发表论文的平台如下：
1.知网
这里所说的是知网，是清华大学和清华同方共同办的这个数据库。在前些年他也叫中国期刊网，由于后来有人自己建了个网站也叫中国期刊网，自己收录期刊，假李逵装真李逵。玩文字游戏，导致很多作者上当。
所以现在知网对外不称中国期刊网了，就是叫知网。从论文发表来说，知网是最权威的，最有说服力的数据库。
凡是知网收录的期刊，一定是正规的，可以放心大胆的发表的，但是最近这两年知网变得更严格，所以知网收录的期刊发表费用比较贵一些。
2.万方数据库
万方数据库，也是一个比较大的论文数据库，仅次于知网。其权威性和重要性就等于是一个弱化版的知网，但是也是比较大。
从期刊正规性来说，如果一个期刊，知网不收录，但是万方数据库收录，说明还是比较正规的，虽然不如知网收录的那么正规。但是对于一般单位来说够用。
对于大学这样的单位可能必须要求知网。而对于一些企业单位，只要万方数据库能检索到已经发表的论文，就算不错了。所以，万方数据库也是一个必须参考的标准。
3.维普网
维普网在前些年实际上假刊比较多，比较泛滥，这两年所说期刊审核严格，上面审核严格，但是维普网收录的期刊从正规性和权威性上来说，都是严重不如知网和万方数据库。
对于很多要求不高的单位，或者评一些初级职称的单位，只有维普网收录的期刊还能管点用。稍微严格一些的，就不大灵光了。
电子元器件的数据很多的平台都可以查到作为参考
省级刊物：《民营科技》 主管单位：云南省科学技术厅 主办单位：云南省民办科技机构管委会 国际刊号：ISSN 1673-4033，国内刊号：CN 53-1125/N， 国家新闻出版总署收录、知网、维普、万方收录。 省级刊物：《科技资讯》 主管单位：山东省科技厅 主办单位：山东省技术开发服务中心 国际标准刊号：ISSN 1001-9960 国内统一刊号：CN 37-1021/N 国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录。 省级刊物：《黑龙江科技资讯》 主管单位：黑龙江科协 主办单位：黑龙江省科学技术学会 国际标准刊号ISSN 1673-1328 国内统一刊号CN 23-1400/G3 国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录。 国家级刊物：《文体用品与科技》 主管单位：国家轻工联合会 主办单位：全国文教体育用品资讯中心和中国文教体育用品协会 国际标准刊号：`ISSNI006-8902 国内统一刊号：CN11-3762/TS 国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录 国家级刊物：《数字技术与应用》 主管单位：天津市中环电子资讯集团有限公司 主办单位：天津市电子仪表资讯研究所 国际标准刊号：ISSN 1007-9416 国内统一刊号：CN12-1369/TN 国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录。 由于篇幅有限，中国期刊库就只介绍这么多科技期刊给大家，如果您还需要了解更多，或者您需要找我们快速发表论文的话，可以联络中国期刊库线上编辑。 中国期刊库---------论文发表，专业期刊论文发表网站
