清华教授研究论文

来自清华、北大、上海交大；腾讯、华为、京东、字节跳动，和炙手可热的AI研发机构北京智源人工智能研究院等十多家知名机构的数十名国内AI大牛参与署名的论文，被Google Brain的一名研究员指出严重抄袭。被指控的论文名为《A Roadmap for Big Model》（下称《大模型》）。名叫Nicholas Carlini的研究员近日在其博客中直接罗列了大量该论文与他更早发布的“Deduplicating Training Data Makes Language Models Better”论文一摸一样的段落。而且，他还表示，被抄袭的可能至少还有其他十余篇论文。查阅预印本服务器arXiv可以发现，谷歌大脑研究员的论文上传时间为去年七月份，而《大模型》的上传时间在今年三月。Nicholas Carlini在其博客中表示：“很可能只有少数作者参与了这种抄袭，一小部分作者的不当行为不应该被用来指责大多数行为良好的作者。”

芯片制造产业离不开光刻机设备，若是没有光刻机的话，可能一颗芯片都造不出来。如果是生产普通的低端芯片，那么中低端光刻机就足够了。可是要生产5nm及以下的话，必须要用上EUV（极紫外光源）光刻机。

可是全球唯一能生产EUV光刻机的企业是荷兰ASML，台积电，三星若是要生产5nm芯片，也必须采购ASML的EUV光刻机。

其实EUV光刻机之所以重要，是因为光源的问题。波长越短，功率越大的光源，才能够制造高端芯片。EUV光源波长为，被用在EUV光刻机上之后，工作波长只有头发直径的一万分之一。

只有精细到极致的波长光源，才能在指甲盖大小的芯片上雕刻上百亿根晶体管。光刻机波长不断缩短，已经演化到最新一代的EUV极紫外光源。

EUV光源的重要性体现在能否生产5nm芯片，光刻机一共经历过5代发展。第一代G-kien光源波长为436nm，可生产制程为800到250nm的芯片。往后发展分别经历了第二代的i-lien，第三代的KrF，第四代的ArF和第五代的EUV。

也就是说，每一代光刻机的进步其实都是光源的进阶，如果能解决光源的问题，相信大部分难题都能迎刃而解。所以在光源的问题上，清华大学传来了好消息。

2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥及研究所在《自然》上发表了“稳态微聚束原理的实验演示”的研究论文。其中重点指出一种新型粒子加速器光源 “稳态微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。

根据这则消息可知，清华大学在一种光刻机所用的光源上取得了重要实验验证，在SSMB光源的基础上，有望实现更高功率，高重频和窄带宽的相干辐射。最重要的波长可以覆盖到最高EUV波长。

据唐传祥表示，SSMB的潜在应用之一是未来的EUV光刻机光源，这也是国际 社会 重点关注SSMB研究的重要原因。

清华大学教授一句话道出了重点，其团队和科研人员研究的SSMB有望用作未来的EUV光刻机光源，波长可覆盖到层次。

同时唐传祥还说到，基于SSMB的光源有望解决自研光刻机最核心“卡脖子”的难题。当然，还需要上下游产业的配合，才能获得真正成功。

清华大学传来的好消息足以振奋人心，在最关键的芯片制造设备光刻机上，已经取得光源的重要突破。看来中科院的布局初见成效。

去年中科院院长白春礼宣布要入局光刻机，当时这则消息引起了业内人员的重视。时至今日，终于在光刻机的布局上初见成效。

虽然清华大学教授也说到，还需要上下游产业的配合，但相信随着时间的推移，下一次不只是解决光刻机光源问题，而是在双工件台、曝光系统、物镜系统等方面都实现同步技术对接。

为国产光刻机迈入高端时代，奠定基础。回到此次清华大学突破光刻机光源本身，已经让光刻机的布局更进一步了。

尽管此次取得进步，但也不可太过骄傲，因为对于国产光刻机产业链来说，还有很长一段路要走。只有不断攻坚克难，坚持到底，才能迎来胜利的曙光。

国外有ASML这样的光刻机巨头，中国还有上海微电子、华卓精科、长春国科、北京国望光学等等众多的国产光刻机玩家。再加上中科院，清华大学这样国内顶级学府机构，再大的困难也会取得突破。

有一就有二，有二就有三，有了这次的突破，一定还会有下一次。期待中国再次传来光刻机产业取得进步的好消息。

对清华大学传来的好消息你有什么看法呢？

【新智元导读】 2月25日，清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在《自然》上发表研究论文《稳态微聚束原理的实验演示》，报告了一种新型粒子加速器光源「稳态微聚束」的首个原理验证实验。与之相关的极紫外光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。

最现代的研究用光源是基于粒子加速器的。

这些都是大型设施，电子在其中被加速到几乎是光速，然后发射出具有特殊性质的光脉冲。

在基于存储环的同步辐射源中，电子束在环中旅行数十亿转，然后在偏转磁体中产生快速连续的非常明亮的光脉冲。

相比之下，自由电子激光器(FEL)中的电子束被线性加速，然后发出单次超亮的类似激光的闪光。

近年来，储能环源以及FEL源促进了许多领域的进步，从对生物和医学问题的深入了解到材料研究、技术开发和量子物理学。

现在，一个中德团队证明，在同步辐射源中可以产生一种脉冲模式，结合了两种系统的优点。

2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心（HZB）以及德国联邦物理技术研究院（PTB）的合作团队在Nature上发表了题为《稳态微聚束原理的实验演示》（ Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching ）的论文。

