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本论文用原子层沉积(ALD)的方法生长氧化锌薄膜,研究了ZnO生长过程中前驱体剂量与生长温度对ZnO-TFTs性能的影响,在此基础上确定了最优的工艺。器件的电学性能优异:载流子饱和迁移率高达36.4cm2/Vs、开关比为2.86×109,开启电压为-0.98V。
这项技术称为分子层刻蚀（molecularlayeretching,MLE），相关论文已在ChemistryofMaterials杂志发表（链接见后文）。为了将微电子器件造得更小，制造商必须把越来越多的电路塞进更小的薄膜和3D结构中，现如今是用薄膜沉积和刻蚀技术来实现的，这种技术可以一次生长或去除一层膜。
磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜工艺研究.【摘要】：氧化铟锡(ITO)是一种宽禁带、高掺杂的n型半导体,广泛应用于各种显示屏幕的透明电极中。.大多数研究者都关注于在200～400℃的基底温度下多晶ITO薄膜,研究其工艺,优化其光学和电学性质。.然而...
作为研究较为广泛的氧化物半导体，ZnO具有宽禁带、透明、高迁移率和低成本的优点。基于原子层沉积（ALD）工艺可以在低温下大面积地沉积高质量薄膜的特点，该团队采用了与以往磁控溅射不同的ALD工艺在190℃了ZnOTFT。
太阳能电池材料ZnOAL薄膜结构与性能研究第二章ZnOAl薄膜的性质、应用、方法和发展趋势2.1ZnOAl薄膜的特性ZnO是一种新型的-族宽禁带氧化物半导体材料，为六方纤锌矿结构。.ZnO薄膜材料，尤其是C轴取向占优势的ZnO薄膜，具有很好的光学和电学特性...
论文还论述了退火工艺对有机薄膜晶体管器件性能的影响。分别做了80＇U－－220＂C条件下（间隔是20＂（2）的真空和两种环境下对器件进行1个小时的退火。经过退火后的测试，发现在160条件下真空环境里器件的性能比退火之前具有了很大的...
半导体封装技术分析与研究毕业论文毕业,论文,和,毕业论文,半导体技术设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装...
薄膜太阳能电池越来越成为研究的热点对象。下面重点介绍下本实验组正在研究的-族化合物半导体CuInSe和CdTe薄膜太阳能电池。1.5.1CuInSe薄膜太阳能电池1.5.1.1CuInSe薄膜太阳能电池的发展历史和特点CuInSe是一种--族三元化合物半导体材料。
CIGS薄膜，如何评估这个膜层，该膜层有什么样的性能才能保证CIGS薄膜太阳能器件具有优良的电学性能呢？首先要摸索一下，知道大概什么工艺条件下的沉积速率是多少，然后就可以根据方阻大改判断膜的好坏了，但要想有这种判断前期试验要做细致，结构光电性能测试都少不了，这是经验积累的…
半导体工艺实习实验指导书（PDF）,计算机网络实验指导书,焊接工艺指导书,实验指导书,c语言实验指导书答案,vb实验指导书答案,信号与系统实验指导书,电路实验指导书,装配工艺指导书,工艺作业指…
半导体薄膜技术与物理[毕业论文].ppt,*若两种反应物处在同一能量状态,则Ti、Zn和O2的反应活化能Ea大约分别为0.2eV和0.17eV,但常温基板表面的氧分子完全处于钝...
薄膜技术与工艺论文.doc,AZO薄膜光电性能的研究AZO薄膜的应用和发展及其主要性质作为新型太阳能电池窗口层应用的AZO薄膜,是性质优良的Ⅱ一Ⅵ族掺杂宽带隙直接...
天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名:刘晓申请学位级别:硕士专业:材料学指导教师:靳正国20031201文摘要采用液相薄膜制各工...
SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究(精品论文)下载积分:2000内容提示:中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR(连续离子层吸附反应)法,于玻璃衬底上制...
北京工业大学硕士学位论文半导体薄膜材料表面结构形貌及润湿性能控制研究姓名:刘毅申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:王波20080701摘要润...
针对此问题,为探索简单可行的2维SnO半导体薄膜及2D微纳电子器件的工艺及特性,本论文采用了射频磁控溅射技术,开展了2维SnO半导体薄膜材料的及特性研究工作。主要研究...
尺度的微粒进行探索【7】;1963年,河雨大学2010届坝士学位论文2010.6Uyeda...然而,由于上述传统太阳电池在原材料获取、工艺技术、生产成本及广泛商业...
可以预期在不久的将来,薄膜太阳能电池将与晶体硅和其他新兴太阳能电池三分天下。南通大学毕业设计(论文)第三章利用软件TCADTCAD对太阳能光伏特性TCADTCAD概...
半导体薄膜工艺根据可靠性、薄膜质量、生产成本和生产效率选择相应的制作方法,通常把PECVD才直接称为淀积工艺。2PECVD淀积工艺等离子体增强化学气相淀积PE...
书名:半导体薄膜技术与物理作 者：叶志镇吕斌出版社：浙江大学出版社出版时间：2008年09月...