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省级刊物：《民营科技》主管单位：云南省科学技术厅 主办单位：云南省民办科技机构管委会国际刊号：ISSN 1673-4033，国内刊号：CN 53-1125/N，国家新闻出版总署收录、知网、维普、万方收录。 省级刊物：《科技信息》主管单位：山东省科技厅 主办单位：山东省技术开发服务中心国际标准刊号：ISSN 1001-9960 国内统一刊号：CN 37-1021/N国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录。 省级刊物：《黑龙江科技信息》主管单位：黑龙江科协 主办单位：黑龙江省科学技术学会国际标准刊号ISSN 1673-1328 国内统一刊号CN 23-1400/G3国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录。 国家级刊物：《文体用品与科技》主管单位：国家轻工联合会主办单位：全国文教体育用品信息中心和中国文教体育用品协会国际标准刊号：`ISSNI006-8902 国内统一刊号：CN11-3762/TS国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录 国家级刊物：《数字技术与应用》主管单位：天津市中环电子信息集团有限公司 主办单位：天津市电子仪表信息研究所 国际标准刊号：ISSN 1007-9416 国内统一刊号：CN12-1369/TN国家新闻出版总署收录、知网、万方、龙源、维普收录。由于篇幅有限，中国期刊库就只介绍这么多科技期刊给大家，如果您还需要了解更多，或者您需要找我们快速发表论文的话，可以联系中国期刊库在线编辑。中国期刊库---------论文发表，专业期刊论文发表网站
半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，它主要关注半导体光电器件和光电技术领域的前沿研究和应用。这种期刊包含了许多高质量的科学论文和研究成果，这些成果对于推动半导体光电技术的发展非常有价值。该期刊的论文内容涵盖了半导体材料、器件制备、光电特性测试、应用等多个方向，涉及到了光电器件的设计、制造、测试、应用等多个环节。同时，该期刊的论文也涉及到了许多前沿技术和研究领域，如光电子学、半导体量子点、太阳能电池等。此外，该期刊的编辑和审稿人员都是来自于半导体光电领域的专家和学者，他们对于该领域的研究非常有深度和广度，能够保证论文的质量和水平。因此，半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，对于半导体光电领域的研究人员和科学家具有很高的参考价值和学术意义。
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半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。
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跟杂志社联系一下,或去邮局订阅《半导体技术》杂志地 址： 河北省石家庄179信箱46分箱邮政编码： 050002电 话： 传 真： 电子邮件： ； 国内刊号： CN 13-1109/TN国际刊号： ISSN 1003-353X邮发代号： 18-65定 价： 15元/期《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版) 全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。《半导体技术》的稿源及读者对象主要是全国各研究机构、大专院校和企事业单位等。月刊 .1976年创刊 .主管单位： 信息产业部主办单位： 中国半导体行业协会 半导体专业情报网 电子十三所编辑单位： 半导体技术杂志社社 长： 杨克武主 编： 周立军主 任： 顾忠良
