本期与大家分享的论文来自Intel，作者也是笔者的朋友（敬称“昊总”），本篇论文是典型的硅光子与电路集成之作，也是作者及其公司长期积累的方向。1、应用背景数据中心的互连带宽需求飞速增长，虽然目前产品主流是100G（4x25G）光模块...
调制器在内的所有光子功能的单片集成，也可以采用同一套流片工艺将硅光子功能元件与微电子集成电路进行一体化集成。这种前所未有的光电融合能力，给未来芯片性能的飞跃带来无限的可能性。硅光技术到底有多重要？我们从专家学者的评价中可一窥究竟。
新型硅基集成光子器件的研究声明：本人论文均为可编辑的文本格式PDF，绝非垃圾的截图文档，请大家放心下载使用。摘要摘要不断呈现的各种业务需求、飞速发展的光通信技术以及逐步拓宽的应用领域大大促进了集成光子器件的研究与发展。
在。经过半个世纪的发展，集成电路制造工艺水平突飞猛进，量产产品已达到10nm技术节点。本研究小组与先进的大规模集成电路商用工艺生产线合作，基于0.13μmCMOS技术，并且采用了248nm光刻技术[1]，建立了一整套硅光子器件和集成的工艺。
光子也将是一个无厂化产业集成光子技术从提出至今已近50年，与微电子与集成电路不同，一直以来集成光子技术主要还是针对特定的运用，需要采用不同的光电材料和精细化的工艺。由于主要应用于光纤通信，集成光子器件实际可以
Si是目前大规模用于电子集成技术的材料,在光通信波长范围内具有很好的光透性,同时它具有高折射率,利于实现高折射率差系统结构,适合制作各种结构紧凑的光波导器件,另外其工艺与成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容,便于实现光子、光电子集成。
集成电路制造工艺——应变硅技术.传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度，从而在更低的成本下获得更好的系统性能。.然而，随着工艺的不断微缩，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制，它所...
摘要：随着本世纪初光通信行业和集成回路技术经历了前所未有的飞速发展后,集成光子学逐渐获得了越来越多的关注。硅基光子学有诸多优点,例如小尺寸、低成本、高集成度和互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的制造工艺。由于光通信的大带宽、高速率特性,硅基光子学有潜力成为光电子集成电路...
在集成硅光子器件的设计中，反向设计方法作为一种极具潜力的方法，近年来获得许多研究进展，但庞大的计算开销成为限制其发展的新瓶颈。本论文提出了一种称为“数字化伴随法”的新型高效反向设计优化算法，并采用此方法设计、制作...
前言随着硅基光子集成的设计与工艺条件逐步完善，芯片上各类有源、无器以及它们组合而成的光模块，目前已经能够很好地实现小尺寸下信号处理。对于一个完整的光通信链路，常由“发射端——传输介质——接收端”三部分构成，而集成芯片上的光信号处理，其传输介质仍由传统光纤结构...