干法刻蚀的机制和原理2.1刻蚀工艺在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露与其他中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开除的残空，与硅片发生物理或者化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。
干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善.上海交通大学工程硕士学位论文摘要液晶显示的广泛应用已经使其取代了CRT，成为如今显示和电视设备的最主要的显示技术，丰富了人们的日常生活，并为信息的交流和传输做出了巨大的贡献。.随着国内新一轮高...
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,...干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。
第四章O．18微米Spacer刻蚀工艺的开发和优化本章介绍了O．18微米Spacer现有工艺存在的问题，即在DPS设备上刻蚀时，由于无法进一步提高刻蚀速率选择比，造成的在栅极密集区域，栅极底部存在有明显的斜坡。.这个斜坡将会严重影响O．18微米晶体管，源极和漏...
这些不均匀且特征相关的刻蚀速率使半导体工艺设计过程中刻蚀的研发愈发复杂。在本文中，我们将论述如何通过在SEMulator3D®中使用可视性刻蚀建模来弥补干法刻蚀这一方面的不足。图1a：中性气体在腔室内随机流动的二维展示。
半导体刻蚀工艺基础（干法刻蚀）.FA农民工.自娱自乐.36人赞同了该文章.在半导体制造中,蚀刻使用各种技术选择习惯地在衬底上移除薄膜,并且通过这一移除的过程在衬底表面形成了材料的图形，.光罩定义了图形的形状,这一图形定义过程称为显影，.一旦光...
相对湿法刻蚀，干法刻蚀对下层薄膜没有很好的刻蚀选择比。由于这个原因，EPD（终点检测器）被要求用于监控刻蚀工艺和停止刻蚀（图3-7）。终点检测有很多方式，其中使用最常用的是发射光…
本论文通过干法去胶工艺菜单刻蚀介电常数为2.6的绝缘材料的实验,探究如何在等离子体干法刻蚀低介电常数材料的时候保持各向异性和所需要的选择比,避免缺陷以及其他因为材料特性变化带来的新问题的方法。
干法刻蚀基础知识及应用1刻蚀介绍及分类1.1关于刻蚀刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的(图1)。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。这些不均匀且特征相关的刻蚀速率使半导体工艺设计过程中刻蚀的...
稳定可靠的工艺才能保证器件的优良性能,高可控性、一致性和重复性的工艺也是产业化的必要条件。本文首先研究相变材料的具有高可控性和一致性的干法刻...
上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901上海交通...
而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。一定程度上,干法刻蚀...
干法刻蚀中影响产品品质的主要因素为:杂质颗粒、RF电源、排气速度和真空度,其中生产节拍的加快对前两因素的影响最为重大。在上海广电NEC工厂的15-26英寸工艺设备进行实验并取...
文档大小:151.67K文档热度:文档分类:论文--毕业论文文档标签:刻蚀工艺研究二氧化硅的工艺研究干法刻蚀刻蚀实验二氧化硅干法工艺实验的系统标签:二氧化硅...
1、上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名张新言申请学位级别硕士专业平板显示指导教师李荣玉;陈勤达20090901上海交通...
内容提示:上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901...
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本文基于对相变材料的干法刻蚀工艺研究,将其运用到相变存储器的工艺中,了T型结构的相变存储器单元,并与剥离工艺的不同相变材料的T型结构单元对比,比较了两种工艺...
干法刻蚀从简单的去胶和有机物灰化这样的刻蚀初始阶段,经过了各种材料刻蚀工艺条件的选择和提高刻蚀图形的精确性、选择性等第二阶段,目前已发展到了第三阶段。在这个阶段里,...