为实现上述目的，本发明采用如下技术方案一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括I)在氮化镓基器件表面淀积保护层2)在所述保护层上涂敷光刻胶，井光刻腐蚀图形；3)刻蚀待腐蚀区域的保护层；4)去除剩余光刻胶；5)对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化...
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.然而,湿法刻蚀有个弊端，湿法刻蚀不仅仅
GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究[专业：微电子学与固体电子学]（专业）微电子学与固体电子学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。声明：知识水坝论文均..
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
Mg掺杂GaN薄膜退火性质及GaN薄膜湿法刻蚀的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)及其三元合金(InGaN,AlGaN)具有十分优良的特性,通过调节Ⅲ族元素的比例,其禁带宽度可以从氮化铟(InN)的0.7eV变化至氮化铝(A1N)的6.2eV,覆盖了从红外线、可见光到紫外线的光谱区域,在短波长...
GaN增强型器件的新型两步刻蚀法工艺.2002年D.Buttari报道了一种数字化低损伤的湿法刻蚀AlGaN材料的方法，这本是刻蚀工艺的一次重大创新，但其刻蚀效率过低，一直未能引起工艺界的重视。.本实验所开发的两步刻蚀法早第一步为快速刻蚀，第二步为慢速刻蚀...
论文答辩日期2019-06-04论文提交日期2019-06-28学位授予单位哈尔滨工业大学...对采用碳化硅磨粒研磨后的氮化镓样品刻蚀20分钟后，再进行化学机械抛光，表面粗糙度Sa由77.5nm降低到0.641nm。用光致发光光谱（PL）对样品的亚表面损伤情况进行...
华南师范大学硕士学位论文GaN相关的刻蚀工艺及其效果的研究姓名:姚光锐申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:范广涵20090501知识水坝论...
【摘要】:宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质...
内容提示:Nanomaterial&StructureGaN材料湿法刻蚀的研究-5进展黄生荣,陈朝(厦门大学物理系,福建厦门361005)摘要:回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进...
光辅助湿法刻蚀GaN材料的机理是采用能量大于GaN带隙的紫外光照射样品表面,在表面产PEC)刻蚀.Minsky等人_】’提出,PEC刻蚀GaN程并使得GaN分解溶于电解液中...
GaN材料湿法刻蚀的研究与进展黄生荣陈朝【摘要】:回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法...
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用_电子/电路_工程科技_专业资料。文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消...
文章:GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号:JFKJ-21-830作者:炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性,使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即...
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本发明涉及一种飞秒激光湿法刻蚀在氮化镓表面微结构阵列的方法,其中利用飞秒激光与湿法刻蚀工艺相结合的方法,实现对高硬度、性能稳定的氮化镓进行微。属于飞秒激光应...
摘要：对比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等几种ＧａＮ７干法刻蚀方法的特点。回顾了ＧａＮ１法刻蚀领域...