【摘要】：利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌...
调控衬底斜切角提高LED发光性能。传统的紫外光源一般采用汞蒸气放电的激发态来产生紫外线，有功耗高、发热量大、寿命短、反应慢、存在安全隐患等缺陷。新型深紫外光源则采用LED发光原理，相对传统的汞灯拥有诸多优点。基于宽禁带半导体材料如氮化镓铝的深紫外发光二极管，体积小、效率…
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果...
调控衬底斜切角提高LED发光性能.中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子，在...
当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。此项研究仅依靠衬底的斜切角的调控以及外延生长参数的匹配优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定了实验和理论基…
提供10蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响word文档在线阅读与免费下载，摘要:*蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响(北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022)摘要:利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3)上...
科技论文中字母正斜体及大小写的规范写法一、外文正体正体外文字母大致使用于以下场合：1.1所有计量单位和词头符号计量单位如：m(米)，s(秒)，V(伏)，Ω(欧)，℃(摄氏度)，eV(电子伏)，mol(摩)等;词头如：k(千)，G(吉)，M(兆)等。1.2数学式中的...
调控衬底斜切角提高LED发光性能.本报讯（见习记者杨凡通讯员范琼）中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角...
斜切角规格为C偏m面0.5°。该晶圆片向m面偏角为0.46°，向正交的a面偏角为0.03°。晶圆片的晶体晶格通过XRD测量有一个曲率，这是氮化镓晶圆片的一个常见问题。晶格上的曲率会导致晶圆片从一边到另一边的斜切角发生变化。
当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。此项研究仅依靠衬底的斜切角的调控以及外延生长参数的匹配优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定了实验和理论基…
以在第一层n型GaN上以大于0.5nm/s的速度生长第二层n型GaN,获得大斜切角蓝宝石氮化镓复合结构.本发明的方法通过优化生长工艺,实现了在大斜切角蓝宝石衬底上外延生长高质量的Ga...
斜切角大于0.2°的大斜切角蓝宝石衬底置于外延生长装置中,在大斜切角蓝宝石衬底上依次叠层生长成核层、非故意掺杂GaN层和第一层n型GaN;S2、向外延生长装置中通入NH法律状...
衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究中国科学院大学江灵荣中国科学院大学
以在第一层n型GaN上以大于0.5nm/s的速度生长第二层n型GaN,获得大斜切角蓝宝石氮化镓复合结构.本发明的方法通过优化生长工艺,实现了在大斜切角蓝宝石衬底上外延生长高质量的Ga...
西安电子科技大学硕士学位论文斜切衬底上AlGaN/GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究姓名:许志豪申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:张进...
斜切衬底上AlGaNGaN异质结材料及n型GaN材料特性研究西安电子科技大学硕士学位论文斜切衬底上AlGaN/GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究姓名:许志豪申...
内容提示:西安电子科技大学硕士学位论文斜切衬底上AlGaN/GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究姓名:许志豪申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教...
法律状态公开公开实质审查的生效权利要求说明书基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法及其应用的权利要求说明书内容是...请下载后查看说明书基于...
一层n型GaN;S2、向外延生长装置中通入NH3和三镓,控制NH3和三镓的流量之比大于600,同时控制外延生长装置的腔室压力小于400mbar,以在第一层n型GaN上以大于...
论文目录摘要第1-7页Abstract第7-11页第一章绪论第11-21页·GaN基材料的特性和优势第11-14页·GaN基材料及其器件的研究进展和本文的研究意义第14-19页