改善了折反射光学系统的性能波长为157nm的F2准分子激光器的特点是带宽很窄，Cymer公司的产品，其带宽为0.6～0.7 pm，窄带宽改善了折反射光学系统的性能。折反射光学系统的关键是分束器立方体，它使用CaF2材料，能有效地减少束程和系统的体积，大尺寸易碎的CaF2一直是157nm曝光的制约因素，现在SVGL已展出了12～15英寸的CaF2单晶锭，这为制造大数值孔径的折反射分束器设计扫清了道路。同时对单层抗蚀剂和在辐照下透明、持久、可靠的掩模保护膜进行了研究，去年春SEMATECH在加州召开的157nm曝光研讨会上，宣布这方面已取得了重大进展，现在美国的SVGL、ltratech和英国的Exilech公司都在研制整机，SVGL公司准备今年底出样机，明年底出生产型设备。首台售价约1300万美元。比利时的微电子研究中心（IMEC）与ASML公司合作建立了157nm基地，这个基地于今年开始工作，计划在2003年生产，它要求各种相关工艺配套，为70nm CMOS流片创造条件。此外，日本SELETE也在加紧工作。SEMATECH则购买Exitech公司的曝光机开展针对掩模光胶、胶的处理工艺、匀胶显影轨道系统、胶的刻蚀性能和相关测量技术等方面的研究。极紫外曝光欧洲和日本诸公司正在研究1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML组成极紫外有限公司（EUVLLC）和在加州的三个国家实验室参加，共同研发波长为13nm的极紫外（EUV）光刻机样机，今年4月在加州Livermore的Sandia国家实验室推出的样机被视为光刻的一个重要里程碑。据国际半导体杂志Aaron Hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，每层厚约λ/4，控制在0.1埃精度；EUV光刻采取新的环境控制，来抑制沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度极大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。据EUVLLC项目经理Chuck Gwyn介绍，样机是第一步，下一步要研制生产机型为今后几年的生产做准备。现在更多用户表示要采用，并希望参与其中。在欧洲，蔡司、ASML和牛津公司在共同研究；在日本，Nikon、Canon和MC在共同研究。限角散射电子束投影曝光被众多厂家看好限角散射电子束投影曝光（SCALPEL）是高亮度电子源，经磁透镜聚焦产生电子束对掩模进行均匀照明，掩模是在低原子序数材料膜上覆盖高原子序数材料层组成，图形制作在高原子序数材料上。掩模是4倍放大，用格栅支撑。低原子序数的膜，电子散射弱，散射角度小，高原子序数的图形层，电子散射强，散射角度大，在投影光学装置的背焦面上有光阑，小散射角度电子通过光阑，在片子上形成缩小4倍的图像，再经过工作台步进实现大面积曝光。SCALPEL的优点是：分辨率高、焦深长、不需要邻近效应校正，生产率高，它没有EUV系统中昂贵的光学系统，也不需要X光的高成本光源，而且掩模成本比其它方法要低，故被众多厂家看好，Lucent、Motorola、Samsung、TI、eLith、ASAT、ASML等公司都参与其中共同开发，并计划在2002年推出<100nm大生产设备。但目前来看计划有所延迟，有些参与者转而看好PREVAIL。
处理芯片是硬件配置设备的关键所属，也是我国高新科技水准里边最经典的意味着。“中芯国际人”的小故事持续运转，紧系着中国半导体产业的运势与运行。
5月5日，上海积塔半导体官方微博公布的文章表明，张汝京博士研究生以积塔半导体监事会主席、积塔学院医生真实身份，应邀在积塔半导体临港厂区讲谈公司文化专题讲座。与此同时，据芯榜信息，张汝京已辞职青岛芯恩。从打开树林到功成身退，张汝京一手带下去的芯恩，将来将如何选择？
在中国半导体材料发展历程中，张汝京的每一次自主创业都为中国半导体产业的进步进行了开拓性的奉献。他创建的中芯国际为大陆第一家半导体器件公司，新升半导体为大陆第一家300mm大单晶硅片公司，芯恩为大陆第一家CIDM方式的公司。
