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半导体材料第5讲－硅、锗晶体中的杂质.陈易明mpcyjs@gdut.edumpcyjs@gdut.edu44半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。.半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、的影响。.半导体硅、锗器件的制做不仅...
比硅、锗晶体的Eg小得多。硅、锗晶体中族杂质的电离能(eV)第二章半导体中杂质和缺陷能级把被受主杂质所的空穴的能量状态称为受主能级E后，从受主的态跃迁到价带成为导电空穴，在能带图上表示空穴的能量是越向下越高，空穴被受主杂质
第二章半导体中杂质和缺陷能级2.1锗、硅晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3缺陷、位错能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质和间隙式杂质2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.2施主杂质施主能级2.
半导体物理：第二章半导体中杂质和缺陷能级.ppt,第二章半导体中的杂质和缺陷能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级2.3缺陷和位错的能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质间隙式杂质杂质原子进入半导体硅后，只可能以两种方式存在。
相对于硅，锗的外层电子能级较高，所以外层电子更容易贡献出来，导电能力更好。很快，1947年，世界上第一只晶体管诞生了，用锗做的哦。世界上第一只晶体管，诞生于贝尔实验室。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂...
第二章半导体中的杂质和缺陷能级课件.ppt,2.1Si、Ge中的杂质能级重点和难点施主杂质、施主能级、n型半导体；受主杂质、受主能级、p型半导体；施主杂质和受主杂质的电离能;杂质的补偿作用；浅能级杂质和深能级杂质二、N型半导体：本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自由电子浓度大大...
解2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3.当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费。8、米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4.
半导体材料第讲硅锗晶体中的杂质杂质能级•杂质对硅、锗电学性质的影响与杂质的类型和它们的能级在禁带中的位置等有关。•硅、锗中的杂质大致可分为两类：一类是周期表中Ⅲ...
第2章半导体中杂质和缺陷2.1硅锗晶体中的杂质能级实际晶体与理想本征晶体的区别❑原子并非在格点上静止不动,而是在平衡位置附近振动;❑材料不是绝对纯净,含若干杂质...
杂质的分类族杂质族杂质一、杂质能级浅能级杂质深能级杂质对材料电阻率影响大起复合中心或作用1.杂质对材料导电类型的影响掺杂一种杂质掺杂两种杂...
半导体材料课件:第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷4.1-2.pdf...半导体物理课件:第二章半导体中杂质和缺陷能级.ppt8浏览半导体物理课件:...基于java的企业人事...
第四章硅/锗晶体中的杂质和缺陷杂质的分类族杂质族杂质浅能级杂质深能级杂质对材料电阻率影响大对材料电阻率影响大起复合中心或陷起复合中心或作...
硅锗晶体中杂质和缺陷.ppt,第四章硅锗晶体中的杂质和缺陷杂质能级对材料电阻率影响大浅能改杂质起复合中心杂质的分类或作用深能级杂质、硅锗晶体的...
第第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷•半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具...
三、硅锗晶体的掺杂半导体的电学参数通过掺杂来控制的,拉单晶的过程时就掺入杂质。杂质掺入的方法共熔法,纯材料与杂质一起放入坩锅熔化投杂法,向已熔化的材...
2.1硅锗晶体中的杂质能级杂质在晶体中的位置以金刚石结构为例,一个原胞内部原子所占晶胞的体积为34%,剩下的都是空隙,说明有很多间隙位置,客观上有条件。间隙...
(二)半导体中杂质和缺陷能级:硅、锗晶体中的杂质能级,III-V族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级思想汇报lw54/sixianghuibao/(三)半导体中...