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新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作，针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究，探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。.相关研究成果在Advanced...
新型二维半导体：从集成电路工艺到芯片制造，微电子学院包文中课题组最新研究进展.人工智能和可移动终端的迅猛发展，导致对芯片高算力和低能耗的要求越来越高。.而目前集成电路最先进的晶体管沟道长度和厚度开始逐步接近原子尺度，而传统半导体材料...
全部作者的其他最新博文•半导体学报2021年第11期——中文导读•半导体学报2021年第10期中文导读——柔性能源器件专刊•中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-028）——室温和高湿度下稳定的α-FAPbI3钙钛矿及其高效稳定光伏器件•中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-027）——室…
氮化物半导体电子器件新进展.郝跃张金风张进成马晓华郑雪峰.【摘要】：氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构...
郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展日期：2018-12-1310:46点击量：作者简介：郝跃，中国科学院院士，国家自然科学基金委员会信息科学部主任，西安电子科技大学教授，研究方向为宽禁带半导体器件与材料、微纳半导体新器件与新...
超结VDMOS器件的研究及最新进展.1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都6100542．华虹－NEC电子有限公司，上海201206摘要：超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。.本文介绍了超结理论的提出...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作...
半导体激光器的最新进展及应用现状.发布时间：2018/11/11来源：《电力设备》2018年第18期作者：黄志焕.[导读]摘要：随着半导体技术的发展，半导体激光器所涉及的领域也在不断扩展，其应用领域的范围已覆盖光电子学的很多方面，半导体激光器已成为光...
全部作者的其他最新博文•半导体学报2021年第11期——中文导读•中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-029）——成功实现二维半导体集成电路成套工艺•中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-028）——室温和高湿度下稳定的α-FAPbI3钙钛矿及其高效稳定光伏器件
晓晨.英国半导体器件研究进展[J].激光与光电子学进展,1992,29(10):24-26您的浏览器不支持PDF插件,请使用最新的(Chrome/FireFox等)浏览器.或者您还可以点击此处下载该...
二维层状材料原子级的厚度使其拥有独特的物理和化学性质,其中二维半导体材料更具有材料多样,能带结构丰富且可调等特点,是有希望继续延伸摩尔定律的新型材料之一;此外相较于传统的半...
高频功率半导体器件的新进展_IT/计算机_专业资料。维普资讯cqvip高频功率半导体器件的新进展材超H容后控G件双z电者制,在固直下原降大...
IEDM是微电子工艺与器件领域的两个顶级会议之一,通常在每年12月举行,另一个是每年夏天举办的VLSI会议。会议面向学术圈和各大半导体公司的研发人员,发布最新研究成果和业界进展。相...
【摘要】:GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件...
文秘帮半导体论文范文,1980年前,我国半导体产业已经形成较完整的包括设备、原料、制造、工艺等方面的科研和生产体系,主要分布于原电子部(信息产业部)、中国科...
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日前,郑州大学物理学院在石墨相氮化碳(g-CN)薄膜的可控和光电器件领域取得进展,相关成果以题为“Wafer-scalegrowthoftwo-dimensionalgraphiticcarbonnitridefilms”的论...
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。关...
Vol.64,(2015)038807专题:新型太阳能电池专题铁电半导体耦合光伏器件的历史与最新进展(中国科学院电工研究所中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室...