前不久获知，张汝京已辞职青岛芯恩，调任上海积塔半导体监事会主席一职。回放张汝京上一次“放开手”，2017年年末，在新升半导体慢慢走上正轨之时，张汝京挑选离开：“我就很高兴如今中国缺大单晶硅片的问题逐渐拥有实际性的解决方法，那么就交到我国来再次发展壮大。实际上我非常想要做的是IDM。”
2018年，张汝京带上芯恩项目落户口青岛，基本建设、建成投产中饱经曲折。三年后，这一新项目宣布投片取得成功，也为青岛发展趋势半导体产业引入了一针强心剂。现如今，74岁的中国半导体材料鼻祖再度挥手告别自身的自主创业之作，打开一段在半导体芯片行业的辉煌旅途。
据了解，张汝京此次进军的上海积塔半导体是一家特点加工工艺集成电路芯片制造公司，所制造的BCD、IGBT/FRD、SGT/MOSFET、TVS、SiC元器件等处理芯片普遍业务于汽车电子产品、工业控制系统、电池管理、移动智能终端，乃至城市轨道、智能电网等高档应用商店。
积塔半导体是华大半导体集团旗下全资子公司，华大半导体归属于中国电子CEC，是中央政府可以直接监管的国有控股超大型企业集团。将来，积塔半导体将担负打造出网络信息安全“国家队”的历史进程每日任务，张汝京再一次走到了行业发展的窘境上。返回青岛芯恩，张汝京的放开手离开，或代表着其已完成“取得成功工作交接”，发展趋势彻底走上正轨。
2018年，在集成电路进出口额做到3120.58亿美金、中兴事情暴发之时，提高自主可控工作能力、摆脱海外高端芯片垄断性看起来刻不容缓。
张汝京在接收访谈时曾讲到：“中国到了这一环节，特别是在要做仿真模拟和数学模型混和商品，而IDM（融合元器件生产制造）最好。但是，IDM必须较强的设计工作能力。期待根据一共有共享资源方式，邀约全世界会做仿真模拟和数学模型混和处理芯片的设计部门一起加盟协同创立IDM公司，根据订制化开发设计生产制造高端芯片，从而取代海外进口的。”
因此，他放下过去善于的晶圆代工线路，挑选CIDM方式（C指Commune），即一共有共享资源式的IDM，再弥补一项大陆集成电路产业链的空缺。2018年4月，70岁的张汝京在西海岸新城区的中德生态园带领创立了青岛芯恩，这也是他继世大半导体、中芯国际、LED产品研发生产制造行业、上海新升以后的第五次自主创业。
一个月后，芯恩处理芯片新项目签字仪式全面启动，为中国第一个协同式集成电路生产制造(CIDM)新项目。签订期内的公布数据表明，该项目规划2019年底一期整线建成投产，2022年满产。
但芯恩的进步之途可以说一波三折。2019年12月，芯恩6栋裙楼到顶，8英尺厂机器设备逐渐搬进。接着又遭受新冠疫情等冲击性，相继传来股权融资不如意、控股股东移主的信息，总体进展再度被推迟。
2021年8月，芯恩于青岛举行动员会。大会上官方宣布8英尺厂投片取得成功，投片商品为电力电子器件，合格率达90%以上，光罩厂也于同期完成了商品交货。而8英尺生产线仅仅第一步，芯恩将来挥剑现阶段最现代化的12英尺圆晶的芯片制造。
2021年9月起，芯恩与国银租用相继签定2份融资租赁合同，总共股权融资29亿人民币；11月，国银租用又发布消息，其与芯恩集成电路再签融资租赁业务协议书，以先购买设备再回租的方法向芯恩股权融资27亿人民币。8英尺厂投片取得成功、积放融资租赁合同签定，芯恩以真实的行为展示出对新项目成功推动的自信心与信心。
半导体产业特点相悖，除资产、技术装备外，优秀人才及时也是公司完成经营规模扩张、尖端技术、配套设施齐备的主要支撑点之一。
张汝京曾在2021年胡润财富榜全世界500强品牌发布会上那样表明：现阶段的半导体业较大的问题是优秀人才匮乏。他大力号召同行要加速人才的培养服务体系和梯队建设，要眼光长久。
