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FeSi2半导体薄膜的研究进展.(1.江汉大学物理与信息工程学院,武汉430056；2.武汉市东西湖区教育局,武汉430040)要：综述了半导体-FeSi2薄膜的、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展，讨论了几种用于Si衬底上外延生长-FeSi2薄膜方法...
新型半导体IGZO薄膜生长条件对性能影响的研究进展.doc,毕业论文（设计）论文（设计）题目：新型半导体IGZO薄膜生长条件对性能影响的研究进展姓名尤红权学号201000100134学院物理学院专业微电子科学与工程年级2010级指导教师...
ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展.【摘要】：目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。.本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO...
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
东北师范大学硕士学位论文透明导电氧化物半导体的及电学性质研究进展姓名：胡雪梅申请学位级别：硕士专业：薄膜物理指导教师：刘玉学20091101透明导电氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）薄膜的研究最早开始于20世纪初，1907年Badwker首次了CdO透明导电薄膜，从此引发了透明导电...
【摘要】：目的综述ZnO基稀磁半导体(DMS)纳米薄膜材料的研究进展概况,揭示本研究领域存在的某些问题,并在此基础上分析其发展前景。方法参考58篇相关文献,对其结构和掺杂体系进行总结和比较。结果从ZnO基DMS纳米薄膜材料的方法、掺杂其它元素两方面进行了综述,并指出了目前研究中存在的...
中国半导体十大研究进展候选推荐（2020-004）——二维黑磷晶体薄膜首次突破硅基异质外延生长.已有1561次阅读2020-4-2008:55|系统分类:论文交流.1.工作简介.——二维黑磷晶体薄膜首次突破硅基异质外延生长.黑磷是一种具有高载流子迁移率（1000~10000cm2V-1s-1...
中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-001）———埋底界面研究的新方法.在钙钛矿半导体光电子器件中，钙钛矿多晶薄膜的上、下两个界面通常被认为是缺陷富集的区域，对提升器件的性能有着至关重要的影响。.在器件界面研究中，大多数研究工作集中在对...
中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-022）——实现大面积的少层黑磷薄膜生长及其晶体管阵列.半导体微电子设备的快速更新换代有赖于经典的摩尔定律，但在经过一个世纪的发展之后，传统硅半导体工艺技术已经几乎达到了摩尔极限。.新世纪伊始，二维...
学号：09*****有机薄膜太阳能电池的研究进展学院名称：物理与信息工程学院专业名称：物理学年级班别：2009指导教师：2013河南师范大学本科毕业论文本文首先介绍了太阳能电池的基本知识，包括太阳能电池的工作原理、太阳辐射能谱、太阳能电池的评价参数、分类以及发展方向等；其次...
ZnO半导体薄膜的研究进展_物理_自然科学_专业资料。介绍了氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶一凝胶法、激光脉冲沉积法等;分...
期刊论文MnSi1.7半导体薄膜材料研究进展侯清润,-0001,():URL:摘要/描述关键词:问答暂无问题,成为第一个提问者我要提问全部问题【免责声明】以下全部内容由[侯清润...
论文>论文指导/设计>半导体薄膜材料的研究现状小组成员:XXX薄膜方法按物理、化学角度来分,有:利用蒸发、溅射沉积或复合的技术,不涉及到化学反...
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内容提示:·216·材料导报2008年12月第22卷专辑ⅫZnO半导体薄膜的研究进展。吕承瑞,王小平,王丽军,雷通(上海理工大学理学院,上海200093)摘要介绍了氧化锌...
半导体用钨硅薄膜的技术及应用研究进展-钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使...
半导体氧化物薄膜的及其性能研究郝沛沛【摘要】:半导体材料指的是导电性能介于金属和绝缘体之间,具有半导体特性,室温下电导率σ约在10-8~105S·m-1范围内的材料。而且...
半导体薄膜技术与物理[毕业论文].ppt,*若两种反应物处在同一能量状态,则Ti、Zn和O2的反应活化能Ea大约分别为0.2eV和0.17eV,但常温基板表面的氧分子完全处于钝...
《2013年广东省真空学会学术年会论文集》2013年收藏|手机打开非晶氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展张群【摘要】:正目前,有源显示技术中普遍使用非晶硅(a-Si:H)和低温...
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