干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方方法。而湿法腐蚀一般只用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上的某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。干法刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类。
本论文的具体研究工作如下:(1)利用干法刻蚀辅助飞秒激光多光子聚合图形转移技术实现了蓝宝石微结构的。.探索了飞秒激光参数以及ICP刻蚀参数对的蓝宝石结构形貌的影响,实现了微圆锥、台阶状结构以及斜面结构等三维结构的,并优化了激光...
等离子体刻蚀工艺的研究现状和发展趋势关键词：等离子体刻蚀工艺，湿法刻蚀，干法刻蚀Abstract:plasmaetchinghasbeenwidelyusednationaldefenseindustryprivateenterprises,papersumsuppracticalapplication,introducesdevelopmentfromwet...
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的（图1）。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。这些不均匀且特征相关的刻蚀速率使半导体工艺设计过程中刻蚀...
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的（图1）。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。这些不均匀且特征相关的刻蚀速率使半导体工艺设计过程中刻蚀...
刻蚀反应的模式取决于刻蚀系统的压力、温度、气流、功率和相关的可控参数。目前，在集成电路工艺过程中广泛使用的是反应离子技术。下面简要介绍采用干法刻蚀对集成电路制造中常用材料的刻蚀情况。二、二氧化硅和硅的干法刻蚀
半导体刻蚀工艺基础（干法刻蚀）.FA农民工.自娱自乐.36人赞同了该文章.在半导体制造中,蚀刻使用各种技术选择习惯地在衬底上移除薄膜,并且通过这一移除的过程在衬底表面形成了材料的图形，.光罩定义了图形的形状,这一图形定义过程称为显影，.一旦光...
干法刻蚀是等离子体辅助刻蚀的代名词，用于高精度的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言，已经能够达到世界较为前列的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、更好的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和更低的等离子体损伤...
干法刻蚀基础知识及应用1刻蚀介绍及分类1.1关于刻蚀刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的（图1）。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。
上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901上海交通大...
第八讲:干法刻蚀.pdf50页内容提供方:ziyouzizai大小:3.1MB字数:约1.81万字发布时间:2017-08-19浏览人气:34下载次数:仅上传者可见收藏次数:0需...
上海交通大学硕士学位论文干法刻蚀制程工艺及相关缺陷的分析和改善姓名:张新言申请学位级别:硕士专业:平板显示指导教师:李荣玉;陈勤达20090901上海交通...
楼楼我是研一菜鸟，最近读到一篇关于Pt作为干法刻蚀的etch-masks的论文，也许楼楼可以从etch-masks入手...
本文讨论的就是在300mm(12英寸)后段铝制程中铝金属蚀刻工艺中碰到的铝金属腐蚀的缺陷,因为本人所在公司主要生产研究90nm及90nm以下的产品,所以本论文是以90nmNROM产品,90nm...
中北大学学位论文36刻蚀的基本过程和干法刻蚀基本一致都是通过光刻在基片上形成所需结构图形然后利用刻蚀液进行刻蚀形成所需结构。湿法刻蚀中具有刻蚀选择性...
相关论文评论(0)(0)氧化镓干法刻蚀研究首发时间:2014-04-25张超1张超(1987-),男,硕士研究生,宽带隙半导体夏晓川1夏晓川(1982-),男,讲师,主要...
【摘要】:主要研究了用干法刻蚀和各向湿法刻蚀的方法在〈100〉晶面和〈111〉晶面的单晶硅衬底上硅微尖.结果表明干法刻蚀和〈111〉晶面的硅衬底各向湿法腐蚀容易...
在线出版日期:2007-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)页数:共3页页码:928-930引文网络相关文献参考文献(4)[1]叶振华,胡晓宁,全知...