氮化镓功率器件的特性及其应用的研究.刘武扬.【摘要】：受制于硅材料的特性和器件的封装技术,硅功率器件的动静态性能进一步优化的空间有限,难以满足未来开关电源高效率和高功率密度的需求。.因此需要高频性能表现更加优异的新型器件。.在宽禁带...
氮化镓功率晶体管应用技术研究.【摘要】：硅(Si)功率器件发展至今已接近其性能极限,难以满足开关电源高频、高效率、高功率密度的需求。.氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、寄生参数小、电气参数优越而受到广泛...
器件功率论文,关于氮化镓器件在功率电子领域中的应用相关参考文献资料-免费论文范文.摘要:导读:本论文可用于器件功率论文范文参考下载，器件功率相关论文写作参考研究。.湘能华磊光电股份有限公司湖南郴州背景随着经济增长,人们日常活动中越来越...
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关键句:氮化镓，已经应用，提高探测距离和反隐能力2016年之前也就是十二五期间，考虑到比较新的对空导弹也就PL15中距弹，PLXX远程弹，以及红旗9改进型等几种，而论文中强调反隐能力，那么基本可以推断起码装备了PL15上，其他几型可能应用
概述|第三代半导体材料氮化镓（GaN）的应用和局限.一般而言，GaN晶体管比传统硅器件更快且更有效。.但如果是这样的话，有什么限制可以阻止它从宝座上取下硅芯片？.硅技术正在接近其极限。.同时，仍然需要更快，需要更有效的电路。.从这一点开始...
氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。具体而言，微波射频方向包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了LED、激光器、光电探测器等应用。
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
氮化镓的优势有很多，体积小，面积小，输入输入电容小，反向恢复时间基本为0，这样就可以工作在很高的频率，来减小电源体积。相信以后会大量应用。但电源的频率越来越高，不仅仅是MOS要好，变压器磁芯和电解电容也是关键，也要在高频情况下损耗很
并以此为基础，在国际上首次实现了氮化镓肖特基二极管在高功率微波限幅器上的应用，成功在L波段实现了高达40dBm的连续波功率处理能力，并以...
导读:该文是关于氮化镓论文范文,为你的论文写作提供相关论文资料参考。氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第3代半导体.相较于硅、砷化镓等,GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度...
GaN已证实可靠性和热导率均超过GaAs。虽然GaAs在许多系统中将被GaN晶圆所取代,但在许多低功率系统中仍有大量应用。美国国防部认定GaN为关键技术。洛克希德?...
氮化镓器件在功率电子领域中的应用徐迪【摘要】:正背景随着经济的增长,人们的日常活动中越来越依赖电子化的数据和设备。这为功率电子产业的增长注入了动力,人们正在致力于...
氮化镓化合物论文氮化镓化合物论文氮化镓纳米晶的低温固相姓名:化泽瑞学号:1007044108院系:化学系专业:应用化学指导教师:焦晨旭完成日期:201...
朝阳.氮化镓研发的新应用[J].激光与光电子学进展,2007,44(11):7您的浏览器不支持PDF插件,请使用最新的(Chrome/FireFox等)浏览器.或者您还可以点击此处下载该论文PDF相...
4、论文的不足之处是“4结论”写的不好,建议作者在结论一节简单的总结这篇文章工作的特点和成果,而无需对GaN功率集成技术的应用前景进行描述。2013-05-0408:26...
氮化镓(GaN)是一种III/V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(L...
这篇文章主要介绍GAN在NLP里的应用(可以算是论文解读或者论文笔记),并未涉及GAN的基本知识(没有GAN基础知识的小伙伴推荐先看[1],由于本人比较懒,就不在这里赘述GAN的基本知识了J)...
本论文以氮化镓HEMT为功率开关器件来设计一款工业变频器,通过与传统硅基材的功率开关器件为核心的变频器作对比,着重关注器件在功率变换时的效率;另外一方面因为开关器件会产...
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