当前位置：学术参考网 > 干法刻蚀机故障处置论文
干法刻蚀技术的应用与发展.在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。.而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。.经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。.一定...
干法刻蚀基础知识及应用1刻蚀介绍及分类1.1关于刻蚀刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅
等离子体刻蚀工艺的研究现状和发展趋势关键词：等离子体刻蚀工艺，湿法刻蚀，干法刻蚀Abstract:plasmaetchinghasbeenwidelyusednationaldefenseindustryprivateenterprises,papersumsuppracticalapplication,introducesdevelopmentfromwet...
第四章O．18微米Spacer刻蚀工艺的开发和优化本章介绍了O．18微米Spacer现有工艺存在的问题，即在DPS设备上刻蚀时，由于无法进一步提高刻蚀速率选择比，造成的在栅极密集区域，栅极底部存在有明显的斜坡。.这个斜坡将会严重影响O．18微米晶体管，源极和漏...
1、刻蚀设备：半导体制造工艺的核心设备之一刻蚀是用化学或者物理方法将晶圆表面不需要的材料逐渐去除的过程，是半导体制造中的重点。按工艺分，刻蚀可分为湿法刻蚀和干法刻蚀两类，其中以等离子体刻蚀为主的干法刻蚀适用于尺寸较小的先进封装。
该团队在光刻蚀之后，对单晶硅表面进行额外处理，先将被损伤的表面氧化，再侵蚀掉氧化层，以去除刻蚀导致的表面损伤（图1）。这种流程的单晶硅结构，表面既没有离子切割引入的缺陷，也没有刻蚀导致的损伤，只有1-2纳米的自然氧化层，表面质量极佳。
在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN／AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用C12和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN...
大学里的研究室需要购买ICP刻蚀设备一台，主要是刻硅材料。百度了一下，找到以下三家，北方微电子GSE200系列ICP北京东方中科集成科技股份有限公司电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统SI500（SENTECH）北京创世威纳科技ICP-8100型感应耦合...
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法。湿法刻蚀是使用液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。湿法刻蚀一般只是在尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法刻蚀也用于腐蚀硅片上的某些层或用于去除干法刻蚀的…
临床医学全面走向个性化医疗诊疗是当今医学发展的一大方向，精准的体外诊断技术是正确诊疗的基本保证。而体外诊断基本主要是基于体液（血液，尿液，唾液）的分析，对于这些体液的操控，自动化肯定是个大趋势。那么对于液体的自动化操控，正是我们微流控要干的事情。
申请上海交通大学工程硕士专业学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善学校:上海交通大学院系:电子信息与电子工程学院工程硕士生:张新言工程领域:平板显示导师...
上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901上海交通大学工程硕士...
上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901上海交通...
上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901上海交通大...
干法刻蚀中影响产品品质的主要因素为:杂质颗粒、RF电源、排气速度和真空度,其中生产节拍的加快对前两因素的影响最为重大。在上海广电NEC工厂的15-26英寸工艺设备进行实验并取...
1、上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名张新言申请学位级别硕士专业平板显示指导教师李荣玉;陈勤达20090901上海交通...
一旦电抗机发生问题,就会对机械电气带来直接的影响,所以必须要及时处理存在的故障。一般情况下,电机启动电抗器烧毁故障的应急处理策略可以对继电保护装置进行合理地利用,一旦电力系...
52集成电路应用第34卷第9期(总第288期)2017年9月ProcessandFabrication工艺与制造半导体干法刻蚀机台传送微环境对缺陷影响的研究摘要:探讨美国LAM2300E4(平...
主题:感应耦合等离子体干法刻蚀故障分析摘要:介绍了ICPE法工艺的基本原理及其设备的基本结构。分析了影响ICP工艺刻蚀速率的主要因素。根据多年维修经验,分析总结了ICP设...
2刘之景,刘晨;光刻与等离子体刻蚀技术[J];物理;1999年07期3李建中;半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展[J];微细技术;1993年03期【二级引证文献】中国硕士学位论文全文...