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准分子激光辐照氮化镓外延片及其改性研究.【摘要】：本文研究采用准分子激光辐照这一快速、灵活、高效的方法对GaN外延材料进行辐照改性实验,以改善GaN材料的物理性能,并改善以其为基底的LED发光性能。.采用248nm准分子激光对GaN外延材料进行辐照,并对...
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓基发光二极管的外延片及其方法。背景技术发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种能够将电能有效转化为光能的半导体器件，目前氮化镓基LED受到越来越多的关注和研究。GaN基LED的外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底...
氮化镓材料的MBE生长的研究,氮化镓,氮化镓场效应晶体管,氮化镓晶体管,氮化镓半导体,氮化镓晶体结构,氮化镓...3．结论与讨论用VanderPauw法对GaN外延片进行的电学测量表明，未有意掺杂的GaN膜为n型53室温下裁流于浓度为3101JCllq...
2008-1-14外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学气相淀积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD)技术生长III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶的…
2、氮化镓外延片行业情况（1）氮化镓外延片概况外延片指在单晶衬底上生长一层新单晶形成的产品，外延片决定器件约70%的性能，是半导体芯片的重要原材料…
氮化镓（GaN）的工艺历程来源：第三代半导体资讯站GaN的发展历程氮化镓的起点氮化镓发展较晚。1969年日本科学家Maruska等人采用氢化物气相沉积技术在蓝宝石衬底表面沉积出了较大面积的氮化镓薄膜。氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导...
为何氮化镓技术那么火？小米10Pro已经标配一颗65W功率的USB-C充电器(单买价格99元)，同时小米还发布了旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器，官方名称“小米GaN充电器Type-C65W”，功率同样65W，但更加小巧。GaN氮化镓是一种广为看好...
MOCVD生长氮化镓的基本化学原理是在反应腔中通入蒸汽状态的Ga（CH）3和气态的NH3，在高温环境下发生一系列反应，最终在衬底表面生成氮化镓外延层：.MOCVD技术最初由Manasevit于1968年提出，之后随着原材料纯度提高及工艺的改进，该方法逐渐成为砷化镓、铟化磷...
携着“投入”与“创新”这两把利剑，晶湛半导体在核心技术领域有所突破。截至2021年6月，晶湛半导体已累计申请国内外专利300多项，所研发生产的高品质、大尺寸的氮化镓外延片突破了氮化镓产业链发展瓶颈，产品应用于电力电子、微波射频和Micro-LED领域。
高In组分氮化镓基LED结构设计与生长工艺研究.周泉斌.【摘要】：采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信等领域也具有良好的应用前景。.但是InGaN材料难于制成高效...
电子科技大学硕士学位论文GaNLED外延片微结构分析及性能研究姓名:陈勇申请学位级别:硕士专业:材料学指导教师:邓宏20090501摘要摘要GaN是一种宽禁带半...
本发明公开了一种氮化镓基LED外延片及其生长方法,属于半导体技术领域.包括依次层叠的蓝宝石衬底,缓冲层,未掺杂GaN层,N型GaN层,浅阱层,多量子阱层,低温P型GaN层...
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中国硕士学位论文全文数据库前10条1姬亚玲;激光辐照聚合物材料改性研究[D];北京工业大学;2007年2焦雯;强激光辐照板的热弹性响应研究[D];北京交通大学;2011年3谈浩琪;准分...
北京三高永信知识产权代理有限责任公司代理人徐立(51)Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种...
技术编号:14681911提示:您尚未登录,请点登陆后下载,如果您还没有账户请点注册,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓外...
硅基氮化镓外延片项目可行性研究报告核心内容:可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作,是在投资决策之前,对拟建项目进行全面技术经济分析的科学论证,在投资管理中,可行性研究是指对拟建...
泓域咨询/新建氮化镓外延片项目立项报告目录第一章项目基本情况第二章承办单位概况第三章投资背景及必要性分析第四章建设规划方案第五章项目选址规划...
本发明专利技术公开了一种氮化镓基LED外延片及其生长方法,属于半导体技术领域。包括依次层叠的蓝宝石衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层...
氮化镓基LED外延片的SIMS溅射坑底形貌研究-材料物理与化学专业论文.docx,摘要摘要万方数据万方数据摘要二次离子质谱仪(SIMS)具有高灵敏度、高分辨率等特点...