据了解，芯恩现阶段待岗的1400多名职工，在其中300位以上为领域专业工作人员，全体人员平均年龄为33岁。精英团队关键职工在国际期刊、杂志期刊上论文发表超出300篇，发布半导体材料有关专利权2000多项，包含好几个半导体材料基本专利权。截止到2021年12月，芯恩已提交308项申请专利，在其中275件得到审理号。“我还在青岛做的事便是‘抛砖’，期待可以打动越来越多的‘玉’参加到中国的半导体产业之中来。”
为了更好地增加人才培养和贮备，张汝京邀约了许多领域人员，2018年和青岛大学携手并肩共创了青岛大学微纳技术学院，与此同时出任了终生声誉医生。芯恩不但与学校创建产学研合作方式，芯恩的技术专家也会经常性校园内进行培训讲座，共享全新半导体产业动态性。
高薪职位“挖”高端人才，也变成青岛新经济企业招兵买马的一个普遍存在。2022年4月，芯恩一次性公布了百余个招聘职位，涉及到技术研发、信息科技、检测中心等好几个岗位，薪酬范围在10k-30k不一。
除此之外，芯恩生产制造的IC商品主要是面对汽车电子产品、智能家居系统与IDT工业电子等主要用途，与青岛的行业优点行业相切合。一直以来，青岛将新一代信息技术产业放置发展趋势的第一位。
青岛党代会明确提出了构建现代化产业链优先大城市总体目标，在其中，集成电路、新式表明、虚拟现实技术、人工智能技术、生物技术等十大新型产业，将打造出一批五百亿级和万亿级产业群，基本建设我国战略新型产业产业基地。
2022年3月底，青岛市颁布了适用集成电路发展趋势的十条对策：给与设计方案公司本年度最大500万余元补助；给与新项目最大500万余元适用；给与公司最大500万的一次性奖赏；给与全职的引入的顶级优秀人才（精英团队）500万余元安置费；给与各家创业投资风险投资组织每一年总计奖赏额度最大500万余元……一条条全是“真金白银”。
张汝京引入的自主创业遗传基因、青岛终端产品用户要求切合、地市级方面国家扶持政策等，均为芯恩发展方向引入了决心和支撑点。
人们对开发环境稳定、通过可见光吸收并具有极性晶体结构的新型太阳能收集器有相当大的兴趣。车轮矿CuPbSbS3是一种自然形成的硫盐矿物，它在非中心对称的Pmn21空间群中结晶，并且 对于单结太阳能电池具有最佳的带隙。 然而，关于这种四元半导体的合成文献很少，它还没有作为薄膜被沉积和研究。
基于此，来自南加州大学洛杉矶分校的一项研究，描述了二元硫醇-胺溶剂混合物在室温和常压下溶解大块布氏体矿物以及廉价的块状CuO、PbO和Sb2S3前驱体以生成墨水的能力。合成的复合墨水是由大量的二元前驱体按正确的化学计量比溶解而得到的，在溶液沉积和退火后，生成CuPbSbS3的纯薄膜。相关论文以题为“Solution Deposition of a Bournonite CuPbSbS3 Semiconductor Thin Film from the Dissolution of Bulk Materials with a Thiol-Amine Solvent Mixture”于3月11日发表在Journal of the American Chemical Society上。
论文链接：
近来，Wallace等人通过对天然矿物的筛选，得到的材料具有热力学稳定性，不具有杂化卤化铅钙钛矿所固有的环境不稳定性问题。极性结构可以降低激子的结合能，减少材料中的复合速率。极性晶体结构可以使直接带隙材料的偶极不允许跃迁的几率和在吸收开始时振子强度的相应降到最低。从筛选到的自然生成的多种矿物中，符合选择标准的结果之一是车轮矿CuPbSbS3。车轮矿CuPbSbS3是一种硫盐矿物，它在正交晶立方Pmn21空间群中结晶，根据实验报道，从1.20 eV到1.31 eV的带隙是单结太阳能电池的最佳选择。有关CuPbSbS3的合成文献很少，目前只有少量的固态合成和一种溶剂热合成。 到目前为止，这种材料还没有以薄膜的形式沉积或研究。
