大连理工大学硕士学位论文单晶硅片超精密磨削减薄技术试验研究姓名：成清校申请学位级别：硕士专业：机械制造及其自动化指导教师：康仁科20091216大连理工大学硕士学位论文随着便携式电子产品的飞速发展，硅片趋向大直径化的同时，对芯片厚度要求也越来越薄，需要对半导体硅片进行...
硅片减薄技术是便携式电子产品先进封装核心技术之一，如何实现在硅片减薄过程中减小表面损伤和翘曲，分析在减薄过程中制约硅片厚度的关键因素，对丰富硅片减薄理论，提高精密技术水平具有重要的理论意义和经济价值。.本文在总结国内外...
硅片超精密磨削减薄理论与关键技术（3）通过硅片磨削减薄试验研究了崩边形状和尺寸沿硅片圆周的变化规律，在此基础上，研究了砂轮粒度、减薄厚度、磨削方式和砂轮进给速度等磨削参数等崩边尺寸的影响，并基于单晶硅的各向异性力学特性和工件旋转法...
其次,应用Stoney公式研究了使用金刚石砂轮磨削的超薄硅片的挠曲变形规律,结果表明,在小挠度变形情况下,硅片的弯曲度与厚度的平方成反比的关系,预测了#600、#2000和#3000金刚石砂轮减薄硅片的最佳厚度,并通过减薄试验,对硅片的最佳厚度进行了验证。
硅片减薄将有效降低原料和生产成本，提高产率，但同时也面临着巨大的挑战，主要是碎片率，以及在大面积硅片上实现均匀的技术；而厚度减薄也对电池的表面钝化工艺提出了更高的要求。
由于硅材料成本居高不下，减薄硅片厚度成为降低电池生产成本最有效的手段。在硅片变薄的同时，对光吸收效率和表面钝化的要求也增加了。增强光吸收对保持薄片晶体硅太阳电池的性能稳定和进一步提升转换效率十分重要。
关于单晶硅各向异性腐蚀机理的讨论(paper)论文编号PV-46（共6施正荣无锡尚德太阳能电力有限公司214028摘要：在单晶硅太阳电池的工艺中，经常利用碱溶液对各个晶面腐蚀速率不同，在硅片表面形成类“金字塔”状绒面，降低反射率。.本文研究了（氢氧...
1.硅片领域HJT是低温，大硅片和硅片减薄是未来的主打噱头，可以降本。而TOPCON是高温，他的大硅片和减薄概率不大P电池是170um,TOPCON175um，HJT电池现在是150-170um，未来能减薄…
大家好，本人对硅片一些参数不太了解，现在做实验需要知道硅片的粗糙度参数。想请问一下大家：一般单抛或者未抛硅片来说，未抛光侧的表面粗糙度大概是多少呢？（有朋友了解或者亲自测试过的麻烦告知一声，万分感谢！！）（抛光一侧的一般都有标示出来，＜0.5nm）:hand::(:(:
在硅片减薄工艺中一般不能将硅片磨削到很薄的尺寸，因为如果将硅片直接磨削到芯片封装所需的厚度，由于机械损伤层的存在，在运输和后序工艺中碎片率非常高。.因此，实际应用中，对于200mm的硅片，如果需要100mm的薄硅片，首先先用磨削的方式去除绝...
硅片超精密磨削减薄工艺基础研究_能源/化工_工程科技_专业资料暂无评价|0人阅读|0次下载硅片超精密磨削减薄工艺基础研究_能源/化工_工程科技_专业资料。+申请...
本发明的目的在于提供一种硅片减薄方法及薄硅片,该减薄方法采用多次深硅刻蚀以及键合工艺,实现自动化操作,工艺稳定,适合大规模量产,且得到的薄硅片导热性较好,硅片翘曲能...
在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下,要增加堆叠层数,必须对各层硅片进行背面减薄,且要求减薄硅片具有高面型精度、无表面/亚表面损伤。目前,采用金刚石砂轮的超精密磨削技术...
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弥补晶片经过切割、研磨等工艺带来的机械损伤，用化学方法可以”抛光去除“少量损伤或者直接抛平，这样既能节省时间，又能使表面光洁平整，塌边少。且去除了晶片表... .new-pmd.c-abstractbr{display:none;}更多关于硅片减薄论文的问题>>
我这有一些500多微米厚的单抛硅片,想用HF+HNO3+CH3COOH对其进行减薄。由于要保护抛光面不被腐蚀,所以需要在抛光面表面涂一层抗腐蚀剂,等腐蚀完了以后再去掉这层抗腐蚀剂。我...