该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。第三代半导体最成熟的两大品类：SiC、GaN第三代半导体指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化物半导体（如氧化锌ZnO）、III族氮化物（如氮化铝AlN）、金刚石半导体等宽禁带半导体材料。
【摘要】：氮化镓基电力电子器件在电力电子领域具有很大的应用潜力,其击穿电压的相关研究至关重要。目前GaN基电力电子器件的击穿电压距离其理论极限还有很大的距离,这就意味着其击穿特性还有很大的提升空间。为了充分提高GaN基电力电子器件的击穿特性,就需要对其击穿机理进行研究。
学位论文库会议论文库年鉴全文库学术百科工具书学术不端检测注册|登录|我的账户基础科学|工程科技I辑|工程科技II辑|医药卫生科技|信息科技|农业科技...
概述|第三代半导体材料氮化镓（GaN）的应用和局限.一般而言，GaN晶体管比传统硅器件更快且更有效。.但如果是这样的话，有什么限制可以阻止它从宝座上取下硅芯片？.硅技术正在接近其极限。.同时，仍然需要更快，需要更有效的电路。.从这一点开始...
原标题：新材料：2020年第三代半导体氮化镓GaN行业研究报告.来源：华安证券.一、第三代半导体GaN：射频、电源、光电子广泛运用.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。.第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
2021-07-21.GaN世界·2021-07-21.一文看懂氮化镓：纳微最全介绍，带你极速认识第三代半导体.以下文章来源于纳微芯球，作者纳微半导体.纳微芯球.全球首个氮化镓功率芯片研发团队纳微半导体，拥有100多项技术专利，覆盖欧美亚太，引领行业发展，定义快充新...
山东大学硕士学位论文氮化镓光学性质研究及氮化镓基光电探测器性能测试姓名：连传昕申请学位级别：硕士专业：光学工程指导教师：刘骥;李向阳20040320山东大学颐士学位论文摘要氮化镓（GaN）是一种直接宽带隙半导体材料，具有优异的物理和化学性质，是高温、高功率、高频电子...
最新博士论文—《基于氮化镓晶体管高频和快速开关下的效应分析及解决方案研究》摘要第1-6页abstract第6-16页第一章绪论第16-27页1.1研究背景及意义第16-19页
西电新闻网讯（通讯员刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一...
发表期数:2017年8月第16期引用格式:沈鸿媛,杨杰,苑振宇,等.基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的高温电子电路研究[J].中国科技论文在线精品论文,2017,10(16):18...
为了充分提高GaN基电力电子器件的击穿特性,就需要对其击穿机理进行研究。本论文就是在此背景下对GaN基电力电子器件的击穿机理展开了广泛而深入的研究。本文的第二章对GaN基HE...
3..GaN功率器件的应用由于GaN器件优异的性能和将来可能低廉的成本,最近,其在电力电子领域的应用取得了较大突破.知名市场论文范文IMS的调查报告预计[14],2015年...
1、由于硅功率器件的开关速度、转换效率和工作温度等已经不能满足日益发展的电源转换电路发展的需求,近年来宽禁带半导体功率器件成为国内外研究的热点,特别是GaN...
【摘要】:随着科技的不断发展,宽禁带半导体器件目前已成为半导体行业的研究热点。GaN材料以其独特的极化效应、优异的热电性质和稳定的物理化学性质等优点,成为当前最为热门的...
氮化镓化合物论文氮化镓化合物论文氮化镓纳米晶的低温固相姓名:化泽瑞学号:1007044108院系:化学系专业:应用化学指导教师:焦晨旭完成日期:201...
半导体技术论文高分子材料论文:半导体材料的发展现状在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材...
硕士博士毕业论文—高效率和大功率氮化镓半导体放大器研究
纳微首席技术官兼首席运营官DanKinzer表示:“CPSSC是亚洲电力电子行业重要的技术会议,共有450多份同行评议的技术论文和1000多名来自行业和学术界的与会者。中...