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在众多开关电源产品所使用的的器件中,硅基半导体器件使用最为广泛。由于硅基器件的性能极限逐步近,寻找替代品已经逐步成为提高功率密度的重要方向。氮化镓器件相对于硅基器件具有更宽的带隙,因此其比硅能承受更高的电压,有用更好的导电能力。
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第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
第三代半导体是指化合物半导体，包括SiC(碳化硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁带半导体材料（导带与禁带间能隙差Eg>2.3eV）。
氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
来源：本文内容来自微信公众号半导体行业观察（ID：icbank）日前，珠海英诺赛科8英寸硅基氮化镓电力电子器件量产线在珠海正式通线。据介绍，这是国内乃至世界首条8英寸硅基氮化镓量产线。从这个角度看，那就意味…
除了基站射频收发单元陈列中所需的射频器件数量大为增加，基站密度和基站数量也会大为增加，因此相比3G、4G时代，5G时代的射频器件将会以几十倍、甚至上百倍的数量增加，因此成本的控制非常关键，而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势，随着硅基氮化镓技术的成熟，它能以最大的性价比…
氮化镓功率器件相较传统硅器件而言，在诸多方面都有绝对的优势。本次展会招募的这10家氮化镓功率器件原厂中，各家的氮化镓器件都已经达到了量产级别，配套开发的参考设计更是多达数十款，为氮化镓快充市场的进一步繁荣提供了强有力的技术支撑。
氮化镓电力电子器件目前的主流方案是硅基氮化镓，也就是说，在硅片上外延生长一层氮化镓薄膜，并以此为基础电力电子器件。这种方法大幅降低了氮化镓器件的成本，加速了先进技术的落地和市场化。但是，另一方面也限制了器件的性能。
二、第三代半导体介绍.1、氮化镓.氮化镓可以在1~110GHz范围的高频波段应用，三大应用领域是LED（照明、显示）、射频通讯、高频功率器件。.LED应用方面，最近火的miniLED就用到了氮化镓，射频应用方面主要是基站PA，华为找三安集成代工的就是这个东东...
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(来自SEMI中国)楚传仁的研究团队成功掌握了固态硬盘的核心技术,提出全新的eRAID阵列概念,并设计出固态硬中航(重庆)微电子成功研制8英...
硅基氮化镓电流扩展为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通...卫静婷...
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10吴真龙;选择性横向外延生长半极性面GaN材料及器件光电性质研究[D];南京大学;2016年中国硕士学位论文全文数据库前10条1张恒;硅基氮化镓材料外延生长的第一性原理研究[D];...
(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:氵bJ廴缸导师签名:丿摘要I摘要因具有高击穿电压、高电子迁移率、高饱和电子速度和高载流子迁移率...
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