因此,对新型光刻胶材料的研发愈加显得迫切,而成膜树脂作为光刻胶的重要组成部分,成为制约光刻胶发展的瓶颈。.本论文一系列不同结构的成膜树脂并进行了结构表征,研究了成膜树脂与光刻性能间的关系,初步探索光刻工艺对其显影性能的影响。.本论文...
光刻胶和光刻机是半导体产品制造必须打两大关键材料。光刻胶又称光致抗蚀剂(photoresist),是利用光化学反应进行图形转移的媒体,它是一类品种繁多、性能各异,应用极为广泛的精细化学品,本文主要介绍在电子工业中应用的各类光刻胶。
微电子工艺——光刻工艺学生姓名电子科学与技术指导教师二O一三光刻工艺南京信息工程大学电子工程系，南京摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。.被...
光刻工艺的研究论文.doc,毕业设计（论文）报告题目光刻工艺的研究系别专业液晶显示技术与应用班级学生姓名学号指导教师2012年3月光刻工艺的研究PAGEiv光刻工艺的研究摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
8月26日，相关论文以《用蜘蛛丝作为光刻胶优于15nm分辨率的三维电子束光刻技术》（3Delectron-beamwritingatsub-15nmresolutionusingspidersilkasaresist）为题发表在NatureCommunications上。
图2曝光系统简易图根据曝光方式的不同，光刻机主要分为3种，接触式，接近式以及投影式，如图3所示。接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时，掩模压在涂有光刻胶的晶圆片上，优点是设备简单，分辨率高，没有衍射效应，缺点是掩模版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片...
缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。
集成电路工艺之光刻与刻蚀工艺.电子科技大学中山学院ChaplithographyIntroduction光刻电子科技大学中山学院图形曝光（lithography，又译光刻术）利用掩膜版（mask）上的几何图形，通过光化学反应，将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上（称为光致抗蚀...
<正>光刻胶又名"光致抗蚀剂",是一种在紫外光等光照或辐射下,其溶解度会发生变化的薄膜材料。光刻胶的较为复杂,通常由增感剂、溶剂、感光树脂以及多种添加剂...
回答：具体要写什么?就是副光刻胶的话,范围太广
1.3.2硫醇/烯光聚合在光刻胶中的应用第35-36页1.3.3硫醇/烯光聚合在降解材料中的应用第36-38页1.4紫外可逆交联剂第38-43页1.4.1种类及反应机理第38-39页1.4.2主...