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毕业论文>磷化铟基可调谐半导体激光器和单片集成光子路由器研究论文作者签名：指导教师签名：论文评阅人l：委员2：隋成华教授浙江工业大学委员3：乐孜纯教授浙江工业大学委员4：Y相56242InPBasedTunable...
毕业论文2.1.3国内外磷化铟单晶材料研究现状虽然InP是最早被出的-族化合物半导体材料，但直到20世纪70年代后期，以InP衬底制作的长波激光器实现室温下激射后，InP才逐渐引起人们的重视，才开始了InP单晶材料和器件应用的研究。
IIIV族半导体磷化铟和磷化镓纳米材料的研究分析.doc,III-V族半导体磷化铟和磷化镓纳米材料的研究进展#朱长青，郑茂俊，李宏**510（上海交通大学物理系）摘要：磷化铟和磷化镓都具有闪锌矿型结构的III-V族化合物半导体，自从电化学刻蚀多孔硅出现之后，这种电化学刻蚀的方法也被应用到...
毕业论文>高质量、大直径磷化铟单晶研究天津大学硕士学位论文高质量、大直径磷化铟单晶研究姓名：孙聂枫申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：吴霞宛;郭维廉20040201中文摘要中文摘要InP以其众多的优越特性使之...
硕士论文致谢—《低毒高效磷化铟量子点的及其应用研究》摘要第1-6页Abstract第6-9页第一章绪论第9-22页·引言第9页·半导体量子点概论
本论文旨在研究磷化铟材料的耿氏源的关键技术与工艺,其中核心器件的研究与工艺的开发是目前国内研究的重点,探索目前国内的常规技术与微电子耿氏器件的工艺相结合,以解决耿氏器件的刻蚀、金属半导体接触、测量、散热、等技术难题。
提供半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状文档免费下载，摘要:半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和...
浅谈半导体材料的应用及发展前景毕业论文论文报告.doc,毕业论文毕业设计开题报告论文报告设计报告可行性研究报告远程与继续教育学院专科毕业大作业题目：浅谈半导体材料的应用及发展前景站点：东莞学习中心指导教师：张施娜学号：4401012310097专业：机电一体化技术年级：2014秋姓…
半导体激光器的原理及应用论文.2007121115指导教师：张宁玉完成日期：2010年10月21目录摘要IIABSTRACTIV前言11.1光纤传感器技术及发展1光纤传感器的发展历程32.1光纤传感器的发展简史32.2光纤传感器的原理及组成42.2.1基本原理42.2.2光纤传感器的基本组成5...
「我们的技术在国际上首次实现了一种全新的集成光电子器件，攻克了集成光子芯片领域近10年来的里程碑目标，将半导体激光器和非线性光频梳在一个芯片上实现完全的集成和功能化。」如今，半导体激光器在光纤通信领域…
(一)磷化铟半导体电学性能突出磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)相比,电学等物理性质优势突出,在半导体光通信领域应用占据优势。1)磷化铟具有高电子峰值漂移速度、高禁带宽度、...
微电子学与固体电子学专业毕业论文精品论文InP晶体、生长和特性关键词磷化铟晶体晶体单晶生长热稳定性半导体材料摘要磷化铟InP已成为光电...
这也就是本论文主要研究的课题内容。1.2InP半岛特材料的基本性能磷化铟(InP)是由III族元素铟(In)和V族元素磷(P)化合而成III-V族化合物半导体材料。InP具有闪锌...
III-V族半导体磷化铟和磷化镓纳米材料的研究进展#朱长青,郑茂俊,李宏**510(上海交通大学物理系)摘要:磷化铟和磷化镓都具有闪锌矿型结构的III-V族化合...
文档格式:.doc文档页数:5页文档大小:24.0K文档热度:文档分类:论文--毕业论文文档标签:半导体材料范文化镓磷化铟半导体材料发展应用论文范...
摘要:本发明提出一种快速地半导体材料磷化铟(InP)的新方法.本发明中采用硝酸铟为铟源焙烧后得到氧化铟(In主权项:本发明提出一种快速地半导体材料磷化铟(InP)的新...
1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研究成功,使得半导体器件的设计与制造从“杂志工程”发展到“能带工程”,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域...
半导体概念一共有27家上市公司,其中11家半导体概念上市公司在上证交易所交易,另外16家半导体概念上市公司在深交所交易。根据龙头挖掘机自动匹配,半导体概念股的龙头股最有可能从以下几个股票中诞...
许多LED研究者通过将使用图形化蓝宝石衬底实现以相对较低的成本达,碳化硅,砷化镓,磷化铟等材料。尽管像一些碳化硅特别是砷化镓和磷化铟器件也会以硅或者蓝宝石...
磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、导热好的优点,与砷化镓半导体材料相比,它具有击穿电场、热导率、电子平均速度均高的特点。磷化铟半导体材料具有宽禁带结构...