PN结正向压降温度特性的研究和应用.陈水桥.【摘要】：分析了PN结正向压降的温度特性，并通过对硅材料二极管的测定，使学生对PN结温度传感器有所了解．.下载App查看全文.下载全文更多同类文献.PDF全文下载.CAJ全文下载.(如何获取全文？.欢迎：购买知...
科学技术发展史结课论文.doc,科学技术发展史结课论文——移动通信技术发展史移动通信可以说从无线电通信发明之日就产生了。1897年，M.G．马可尼所完成的无线通信试验就是在固定站与一艘拖船之间进行的，距离为18海里。现代移动通信技术的发展始于上世纪20年代，大致经历了五个发展阶段。
PN结射频磁控溅射硅材料为衬底PN结的(2)时间:2021-09-1421:42来源:毕业论文.3．环境污染：煤炭，石油的燃烧都会产生大量含硫有害的物质，不但污染了环境也对人的健康产生了影响。.为此改善能源结构，开发和利用可持续发展的.3．环境污染：煤炭...
Weckler发现反偏PN结的光电特性算起[1]。在1967年，第一颗基于MOS管的图像传感器诞生[2]，它的光电探测器部分正是利用了反偏PN结的无源像素(PassivePixelSensor,PPS)结构，这也是现代CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器最早的原型。
编辑推荐：这种水凝胶的耐久性和纤维囊性，将为软骨置换、组织修复和导管等植入材料的长期发展提供了一条新途径。高机械强度和长期抵抗纤维囊形成是植入性材料面临的两大挑战。遗憾的是，这两个截然…
(论文)PN结的形成与特性介绍下载积分:3000内容提示:◇高教论述◇科技圈向导2011年第26期PN结的形成与特性介绍王龙崔福涛胡振涛江苏(中国矿业大学信...
阴阳相互吸引却不融合,半导体PN结也是这样:N型杂质和P型杂质相互吸引,而一旦彼此融合,却意味着PN结的死亡与半导体性能的丧失。研究人员发现,在纳米线中加入轴向...
111PN结的形成.ppt59页本文档一共被下载:次,您可全文免费在线阅读后下载本文档。上页下页后退模拟电子-----------------------...
PN结特性的研究.doc,实验报告(正式)86实验者:张钟秀PB07009003实验日期:2008.10.20实验题目:PN结特性的研究注:实验目的,实验原理见预习报告,预习报告与原始数据以纸质材料提交...
氮化硼有良好的耐化学腐蚀性和很强的中子吸收能力等特点而得到普遍重视,所以本文的实验以p型单晶硅为衬底,利用射频磁控溅射法生成一层n型的氮化硼薄膜以此来形...
半导体PN结具有的单向导电性,是制造半导体器件的基础,使电子信息技术得以高速发展.我们用数学思想方法分析和解释半导体PN结中电流的运动规律,探讨了一个新的分析...