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硅及氮化镓基半导体功能器件新结构和工艺研究.【摘要】：随着科技的不断发展,宽禁带半导体器件目前已成为半导体行业的研究热点。.GaN材料以其独特的极化效应、优异的热电性质和稳定的物理化学性质等优点,成为当前最为热门的宽禁带半导体器件材料,以...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作...
高压功率器件结终端技术分析与新结构研究,功率器件终端结构,功率器件,氮化镓功率器件,功率半导体器件,功率半导体器件基础,碳化硅功率器件,大功率器件,功率器件封装,功率半导体器件pdf
来源：内容来自公众号半导体行业观察（ID：icbank）,谢谢！IEDM（国际电子器件会议）是半导体器件领域最顶尖的会议。最近IEDM在美国旧金山召开，汇聚了来自全球的顶尖研究成果。本届IEDM的主题是“智能时代的新型…
郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展日期：2018-12-1310:46点击量：作者简介：郝跃，中国科学院院士，国家自然科学基金委员会信息科学部主任，西安电子科技大学教授，研究方向为宽禁带半导体器件与材料、微纳半导体新器件与新...
半导体有哪些好文的方向？.1.导师很佛系，不管不问，完全放养；2.本科并不是微电子专业，没有基础；3.只求安心毕业，希望大佬们给个建议，做好用TCAD。.
功率MOSFET的研究与新发展.张波.【摘要】：正引言从1975年美国IR公司推出VVMOS(verticalvgrooveMOSFET)以来,功率MOSFET得到快速发展,已成为中小功率应用领域的主流功率半导体开关器件。.功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展,将器件...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作，针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究，探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。.相关研究成果在Advanced...
高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究.【摘要】：作为全控型器件,MOS栅控功率器件具有高输入阻抗、易驱动等优点,而占分立器件最大市场份额并是功率集成电路的主力功率单元,是AC-DC、DC-DC转换以及功率驱动等芯片的核心器件。.功率器件的关键在于...
硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件具有击穿电压高、工作温度高和工作频率高等优异性能,是电力电子领域极为理想的半导体器件,现已成为国际半导体领域的研究热点之一。因增强型功率器件具有安全性高及驱动简单等优点,如何出高性能的GaN-on-Si增强型功率器件是学者们关
【摘要】:随着科技的不断发展,宽禁带半导体器件目前已成为半导体行业的研究热点。GaN材料以其独特的极化效应、优异的热电性质和稳定的物理化学性质等优点,成为当前最为热门的...
本文主要围绕用于辐射探测的新型半导体器件结构开发,介绍了传统半导体探测器结构的主要类型、发展现状和存在的问题,针对这些问题,研究了三种新型半导体器件结构,并通过Santau...
内容提示:广西大学硕士学位论文半导体器件计算机模拟新方法研究姓名:刘珺申请学位级别:硕士专业:控制理论与控制工程指导教师:龚仁喜20050601摘要半导体器...
二维层状材料原子级的厚度使其拥有独特的物理和化学性质,其中二维半导体材料更具有材料多样,能带结构丰富且可调等特点,是有希望继续延伸摩尔定律的新型材料之一;此外相较于传统的半...
当前，半导体器件的集成即将达到传统硅基半导体材料的物理极限。此次获得自然科学一等奖的“高迁移率半导体二维黑鳞的发现”项目由复旦大学和中国科技大学共同合作，探寻物理世界中...
摘要:随着科技和经济的进步发展,半导体器件在我们生活中的应用越来越广泛,而在半导体器件中有机半导体应用最为广泛。本文即将探索和解说有机半导体器件的电学性能,揭开其神秘...
能源,材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱.材料方面,电子材料的进展尤其引人注目.以大规模和超大规模集成电路为核心的电脑的问世极大地推动了现代...费多...
来源:内容来自公众号半导体行业观察(ID:icbank),谢谢!IEDM(国际电子器件会议)是半导体器件领域最顶尖的会议。最近IEDM在美国旧金山召开,汇聚了来自全球的顶尖研究成果。本届IEDM的...
2.4半导体器件缺陷定位技术的应用流程以本论文中使用到的流程为例,分析者会检查半导体器件的失效背景和失效模式的描述,并运用测试平台以及相应的设备对失效的...