报告了一种新型粒子加速器光源「稳态微聚束」（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。

该研究与极紫外（EUV）光刻机光源密切相关，有望为EUV光刻机提供新技术路线。

SSMB光源首个原理验证实验，中德团队登上Nature

同步辐射源提供短而强烈的微束电子，产生的辐射脉冲具有类似于激光的特性（与FEL一样），但也可以按顺序紧密跟随对方（与同步辐射光源一样）。

大约十年前，斯坦福大学教授、清华大学杰出访问教授、著名加速器理论家赵午和他的博士生Daniel Ratner以提出了「稳态微束」（SSMB）。

赵午教授

该机制还应该使存储环不仅能以高重复率产生光脉冲，而且能像激光一样产生相干辐射。

来自清华大学的青年物理学家邓秀杰在他的博士论文中提出了这些观点，并对其进行了进一步的理论研究。

2017年，赵午教授联系了HZB的加速器物理学家，他们除了在HZB操作软X射线源BESSY II外，还在PTB操作计量光源（MLS）。

MLS是世界上第一个通过设计优化运行的光源，在所谓的 「低α模式 」下运行。

在这种模式下，电子束可以大大缩短。10多年来，那里的研究人员一直在不断开发这种特殊的运行模式。

HZB的加速器专家Markus Ries解释说：「现在，这项开发工作的成果使我们能够满足具有挑战性的物理要求，在MLS实证确认SSMB原理」。

「SSMB团队中的理论小组在准备阶段就定义了实现机器最佳性能的物理边界条件。这使我们能够用MLS生成新的机器状态，并与邓秀杰一起对它们进行充分的调整，直到能够检测到我们正在寻找的脉冲模式」，HZB的加速器物理学家Jörg Feikes说。

HZB和PTB专家使用了一种光学激光器，其光波与MLS中的电子束在空间和时间上精确同步耦合。

这就调制了电子束中电子的能量。

「这使得几毫米长的电子束在存储环中正好转了一圈后分裂成微束（只有1微米长），然后发射光脉冲，像激光一样相互放大」，Jörg Feikes解释道。

「对相干态的实验性探测绝非易事，但我们PTB的同事开发了一种新的光学检测装置，成功地进行了探测。」

SSMB概念提出后，赵午持续推动SSMB的研究与国际合作。

2017年，唐传祥与赵午发起该项实验，唐传祥研究组主导完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，与合作单位进行实验，并完成了实验数据分析与文章撰写。

揭示SSMB作为未来光子源潜力的关键一步，是在真实机器上演示其机制。在新的论文中，研究人员报告了SSMB机制的实验演示。

SSMB原理验证实验示意图

实验表明，存储在准等时环中的电子束可以产生亚微米级的微束和相干辐射，由1,064纳米波长激光器诱导的能量调制后一个完整的旋转。

结果验证了电子的光相可以在亚激光波长的精度上逐次相关。

SSMB原理验证实验结果

在这种相位相关性的基础上，研究人员通过应用相位锁定的激光器与电子轮流相互作用来实现SSMB。

该图示直观地展示了如何通过激光调制电子束来产生发射激光的微束，是实现基于SSMB的高重复性、高功率光子源的一个里程碑。

有望解决EUV卡脖子难题

没有顶尖的光刻机，是我国半导体行业发展的最大瓶颈。

光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻。

大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。简而言之，光刻机需要的EUV光，要求是波长短，功率大。

EUV光刻机工作相当于用波长只有头发直径一万分之一的极紫外光，在晶圆上「雕刻」电路，最后将让指甲盖大小的芯片包含上百亿个晶体管，这种设备工艺展现了人类 科技 发展的顶级水平。

而昂贵的EUV光刻机也正是实现7nm的关键设备，目前，荷兰ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商，而由于禁令，我国中芯国际订购的一台EUV仍未到货。

如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。

目前ASML公司采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长纳米的EUV光源，功率约250瓦。而随着芯片工艺节点的不断缩小，预计对EUV光源功率的要求将不断提升，达到千瓦量级。

SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源。它们产生的类似激光的辐射也超出了 "光 "的可见光谱，例如在EUV范围内，最后阶段，SSMB源可以提供一种新的辐射特性。脉冲是强烈的、集中的和窄带的。可以说，它们结合了同步辐射光的优势和FEL脉冲的优势。

可以说，基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

EUV光刻机的自主研发还有很长的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。

关于作者

本文的通讯作者唐传祥教授是清华大学的博士生导师。

1992年9月－1996年3月，考入 清华大学工程物理系硕博连读。1996年3月获得工学博士学位， 博士学位论文为“用于北京自由电子激光装置的多腔热阴极微波电子枪的研究”。

1996年4月获得博士学位后，留校工作。

1996年7月 1998年6月期间，作为访问学者到德国DESY工作2年。在DESY工作期间，主要进行超导加速结构的优化及测量研究，并与J. Sekutowicz, 等合作提出了Superstructure的超导加速结构。

1998年6月回国后，继续在清华大学从事加速器物理、高亮度注入器、汤姆逊散射X射线源、自由电子激光、新加速原理与新型加速结构、电子直线加速器关键物理及技术、加速器应用等方面的研究。

参考资料：