文论文页数：共72页
PN结温度传感器原理及应用,温度传感器,PN结,信号调理电路,单片机。介绍了采用PN结温度传感器进行温度测量的原理,在此基础上给出了PN结的信号调理电路,分析了各部分电路的特性,给出了由ST...
P型导电透明二氧化锡薄膜及其PN结的和研究,磁控溅射法,ATO薄膜,P型导电,PN结。透明导电氧化物(TCO)薄膜因为具有在可见光区透明和电阻率低的特性,被广泛的应用在各种光电器件中,如平面液晶显示…
PN结特性的研究.doc,实验报告(正式)86实验者:张钟秀PB07009003实验日期:2008.10.20实验题目:PN结特性的研究注:实验目的,实验原理见预习报告,预习报告与原始数据以纸质材料提交...
阴阳相互吸引却不融合,半导体PN结也是这样:N型杂质和P型杂质相互吸引,而一旦彼此融合,却意味着PN结的死亡与半导体性能的丧失。研究人员发现,在纳米线中加入轴向...
研究ZnSnN_2薄膜物性及其pn结,有利于进一步构筑ZnSnN_2太阳能电池。本文通过优化条件,研究了ZnSnN_2薄膜的性能,并构筑p-Si/n-ZnSnN_2异质结,研究了其电学性能。主要包括...