基于以上考虑，研究者开发了一种碱化溶剂系统，它利用短链硫醇和胺的二元混合物，能够溶解100多种散装材料，包括散装金属、金属硫族化合物和金属氧化物。所得到的油墨在溶液沉积和温和退火后通过溶解和恢复的方法返回纯相的硫族化合物薄膜，使其适用于大规模的溶液处理。事实上，硫醇-胺油墨已被有效地用于大面积黄铜矿和酯基太阳能电池的溶液沉积，具有极好的功率转换效率。
研究者首次展示了车轮矿CuPbSbS3薄膜沉积的方法。通过简单地调整大块前驱体的化学计量学，就可以精细地调整复合油墨的组成，从而允许沉积纯相的CuPbSbS3。制备的CuPbSbS3薄膜具有1.24 eV的直接光学带隙，在~105cm-1的可见光范围内具有较高的吸收系数。电学测量证实，固溶处理的CuPbSbS3薄膜具有0.01- 2.4 cm2(V•s)-1范围内的流动性，载体浓度为1018-1020cm-3。这突出了在薄膜太阳能电池中作为吸收层的潜力，需要进一步的研究。
图1 车轮矿CuPbSbS3的晶体结构图
图2 合成油墨以及相关测试图
图3 将纯相CuPbSbS3从油墨中滴铸并退火到450 ˚C的粉末XRD图谱。
图4 CuPbSbS3薄膜的相关测试表征图
图5 CuPbSbS3薄膜电阻率(ρ)随温度变化的函数。
该方法可推广应用于其它多晶半导体薄膜的溶液沉积，包括与I-IV-V-VII组成相关的半导体，如CuPbBiS3。 结果突出了碱化法在解决硫酸盐吸收层沉积问题上的前景 。（文：水生）
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半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，它主要关注半导体光电器件和光电技术领域的前沿研究和应用。这种期刊包含了许多高质量的科学论文和研究成果，这些成果对于推动半导体光电技术的发展非常有价值。该期刊的论文内容涵盖了半导体材料、器件制备、光电特性测试、应用等多个方向，涉及到了光电器件的设计、制造、测试、应用等多个环节。同时，该期刊的论文也涉及到了许多前沿技术和研究领域，如光电子学、半导体量子点、太阳能电池等。此外，该期刊的编辑和审稿人员都是来自于半导体光电领域的专家和学者，他们对于该领域的研究非常有深度和广度，能够保证论文的质量和水平。因此，半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，对于半导体光电领域的研究人员和科学家具有很高的参考价值和学术意义。
1952年2月邹元爔到工学实验馆工作时，正是周仁等深入研究球墨铸铁之时，他们探索了加镁方法，研究合金元素和热处理对球墨铸铁金相结构和机械性能的影响，以及在铸件上的应用。此项成果获1956年国家自然科学三等奖。1953年我国急需开发内蒙古白云鄂博铁矿，建设包头钢铁公司。但该铁矿石中含有大量萤石和稀土元素，为世界所罕见。其高炉冶炼在世界炼铁史上也没有成熟的经验，是一项开拓性的工作。当时上海冶金陶瓷研究所所长周仁是中国科学院“两矿”（白云鄂博铁矿和大冶铁矿）领导小组组长，他知难而上，为冶金陶瓷研究所接下了白云鄂博铁矿石高炉冶炼的研究任务。他在所内进行了总动员，并迅速组织了会战组，同时任命邹元爔为研究该矿的技术总负责人。在周仁的组织引导和亲自参加下，邹元爔和徐元森等迅速建成了一座1立方米的试验小高炉，他们一方面进行实验室试验，同时也进行小高炉冶炼试验，系统地研究了氟在高炉冶炼中的行为，包括氟对高炉型炉渣的物理化学性能的影响和氟在高炉冶炼过程中的变化和分布规律。他们摸清了含氟炉渣对高炉冶炼的影响及其对不同耐火材料的侵蚀情况；阐明了氟从矿石和炉渣中挥发的机理及其对高炉钢结构的腐蚀情况；提出了白云鄂博矿的造渣制度和提高冶炼强度的方案；解决了氟对高炉钢结构和对高炉耐火砖衬的腐蚀问题。