基于硅基工艺的毫米波功率放大器的研究与设计-随着1G至4G通信系统的快速发展,sub6GHz射频频段日趋拥挤,又因为毫米波频段具备高数据速率、频谱较为干净等优点,所以催生了许多毫米波频段的应用,例如5G通信的毫米波频段、车载雷达等。由于传统...
然而,新技术的引入都必须与传统的CMOS工艺相兼容,才可能得到工业界的普遍认可和采纳。.所以,本论文重点研究了下一代新器件工艺中的关键技术。.
针对硅纳米线围栅器件突出的栅控能力可以有效抑制短沟效应,本论文重点研究了硅纳米线围栅器件的...
110V体硅LDMOS器件研究.利用SILVACOTCAD工艺和器件软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在...
为了探究GAASNWT的应用潜力，本论文就基于围栅硅纳米线器件（GAASNWT）的静态随机存储器进行了深入的研究。.文章分别针对GAASNWT6管SRAM的性能、器件电路综合优化方法及其优化效果、小尺寸器件涨落对SRAM的影响、GAASNWTSRAM的低功耗特性…
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
该论文提出一种新型的全数字宽频毫米波直接调制全正交发射机芯片，其中的数字化毫米波功率放大器集成整合10-bit数字模拟转换器（mm-wavepower-DAC）。基于国产硅基28nmCMOS射频工艺，完成了从数字基带信号到毫米波频段调制信号的直…
Si是目前大规模用于电子集成技术的材料,在光通信波长范围内具有很好的光透性,同时它具有高折射率,利于实现高折射率差系统结构,适合制作各种结构紧凑的光波导器件,另外其工艺与成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容,便于实现光子、光电子集成。
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,青岛大学本科毕业论文（设计）PAGEPAGE35本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计...
通信用光电子正从分离器件向集成化方向加速发展。传统通信用光器件主要基于III-V族半导体材料研制，近年来在尺寸、成本、功耗以及“与电芯片一体化”等方面面临挑战。硅基光电子集成技术（简称“硅光技术”）是光子集成的重要方向。
PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究第38卷，增刊红外与激光工程2009年11Vol.38SupplementInfraredLaserEngineeringNov.2009（北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京100876）摘要：使用新型HQ-3型等离子体增强...
Doc-0314A3;本文是“论文”中“论文指导或论文设计”的论文的论文参考范文或相关资料文档。正文共4,615字,word格式文档。内容摘要:硅基关键器件与工艺研究,通道...
硅材料集成电路中应用论文及其相关工艺.ppt24页内容提供方:xx88606大小:4.04MB字数:发布时间:2016-06-14浏览人气:16下载次数:仅上传者可见收藏次数:0需要金币:***...
1.3本论文主要研究内容本论文分析单晶硅的力学性质、断裂条件,通过ABAQUS研究硅片的裂纹扩展情况,探索合理的应力引入方案,设计几种硅基瞬态器件并通过...
20谢国章;硅器件钝化工艺的进展[J];半导体技术;1982年02期中国重要会议论文全文数据库前10条1李华;李国政;李原春;;中子射入硅器件中引起的单粒子反转截面的计算[A];第八届...
本论文的研究工作是围绕大功率器件的硅一硅直接键台技术展开的:研究键合工艺机理以消除界面空洞,研究工艺模型以模拟键合过程中杂质分布和对键合技术制各高压大...
第五章硅基瞬态器件工艺实现研究第57-68页5.1硅片刻蚀第57-60页5.1.1湿法刻蚀第57-58页5.1.2干法刻蚀第58页5.1.3硅片深槽刻蚀第58-60页5.2电镀铜简介第60-6...
【摘要】:应变硅材料、结构、器件是探索后硅CMOS时代新型超高速低功耗集成电路最有发展前景的技术之一,本论文对双轴应变硅材料和MOS器件制作工艺进行了研究。开发出不同结构...
ZTETECHNOLOGYJOURNAL专题赵瑛璇等基于CMOS平台的硅光子关键器件与工艺研究DOI:10.3969/j.issn.1009-6868.2018.04.002网络出版地址:knsk...
204广东化工gdchemCOIn2018年第2期第45卷总第364期浅谈相关课程的互动教学——以“半导体器件物理"和“硅集成电路工艺基础"为例刘新科,...
而且还能够提高漏端电流大小,且降低器件关态泄漏电流,显著提高开态电流与关态电流的比值.本发明提供的一个SOI衬底工艺包括:提供硅衬底;在硅衬底中形成掩埋绝缘层,在所述掩埋...