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基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究离子,薄膜,与,离子注入,研究,半导体,技术的,与沉积技术,ECI,半导体研究中国科学院上海原子核研究所硕士学位论文基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究姓名：刘华明申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师...
学术论文：PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究.氧化锌（ZnO）是新一代的II一族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子能为60meV，可以实现室温下的受激发射。.ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于...
天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR（连续离子层吸附反应）法，于玻璃衬底上了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及（Zn．，Cd）S复合薄膜。
化学气相沉积技术发展与应用论文.doc,化学气相沉积技术的发展与应用【摘要】本文介绍了化学气相沉积技术的发展及其应用，在分析其原理、特点的基础上，介绍几种常用的化学气相沉积技术，并对其未来的发展趋势提出构想。【关键词】化学气相沉积、发展、应用1、化学沉积技术的发展现代...
半导体制造工艺薄膜沉积(上)重点.ppt,ChemicalVaporDepositionCVDSinglecrystalepitaxy化学气相淀积（CVD）单晶外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜半导体、介质、金属薄膜常压化学气相淀积（APCVD），低压CVDLPCVD，等离子体增强淀...
书名:半导体薄膜技术与物理作者：叶志镇吕斌出版社：浙江大学出版社出版时间：2008年09月ISBN:9787308066174开本：16开定价:36.00元编辑本段内容简介《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术...
当今，很多技术的核心之处就在于半导体器件。随着摩尔定律走向极限，十分有必要寻找一种新的方法，将更多的电路封装到单个设备中，以提高设备的计算速度和性能。近日，美国能源部阿贡国家实验室的研究人员开发出…
1半导体技术.半导体制造技术是半导体产业发展的基础，制造技术水平的高低直接影响半导体产品的性能及其发展。.光刻，刻蚀，沉积，扩散，离子注入，热处理和热氧化等都是常用的半导体制造技术[2]。.而光刻技术和薄膜技术是半导体制造技术中最...
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
书名:半导体薄膜技术与物理.作者：叶志镇吕斌.出版社：浙江大学出版社.出版时间：2008年09月.ISBN:9787308066174.开本：16开.定价:36.00元.编辑本段内容简介.《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术及其相关的物理基础。.
半导体技术——脉冲激光沉积法ZnO薄膜的研究进展_电子/电路_工程科技_专业资料。基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点.综述了各种沉积条...
本发明提供了一种薄膜沉积方法,包括:对第一沉积腔体热机;对第二沉积腔体热机;对第一沉积腔体预处理,在第一沉积腔体内沉积薄膜,对第一沉积腔体清洗(Clean),后处理并退出晶片;...
摘要本论文主要包括两方面的内容:(1)用脉冲激光沉积法(PLD)法在不同的基片上了窄禁带半导体PbSe薄膜,系统地研究了工艺参数对薄膜结构及形貌的影响,测...
论文>论文指导/设计>半导体薄膜材料的研究现状小组成员:XXX薄膜方法按物理、化学角度来分,有:利用蒸发、溅射沉积或复合的技术,不涉及到化学反...
用脉冲激光沉积法半导体薄膜及其性能的研究.pdf,摘要本论文主要包括两方面的内容:(1)用脉冲激光沉积法(PLD)法在不同的基片上了窄禁带半导体PbSe薄膜,系统地研究了...
本论文对使用PECVD方法沉积薄膜进行了深入研究,总结了沉积工艺参数对沉积薄膜性能的影响,系统研究了氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜在半导体光电子器件中的应用,...
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理,解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理,寻找影响薄膜和器件高迁移率的因...
因此,本文关注于高介电薄膜材料的原子层沉积(ALD)技术、表征及其在微电子领域的应用,首先验证了南京大学国家“863"计划新材料MO源研究开发中心等的多种ALD金属有机前...
电化学沉积氧化亚铜半导体薄膜及其光伏应用-材料科学与工程专业论文.pdf.docx,摘要摘要摘要摘要传统化石能源的过度开发和使用所带来的能源枯竭和环境污染是...
本论文主要包括两方面的内容:(1)用脉冲激光沉积法(PLD)法在不同的基片上了窄禁带半导体PbSe薄膜,系统地研究了工艺参数对薄膜结构及形貌的影响,测试了Pb...