为苏联专家设计包钢炼铁高炉提供了可靠的关键技术资料和理论依据。特别是高炉耐火砖衬问题，苏联专家设计时原计划仅在高炉缸部分用炭砖，而周仁、邹元爔等的研究表明，高铝砖和铝镁砖等在高氟炉渣中都很快就被侵蚀，只有炭砖才能抗高氟炉渣的侵蚀，才改为从炉缸到炉身下部（风口带除外）全部改用炭砖，避免了一次可能发生的大事故。这项研究工作获得了1982年国家自然科学三等奖。为了从含4%～5%稀土氧化物的包钢高炉渣中提取宝贵的稀土元素，邹元爔提出用硅铁还原法还原渣中稀土元素，制造稀土硅铁合金成功。当时称这种合金为“包钢第一号合金”。此法具有原料低廉和设备简单等优点，为我国稀土资源综合利用作出了重要贡献。这种回收稀土金属的工艺在世界上没有先例，因此获得1965年国家创造发明二等奖，并多次受到国家领导人的表扬。1957年国家急于开发攀枝花钒钛磁铁矿，其高炉冶炼也是世界上的一大难题。徐元森和邹元爔等系统地研究了含钛高炉型炉渣的物理化学性质及矿物组成，探明了含钛炉渣在高炉冶炼条件下变稠的机理，在1立方米小型试验炉上进行试验时，根据徐元森的建议，创造性地采用了特种吹炼风口，解决了高钛渣堵塞炉缸的技术关键，为攀枝花钢铁公司高炉设计和冶炼方案的选择，提供了可靠的技术资料和理论依据。该项工作于1982年获国家自然科学四等奖。同一时期内，邹元爔还领导了湿法冶金和炼钢等研究，如钴的提取、氧化铝的浸出、氧化钛和锰的提取等，成果出色，为我国多种矿产的综合利用做出了重要贡献。冶金物理化学中的“活度”概念是研究高温熔体实际反应的有力工具，它可理解为“有效的浓度”。邹元爔在1947年向美国卡内基理工学院提交的博士论文《在液态铁和银之间某些元素的分配》中，利用液态铁和银互不相熔的特性，成功地测定和计算了铜、锰、硅和硫等元素在液态铁中的活度系数及其受铁中碳的影响，修正了炼钢过程中传统的脱硫机理，并为液态金属中元素活度的测定提供了新的途径。这一研究工作的成功，不仅使他雄踞全校毕业生之首，也为他以后的事业奠定了基础。1952年起，邹元爔创建并领导了上海冶金陶瓷研究所冶金物理化学研究工作，完成了《氟对高炉炉渣粘度、熔化性及脱硫力的影响》等30多篇系列性的学术论文，分别刊登在《中国科学》、《金属学报》和《科学通报》等学术刊物上。这些论文内容广泛，涉及熔渣和金属中组分的活度、渣和金属间的平衡、火法和湿法冶金过程的物理化学基本理论。所完成的大量二元系、三元系冶金体系中组分活度和金属间化合物生成自由能的研究，为冶金物理化学积累了宝贵的数据，其中不少内容已被收入大学教科书和大百科全书。此外，在活度测量中，邹元爔打破了黑色冶金工作者常用铁作金属相的传统做法，采用某些有色金属相，然后借助变通吉布斯—杜亥姆公式和两组元活度系数之和或商来分别求得各组分的活度，从而成功地解决了国际上长期存在的坩埚材料选择和化学反应设计以及微量元素活度测定等难题。在邹元爔的领导下，上海冶金陶瓷研究所50～60年代的冶金物理化学研究水平，不仅在国内领先，而且在国际上也较有声誉。60年代开始，根据世界科技发展趋势，邹元爔急国家之所急，不顾高龄，毅然转向纯金属和化合物半导体材料的研究领域。他将冶金原理应用到高纯元素的提纯和化合物半导体材料的制备。他巧妙地利用冶金熔体间反应，以及沉淀精炼、分级结晶、萃取、升华、精馏和真空蒸馏等多种方法以提纯单质元素。在他领导下，镓、磷、砷等高纯元素的制备工艺在国内有关工厂推广，并分别得到1964年国家计委、国家科委、国家经委工业新产品三等奖。为了实现砷化镓、锑化铟、砷化铟和铟锑铋等Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体的高纯度生长，邹元爔从分析晶体中剩余施主和受主的本质出发，提出并完成了常用的石英容器进行高温特殊处理的方法，从而大幅度降低石英中杂质钠和一些重金属元素的含量。此方法在1983年获国家发明三等奖。此外，在邹元爔指导下完成了石英舟涂膜新工艺，常压液封原位凝固生长不掺杂的半绝缘砷化镓单晶新方法，以及倾侧法液相外延生长高质量砷化镓薄膜等研究。这些工作在1985年获国家科技进步二等奖。邹元爔发表的关于半导体物理化学方面的学术论文共70多篇。他的贡献不仅在于将冶金物理化学的原理延伸到半导体材料的研究中；更重要的是，他将固体半导体材料缺陷和冶金熔体这两个看来完全不同的学科领域统一于化学这门基础学科之中，为物理化学的应用、发展和开拓作出了重要贡献。70年代开始，邹元爔从冶金学的角度提出了有关砷化镓质量的三个关键问题，即未知受主、结构缺陷和“迁移率刽子手”。1972年他总结了国内外不同方法生长的N型砷化镓载流子浓度和迁移率的数以百计的数据，从中归纳出剩余受主与剩余施主浓度之间的一个相关函数关系。据此他大胆地预言砷化镓材料中存在着当时人们尚未认识到的受主缺陷种类，即所谓“未知受主”，它们影响着材料的补偿度。通过实验，他发现化学杂质钠就是常被忽视的未知受主之一。后来随着砷化镓纯度进一步提高，他又发现未知受主中除钠外，还存在着某些受主型结构缺陷（非杂质）。1974年，邹元爔根据砷化镓中一些缺陷间的反应，推测可能存在GaAsVGa和AsGaVGa两个能级位置不同的受主缺陷，它们相伴存在，并且浓度几乎相等。这个预言，在1975年被国外学者（朗）（Lang）和（劳根）（Logan）用当时新发明的深能级瞬态能谱仪的测试结果所证实。这两个受主缺陷命名为A和B陷阱。“迁移率刽子手”实质上是一种空间电荷散射中心，它对载流子的散射截面比普通电离杂质的几乎大2个数量级，严重影响了砷化镓材料的电学性能。在邹元爔领导下，对液相外延和气相外延砷化镓材料作了大量实验，揭示了它的微观结构是某种硅氧复合体。80年代初，随着人们对半导体材料中缺陷研究的不断深入和砷化镓器件的迅速发展，国际上不少理论学家和实验学家的注意力纷纷集中到砷化镓材料中所谓“EL2”的深施主能级的缺陷本性上。这种缺陷在不同方法生长的砷化镓材料中普遍存在，且具有许多异常性质，并对大规模集成电路等器件性能起着决定性的影响。70年代在结构缺陷研究的基础上，1981年邹元爔应用物理化学质量作用定律，在国际上首次提出EL2缺陷可能为AsGaVAsVGa三元络合物。其后，各国科学家根据各自的实验数据先后从不同侧面提出了EL2缺陷可能为孤立反位原子和其它二元、三元络合物等十多种看法。这些科学家大多采用物理学的研究方法。邹元爔等不仅认真研究了所有这些结果，而且分析了各种变化条件下某些缺陷的相互消长关系及其内在联系，从而较全面地总结出EL2缺陷的有力判别标准，即“指纹特征”。以后又根据量子化学计算和电子顺磁共震实验等结果，应用物理化学相律原理，进一步提出了晶体中EL2缺陷的生成机理，低温光照下EL2缺陷出现亚稳态的机理以及“EL2族”现象的实质等，从而构成了一个较完整的EL2缺陷模型。邹元爔去世后，这一模型被国际学术界称为“邹氏模型”，认为它能详尽地解释EL2的几乎所有的电学和光学性质，并称赞邹元爔等所用的物理化学方法是鉴别半导体材料中深能级点缺陷本性的十分有用手段。邹元爔的上述半导体物理化学方面的成果获1987年国家自然科学三等奖和1991年中国科学院自然科学一等奖。
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一般是1-2篇的要求，研究生一篇就OK了。之前我也是苦于发表不出来，文章质量太次，那个急啊，还是学长给的莫‘文网，帮忙修改的文章，很快就录用了
好发。建议多看一些半导体材料论文相关的期刊找找灵感和材料。比如《新材料产业》(月刊)、《广东化工》、《化学研究与应用》杂志等。想要了解期刊投稿格式，审稿时间，发表费用的知识也可以咨询月期刊的在线老师，他们的经验比较丰富，能为您尽早的安排到合适的期刊上面。